一种半导体基材单片双面磨抛装置及半导体基材磨抛设备制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及晶片磨抛领域，特别是涉及一种半导体基材单片双面磨抛装置及半导体基材磨抛设备，包括上磨抛组件、下磨抛组件及晶片保持架；所述晶片保持架包括固定机构，所述固定机构夹持待处理晶片，使所述待处理晶片的上表面及下表面暴露；所述上磨抛组件设置于所述晶片保持架的上方，包括上磨抛盘及上驱动器；所述下磨抛组件设置于所述晶片保持架的下方，包括下磨抛盘及下驱动器；所述固定机构设置于所述上磨抛盘及所述下磨抛盘的重叠区域；所述上磨抛盘的目数与所述下磨抛盘的目数不同。本实用新型专利技术使半导体晶片的上下两表面能同时受到两种转速、表面粗糙度均不同的打磨处理，可进行双面同时但不同标准的磨抛，大大提升了生产效率与加工精度。升了生产效率与加工精度。升了生产效率与加工精度。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体基材单片双面磨抛装置及半导体基材磨抛设备


[0001]本技术涉及晶片磨抛领域，特别是涉及一种半导体基材单片双面磨抛装置及半导体基材磨抛设备。

技术介绍

[0002]半导体材料经常需要打磨与抛光，而比如SiC作为第三代半导体材料，性能优越，应用场景更广。作为一种多相陶瓷，SiC的硬度仅次于金刚石，材质即硬且脆，加工难度很大，且SiC具有Si面与C面，两个面对磨抛平面度与表面粗糙度的要求并不同。
[0003]传统的双面磨抛设备不能为待磨抛的晶片的两面提供不同的磨抛策略，只能对晶片的两面进行相同的加工，这就使得对部分半导体材料，如SiC的加工需要经过两次单独的磨抛或抛光程序，大大降低了晶片的生产效率。
[0004]因此，如何提升待处理晶片的磨抛效率，就成了本领域技术人员亟待解决的问题。

