电流驱动显示装置及抑制电源供应线电致迁移效应的方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一电流驱动显示装置，包括：多条数据线；多条扫描线，大体垂直于所述扫描线形成；一受电流驱动的像素阵列，各该像素相邻于其中一数据线及一扫描线而设置；至少一电源供应线，耦接至该所述像素；及其中该电源供应线横截面上的平均电流密度不大于趋近１０↑［５］安培／平方厘米（Ａ／ｃｍ↑［２］）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电流驱动显示装置，特别是涉及一种可防止电致迁移效应的电致发光显示装置及其方法。
技术介绍
通常在导线中电流是靠电子的移动来传递，当一电压差跨在一导线(例如为一金属线)的两端，电子开始流经该金属线，使电流流动并在导线中产生热。当导线的温度升高以及当电流流过导线而产生质量迁移时会产生电致迁移效应，因为移动电子所产生动量互换以及其所产生的电场的影响结合所产生的双重效应会产生上述的电流引起的质量迁移。此质量迁移会导致导线内的部分导线离子自原本的晶粒位置脱离，脱离后会在导线内会留下空位或者空缺；或者是导线离子的沉积而成一小丘(hillocks)或晶须(whiskers)。如此即会造成在导线内的开路或短路的情形；并进一步影响到电流驱动显示器的效能。电致迁移会进一步影响到半导体组件中其它的问题，举例来说，当一钝化层(passivation layer)(例如玻璃、氮化硅(Si3N4)、或二氧化硅(SiO2)层)形成在一半导体装置上时，会因移动或沉积的金属原子造成断裂，导致装置中一些组件曝露在空气中而腐蚀。引起电致效应的原因有二，温度以及电流密度。一般来说，电流密度低于104安培/平方厘米(A/cm2)，电致迁移效应对于导线的生命周期的影响较小。当电流密度大于105A/cm2时，电致迁移效应则为造成电路退化的主要原因，目前知道的是电致迁移效应会发生于例如铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)或其组成物。图1显示了在一铝线上因电致迁移效应所量测的曲线图，该铝线包括一第一垫片，该第一垫片接收一电流密度为2.5×105A/cm2的定电流(1)，及一第二垫片接地。如图1所示，在接近8000秒处，铝线两端的跨压从7.9伏升至9伏，从欧姆定律(V＝IR)看来，因为其为一定电流，所以此电压的增加应该是铝线中的电阻值增加所导致，而此电阻值增加则因电致迁移效应所引起。一传统用以减轻金属导线中电致效应的技术是将铝(Al)混合铜(Cu)、钛(Ti)、钯(Pd)或硅(Si)。另外一传统的方式则为提供一覆盖结构(layeredstructure)。又一已知的方式则为使用多条电源供应线去轮流抑制过度的电流或过高的热。然而，上述这些方式并未特别对电流驱动显示装置(current-driven display device)(例如电致发光显示装置)的电源线给一明确的设计规范。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一装置及方法，可解决已知所遇到的问题而造成的限制或缺点。为实现上述优点及根据本专利技术的目的，本专利技术提供一电流驱动装置，包括多条数据线；多条扫描线，依序垂直于所述扫描线形成；一受电流驱动的像素阵列，各该像素相邻于其中一数据线及一扫描线而设置；至少一电源供应线，耦接至该所述像素；其中，该电源供应线横截面上的平均电流密度不大于趋近105安培/平方厘米(A/cm2)。其中，该电源供应线的横截面还包含一宽度及厚度。另外，每一像素还包含一电致发光组件。本专利技术还提出一电致发光显示装置，包括一像素阵列，每一像素包含一驱动及控制电路以及一电致发光组件；至少一第一电源供应；至少一第一电源供应线，耦接至所述像素及该至少一第一电源供应；至少一第二电源供应线；及至少一第二电源供应线，耦接至所述像素及该至少一第一电源供应；其中该第一或第二电源供应线横截面上的平均电流密度不大于趋近105安培/平方厘米(A/cm2)。一方面，该电致发光组件进一步包括一有机发光二极管。