一种磨削主轴坐标测量方法技术

本发明专利技术提供了一种磨削主轴坐标测量方法，包括步骤a：获得磨削主轴的基准Z轴坐标；步骤b：当磨削主轴回到待机位置时用检测传感器获得金刚石砂轮的位置数据；步骤c：根据步骤a中获得的磨削主轴的基准Z轴坐标数据与步骤b中获得的金刚石砂轮的位置数据，获得两者的差值数据；步骤d：当特定情况下需要获得磨削主轴的当前Z轴坐标时，用所述检测传感器测量当前金刚石砂轮的位置，获得金刚石砂轮的当前位置数据；以及步骤e：根据步骤d中获得的金刚石砂轮的当前位置数据与步骤c中获得的差值数据，获得磨削主轴的当前Z轴坐标。本发明专利技术方法可快速确定磨削主轴新的基准Z轴坐标数据，能够节省时间，提高效率，并且操作简单。并且操作简单。并且操作简单。

【技术实现步骤摘要】
一种磨削主轴坐标测量方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种磨削主轴坐标测量方法。

技术介绍

[0002]半导体硅晶圆是制造半导体器件的基础性原材料。高纯度的半导体经过拉晶、切片等工序制备成为晶圆，晶圆经过一系列半导体制造工艺形成极微小的电路结构，再经减薄、切割、封装、测试成为芯片，广泛应用到各类电子设备中，其中晶圆减薄就是很重要的一环。
[0003]为了提高半导体芯片的电性能等要求，需要对半导体晶圆实施背面减薄，完成这项工艺的装置就是晶圆减薄机。晶圆减薄机通常包括磨削主轴、真空吸盘台面等部件。晶圆减薄前，先在上下料位置将晶圆放在真空吸盘台面上，再将台面移动至磨削主轴下方，磨削主轴下降对晶圆进行磨削减薄，磨削完成后磨削主轴上升至待机位置(砂轮下缘距离真空吸盘台面20mm)，台面移动至上下料位置。
[0004]为了提高减薄硅片效率，磨削时需要把磨削主轴高速(300mm/min)下降到尽可能靠近晶圆(一般为30
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50um)后，再用减薄工艺速度(50um/min)进行减薄硅片，这个时候对磨削主轴本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磨削主轴坐标测量方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤a：获得磨削主轴的基准Z轴坐标；步骤b：当磨削主轴回到待机位置时用检测传感器获得金刚石砂轮的位置数据；步骤c：根据步骤a中获得的磨削主轴的基准Z轴坐标数据与步骤b中获得的金刚石砂轮的位置数据，获得两者的差值数据；步骤d：当特定情况下需要获得磨削主轴的当前Z轴坐标时，用所述检测传感器测量当前金刚石砂轮的位置，获得金刚石砂轮的当前位置数据；以及步骤e：根据步骤d中获得的金刚石砂轮的当前位置数据与步骤c中获得的差值数据，获得磨削主轴的当前Z轴坐标。2.根据权利要求1所述的磨削主轴坐标测量方法，其特征在于，步骤a中通过手动方式利用标准块规获得磨削主轴的基准Z轴坐标。3.根据权利要求2所述的磨削主轴坐标测量方法，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁猛，林海涛，赵凯，李彬，陆俊，
申请(专利权)人：技感半导体设备南通有限公司，
类型：发明
国别省市：