技术实现思路

[0005]本技术的目的是提供一种半导体基材单片双面磨抛装置及半导体基材磨抛设备，以解决现有技术中不能同时满足待处理晶片双面不同加工要求，导致生产效率底下的问题。
[0006]为解决上述技术问题，本技术提供一种半导体基材单片双面磨抛装置，包括上磨抛组件、下磨抛组件及晶片保持架；
[0007]所述晶片保持架包括固定机构，所述固定机构夹持待处理晶片，使所述待处理晶片的上表面及下表面暴露；
[0008]所述上磨抛组件设置于所述晶片保持架的上方，包括上磨抛盘及上驱动器；所述上驱动器带动所述上磨抛盘以第一速度转动，并对所述待处理晶片的上表面进行磨抛；
[0009]所述下磨抛组件设置于所述晶片保持架的下方，包括下磨抛盘及下驱动器；所述下驱动器带动所述下磨抛盘以第二速度转动，并对所述待处理晶片的下表面进行磨抛；
[0010]所述固定机构设置于所述上磨抛盘及所述下磨抛盘的重叠区域；所述上磨抛盘的目数与所述下磨抛盘的目数不同。
[0011]可选地，在所述的半导体基材单片双面磨抛装置中，所述半导体基材单片双面磨抛装置还包括磨抛盘修整器；
[0012]所述上磨抛盘及所述下磨抛盘不同轴；
[0013]所述磨抛盘修整器的刷头设置于所述上磨抛盘和/或所述下磨抛盘的非重叠区域。
[0014]可选地，在所述的半导体基材单片双面磨抛装置中，所述磨抛盘修整器的包括旋转基座、连接杆及所述刷头；
[0015]所述刷头及所述旋转基座分别连接于所述连接杆的两端；
[0016]所述旋转基座能在平行于对应的磨抛盘的平面内自转，带动所述刷头旋进或旋出
对应的磨抛盘的非重叠区域。
[0017]可选地，在所述的半导体基材单片双面磨抛装置中，所述上磨抛组件和/ 或所述下磨抛组件包括支撑旋转轴；
[0018]所述支撑旋转轴驱动对应的磨抛盘以所述支撑旋转轴为旋转中心转动，使对应的磨抛盘能够不与另一磨抛盘重叠。
[0019]可选地，在所述的半导体基材单片双面磨抛装置中，所述半导体基材单片双面磨抛装置包括单个第一磨抛组件、第一数量的第二磨抛组件及与所述第二磨抛组件对应的第一数量的固定机构。
[0020]可选地，在所述的半导体基材单片双面磨抛装置中，所述半导体基材单片双面磨抛装置还包括晶片自转驱动器；
[0021]所述晶片自转驱动器驱动所述晶片保持架，使所述待处理晶片自转。
[0022]一种半导体基材磨抛设备，所述半导体基材磨抛设备包括如上述任一种所述的半导体基材单片双面磨抛装置。
[0023]可选地，在所述的半导体基材磨抛设备中，所述半导体基材磨抛设备通过机械臂搬运所述待处理晶片。
[0024]可选地，在所述的半导体基材磨抛设备中，所述机械臂包括持物吸盘。
[0025]可选地，在所述的半导体基材磨抛设备中，所述半导体基材磨抛设备包括晶片清洗机。
[0026]本技术所提供的半导体基材单片双面磨抛装置，包括上磨抛组件、下磨抛组件及晶片保持架；所述晶片保持架包括固定机构，所述固定机构夹持待处理晶片，使所述待处理晶片的上表面及下表面暴露；所述上磨抛组件设置于所述晶片保持架的上方，包括上磨抛盘及上驱动器；所述上驱动器带动所述上磨抛盘以第一速度转动，并对所述待处理晶片的上表面进行磨抛；所述下磨抛组件设置于所述晶片保持架的下方，包括下磨抛盘及下驱动器；所述下驱动器带动所述下磨抛盘以第二速度转动，并对所述待处理晶片的下表面进行磨抛；所述固定机构设置于所述上磨抛盘及所述下磨抛盘的重叠区域；所述上磨抛盘的目数与所述下磨抛盘的目数不同。
[0027]本技术中，利用所述晶片保持架固定待磨抛的待处理晶片，并将待处理晶片的上下表面暴露在外，由所述上磨抛盘及所述下磨抛盘进行磨抛，而所述上磨抛盘及所述下磨抛盘不仅目数不同(也即磨粒的大小、密度不同)，还分别由所述上驱动器及所述下驱动器驱动，使所述待处理晶片的上下两表面能同时受到两种转速、表面粗糙度均不同的打磨处理，可在保证双面不同磨抛工艺的基础上，进行双面同时磨抛，大大提升了生产效率与加工精度。本技术同时还提供了一种具有上述有益效果的半导体基材磨抛设备。
附图说明
[0028]为了更清楚的说明本技术实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0029]图1为本技术提供的半导体基材单片双面磨抛装置的一种具体实施方式的结
构示意图；
[0030]图2为本技术提供的半导体基材单片双面磨抛装置的一种具体实施方式的结构活动示意图；
[0031]图3为本技术提供的半导体基材单片双面磨抛装置的另一种具体实施方式的结构示意图；
[0032]图4为本技术提供的半导体基材单片双面磨抛装置的又一种具体实施方式的结构示意图；
[0033]图5至图7为本技术提供的半导体基材磨抛设备的多种具体实施方式的结构示意图；
[0034]图8为本技术提供的半导体基材磨抛设备的一种具体实施方式的结构活动示意图。
具体实施方式
[0035]为了使本
的人员更好地理解本技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0036]本技术的核心是提供一种半导体基材单片双面磨抛装置，其一种具体实施方式的结构示意图如图1所示，称其为具体实施方式一，包括上磨抛组件、下磨抛组件及晶片保持架10；
[0037]所述晶片保持架10包括固定机构11，所述固定机构11夹持待处理晶片，使所述待处理晶片的上表面及下表面暴露；
[0038]所述上磨抛组件设置于所述晶片保本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体基材单片双面磨抛装置，其特征在于，包括上磨抛组件、下磨抛组件及晶片保持架；所述晶片保持架包括固定机构，所述固定机构夹持待处理晶片，使所述待处理晶片的上表面及下表面暴露；所述上磨抛组件设置于所述晶片保持架的上方，包括上磨抛盘及上驱动器；所述上驱动器带动所述上磨抛盘以第一速度转动，并对所述待处理晶片的上表面进行磨抛；所述下磨抛组件设置于所述晶片保持架的下方，包括下磨抛盘及下驱动器；所述下驱动器带动所述下磨抛盘以第二速度转动，并对所述待处理晶片的下表面进行磨抛；所述固定机构设置于所述上磨抛盘及所述下磨抛盘的重叠区域；所述上磨抛盘的目数与所述下磨抛盘的目数不同。2.如权利要求1所述的半导体基材单片双面磨抛装置，其特征在于，所述半导体基材单片双面磨抛装置还包括磨抛盘修整器；所述上磨抛盘及所述下磨抛盘不同轴；所述磨抛盘修整器的刷头设置于所述上磨抛盘和/或所述下磨抛盘的非重叠区域。3.如权利要求2所述的半导体基材单片双面磨抛装置，其特征在于，所述磨抛盘修整器的包括旋转基座、连接杆及所述刷头；所述刷头及所述旋转基座分别连接于所述连接杆的两端；所述旋转基座能在平行于对应的磨抛盘的平面内自转，带动所述刷头旋...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨兆明，王东洁，曾文昌，中原司，
申请(专利权)人：浙江芯晖装备技术有限公司，
类型：新型
国别省市：