本专利技术还提出一抑制电流驱动显示装置内电源供应线中电致迁移效应的方法，包括提供一像素阵列，每一像素包括一电致发光组件；提供至少一第一电源供应线；提供至少一第二电源供应线；将每一像素电性耦接至该至少一第一电源供应线其中一第一电源供应线及该至少一第二电源供应线其中一第二电源供应线；提供一电流经该至少一第一及该第二电源供应线至所述像素中；测量该第一或第二电源供应线横截面上的最大平均电流密度不大于趋近105安培/平方厘米(A/cm2)。为了使本专利技术的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并结合附图详细说明如下。附图说明图1显示一在铝线中产生电致迁移效应的量测曲线图；图2A显示本专利技术电流驱动显示器一较佳实施例的电路示意图；图2B显示图2A中电流驱动显示器的像素电路的部分放大图；图2C显示图2A中电流驱动显示器的像素电路电路图；图3显示本专利技术电流驱动显示器另一较佳实施例的电路示意图；附图符号说明电流驱动显示装置～10；数据驱动器～12；扫描驱动器～14；像素阵列～16；至少一第一电源供应线～18-2；至少一第二电源供应线～20-2；代表像素～16-2；驱动控制电路～16-4；开关晶体管～22；驱动晶体管～24；储存电容～26；扫描线～14-2；数据线～12-2；电致发光组件～16-6；共同电极～28；接触孔～30；第一供应电源～42-2及42-4；第二供应电源～44-2及44-具体实施方式接下来介绍本专利技术的详细实施例，及其相关实施例的图示。其中，图标中相同组件将使用相同标号。图2A显示本专利技术一电流驱动显示装置10一较佳实施例的电路图，此电流驱动显示装置10包括一数据驱动器12、一扫描驱动器14、一像素阵列16、以及至少一第一电源供应线18-2以及至少一第二电源供应线20-2耦接至该像素阵列16。第一电源供应线18-2耦接至一第一供应电源(first powersupply)，例如电压VDD，第二电源供应线20-2耦接至一第二供应电源，例如VSS，其中该第一或第二电源供应线横截面上的平均电流密度满足不大于趋近105安培/平方厘米(A/cm2)。在本专利技术一较佳实施例中，第一电源供应线18-2或第二电源供应线20-2的截面积包括一宽度(W)及一厚度(T)，当一电流(I)流经第一电源供应线18-2或第二电源供应线20-2时，电流密度＝I/WT，由厚度(W)及宽度(T)需确保其横截面的最大平均电流密度不大于105A/cm2。在此实施例中，宽度(W)约介于100微米至4000微米之间。厚度(T)则介于2000至6000埃之间。第一电源供应线18-2或第二电源供应线20-2可以包含铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铂(pt)或其合成物。请再参阅图2A，一代表像素16-2形成邻近于其中一数据线12-2及交错的其中一扫描线14-2之间，每一数据线及每一扫描线系实质上呈垂直设置，代表像素16-2包括一驱动及控制电路16-4以及一电致发光组件16-6，将于稍后详细叙述。图2B为图2A中电流驱动显示装置10代表像素16-2的部分放大图，在实施例中，代表像素16-2中的驱动控制电路16-4包括有一开关晶体管22、一驱动晶体管24、及一储存电容26。开关晶体管22包括一栅极(未标号)耦接至扫描线14-2，一源极(未标号)耦接至数据线12-2，以及一漏极耦接至储存电容26的一端(未标号)。驱动晶体管24包括一栅极(未标号)耦接至储存电容26的一端(未标号)，一源极(未标号)耦接至第一电源供应线18-2，以及一漏极(未标号)耦接至电致发光组件16-6。储存电容26的另一端耦接至第一电源供应线18-2。运作时，请参阅图2A，扫描驱动器14启动其中一扫描线14-2，并藉由开启连本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电流驱动显示装置，包括：多条数据线；多条扫描线，大体垂直于所述扫描线形成；一受电流驱动的像素阵列，各该像素相邻于其中一数据线及一扫描线而设置；至少一电源供应线，耦接至所述像素；及其中该电源供应线横 截面上的平均电流密度不大于趋近１０↑［５］安培／平方厘米（Ａ／ｃｍ↑［２］）。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：孙文堂，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]