【技术实现步骤摘要】
一种应用于硬脆薄片材料的双面减薄设备
[0001]本专利技术涉及半导体
,特别涉及一种应用于硬脆薄片材料的双面减薄设备。
技术介绍
[0002]随着硬脆薄片材料(如Si、SiC或GaN等半导体基底材料)的减薄加工对材料表面质量(平坦性和表面粗糙度等)具有极高的要求,因此需要减薄设备具有良好的整机刚性,此外,由于晶圆制造厂一直在追求更高的产能和良率,因此需要设备具有更高的加工效率和更好的加工稳定性。
[0003]图1为目前市场上用于减薄半导体基底材料的典型设备结构,包括底座F1、固定安装在底座上的立柱F2、设置在立柱上的主轴进给单元F3、设置在主轴进给单元上的主轴单元F4和设置在底座上的工件载台单元F5,其中主轴单元上设置有可转动的砂轮,工件载台单元中设置有可转动的真空吸盘,工件载台单元布置在砂轮的下方且砂轮的圆弧在竖直方向的投影覆盖真空吸盘的圆心处。在减薄加工过程中,真空吸盘通过负压吸附固定半导体基底材料(工件),砂轮在主轴单元内的电机驱动下转动,且真空吸盘以一定速度同时转动,砂轮在主轴进给单元的驱动下与半导体 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种应用于硬脆薄片材料的双面减薄设备,其特征在于,包括底座(1)、分别立设于所述底座(1)表面两侧的第一立柱(2)及第二立柱(3)、连接于所述第一立柱(2)与所述第二立柱(3)之间的横梁(4)、可垂向升降地设置于所述第一立柱(2)的内侧壁上并用于磨削工件底面的底面磨削机构(5)、可垂向升降地设置于所述第二立柱(3)的内侧壁上并用于磨削工件表面的表面磨削机构(6)、可水平旋转地设置于所述底座(1)表面的转盘(7)、设置于所述转盘(7)表面并分布于同一径向的第一工作台(8)及第二工作台(9),所述表面磨削机构(5)对所述第一工作台(8)上的工件的磨削作业与所述底面磨削机构(6)对所述第二工作台(9)上的工件的磨削作业同步进行。2.根据权利要求1所述的应用于硬脆薄片材料的双面减薄设备,其特征在于,所述底面磨削机构(5)包括可垂向升降地设置于所述第一立柱(2)内的第一传动组件(51),以及与所述第一传动组件(51)的输出端相连、用于对所述第一工作台(8)上的工件底面进行磨削作业的底面磨削部件(52);所述表面磨削机构(6)包括可垂向升降地设置于所述第二立柱(3)内的第二传动组件(61),以及与所述第二传动组件(61)的输出端相连、用于对所述第二工作台(9)上的工件表面进行磨削作业的表面磨削部件(62)。3.根据权利要求2所述的应用于硬脆薄片材料的双面减薄设备,其特征在于,所述第一工作台(8)及所述第二工作台(9)均可水平旋转地设置于所述转盘(7)的表面,且所述底面磨削部件(52)的垂向投影边缘覆盖所述第一工作台(8)的圆心,所述表面磨削部件(62)的垂向投影边缘覆盖所述第二工作台(9)的圆心。4.根据权利要求1
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3任一项所述的应用于硬脆薄片材料的双面减薄设备,其特征在于,所述转盘(7)的表面还设置有可水平旋转的第三工作台(10)及第四工作台(11),所述第三工作台(10)与所述第四工作台(11)分布于同一径向方向,且所述第一工作台(8)、所述第二工作台(9)、所述第三工作台(10)、所述第四工作台(11)四者共圆。5.根据权利要求4所述的应用于硬脆薄片材料的双面减薄设备,其特征在于,所述底座(...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨兆明,川嶋勇,张峰,
申请(专利权)人:浙江芯晖装备技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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