发光元件、发光装置以及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术的课题是提供可以减少因化合物的结晶化而引起的工作故障的发光元件。本发明专利技术的发光元件之一是在第１电极和第２电极之间有发生电子的层。产生电子的层含有以通式（１）表示的菲咯啉衍生物和金属氧化物。金属氧化物对于以通式（１）表示的菲咯啉衍生物显示电子给予性。在通式（１）中，Ｒ↑［１］～Ｒ↑［５］分别表示碳原子数１～４的烷基、或卤基，Ｒ↑［１］～Ｒ↑［５］中的至少１个表示卤基。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在一对电极之间具有含发光物质的层的发光元件以及使用了该发光元件的发光装置、电子设备。
技术介绍
在一对电极之间具有含发光物质的层的发光元件作为像素或光源等使用，被设置于显示装置或照明装置等发光装置中。在这种发光装置中，发光元件的可靠性与发光装置的性能密切相关。例如，发光元件的电极之间发生短路时，就会出现显示图像紊乱，或者不能照出充足光量的光。为此，近年来，已经进行了元件故障少、可以长期稳定地发光的发光元件的开发。例如，在专利文献1中公开了通过在阳极使用钼氧化物等功函数高的金属氧化物，制作在低驱动电压下工作的发光元件的技术。另外，也得到了长寿命化的效果。日本特开平9-63771号公报
技术实现思路
本专利技术的课题是提供可以减少因化合物的结晶化所引起的工作故障的发光元件。本专利技术实施中所使用的菲咯啉衍生物是由下述通式(1)所表示的化合物。 在通式(1)中，R1～R5分别表示碳原子数1～4的烷基、或卤基，R1～R5中的至少1个表示卤基。本专利技术的发光元件之一在第1电极和第2电极之间有产生电子的层。产生电子的层含有以通式(1)表示的菲咯啉衍生物和金属氧化物。金属氧化物对于以通式(1)表示的菲咯啉衍生物显示电子给予性。本专利技术的发光元件之一在第1电极和第2电极之间有产生电子的层和含有发光物质的层。其中，产生电子的层含有以通式(1)表示的菲咯啉衍生物和金属氧化物。金属氧化物对于以通式(1)表示的菲咯啉衍生物显示电子给予性。含有发光物质的层可以是单层或多层。另外，在为多层的情况下，其至少一层中含有发光物质为好。本专利技术的发光元件之一在第1电极和第2电极之间有产生空穴的层和含有发光物质的层以及产生电子的层。产生空穴的层设置于含有发光物质的层与第1电极之间。另外，产生电子的层设置于含有发光物质的层与第2电极之间。其中，产生电子的层含有以通式(1)表示的菲咯啉衍生物和金属氧化物。金属氧化物对于以通式(1)表示的菲咯啉衍生物显示电子给予性。含有发光物质的层可以是单层或多层。另外，在为多层的情况下，其至少一层中含有发光物质为好。本专利技术的发光元件之一在第1电极和第2电极之间有第1层、第2层和第3层。第1层是产生空穴的层，第2层是产生电子的层。第3层是含有发光物质的层。第1层被设置于比第2层更靠近第1电极一侧，而第3层设置在比第2层更靠近第2电极一侧。第2层含有以通式(1)表示的菲咯啉衍生物和金属氧化物。金属氧化物对于以通式(1)表示的菲咯啉衍生物显示电子给予性。另外，外加电压使第1电极的电位比第2电极的电位低时，第2层与第3层进行连接，以使从第2层向第3层注入电子。含有发光物质的层可以是单层或多层。另外，在为多层的情况下，其至少一层中含有发光物质为好。本专利技术的发光装置之一使用了上述发光元件的任何一种作为像素或光源。本专利技术的电子设备之一将以上述发光元件的任何一种作为像素的发光装置用于显示部。本专利技术的电子设备之一将以上述发光元件的任何一种作为光源的发光装置用于照明部。由于本专利技术的实施中使用的菲咯啉衍生物容易接收电子，通过实施本专利技术就容易产生电子，可以得到能够向发光层稳定提供电子的发光元件。通过实施本专利技术，导电性比仅由菲咯啉衍生物构成的层提高，可以得到随着层的厚度的增加驱动电压变化少的发光元件。另外，由于混合了本专利技术的实施中使用的菲咯啉衍生物与金属氧化物的层难以结晶化，因此通过实施本专利技术就可以得到很少有因电子产生层的结晶化而引起的工作故障的发光元件。由于本专利技术的实施中使用的发光元件因结晶化而引起的工作故障少，因此通过实施本专利技术，可以得到因发光元件的缺陷导致的显示故障等少的发光装置。由于本专利技术的实施中使用的发光装置使用了因结晶化而引起的工作故障少的发光元件，因此显示故障少。因此，通过实施本专利技术，可以得到发光装置中因显示故障导致的图像显示错误少、且通过图像显示可以向使用者传递正确信息的电子设备。附图说明图1本专利技术的发光元件的一个实施方式的说明图。图2本专利技术的发光元件的一个实施方式的说明图。图3本专利技术的发光元件的一个实施方式的说明图。图4本专利技术的发光元件的一个实施方式的说明图。图5本专利技术的发光元件的一个实施方式的说明图。图6本专利技术的发光元件的一个实施方式的说明图。图7对本专利技术的发光元件的一个实施方式进行说明的俯视图。图8用于驱动设置在本专利技术的发光装置中的像素的电路的一个实施方式的说明图。图9本专利技术的发光装置中所含的像素部的一个实施方式的说明图。图10说明用于驱动本专利技术的发光装置中所含像素的驱动方法的帧图。图11本专利技术的发光装置的截面的一个实施方式的说明图。图12本专利技术的发光装置的一个实施方式的说明图。图13应用本专利技术的电子设备的一个实施方式的说明图。图14应用本专利技术的照明装置的说明图。符号说明101 第1电极102 第2电极111 空穴产生层112 空穴传输层113 发光层114 电子传输层115 电子产生层116 空穴注入层117 空穴阻挡层201 第1电极202 第2电极211 第1层212 第2层213 第3层221 电子传输层222 发光层223 空穴传输层224 空穴产生层225 空穴注入层 226 空穴阻挡层6500 基板6503 FPC6504 印刷电路布线基板6511 像素部6512 源信号线驱动电路6513 写入用栅信号线驱动电路6514 消除用栅信号线驱动电路901 晶体管902 晶体管903 发光元件911 栅信号线912 源信号线913 写入用栅信号线驱动电路914 消除用栅信号线驱动电路915 源信号线驱动电路916 电源917 电流供给线918 开关919 开关920 开关1001 晶体管1002 晶体管1003 栅信号线1004 源信号线1005 电流供给线1006 电极501 副帧502 副帧503 副帧504 副帧501a 写入期间 501b 保持期间502a 写入期间502b 保持期间503a 写入期间503b 保持期间504a 写入期间504b 保持期间504c 消除期间504d 不发光期间10 基板11 晶体管12 发光元件13 第1电极14 第2电极15 层16 层间绝缘膜17 布线18 隔壁层19 层间绝缘膜951 基板952 电极956 电极955 层953 绝缘层954 隔壁层953 绝缘层5521 主体5522 框体5523 显示部5524 键盘5511 框体5512 液晶装置 5513 发光装置5514 框体5515 外部输入端子5516 外部输入端子5551 显示部5552 主体5553 天线5554 声音输出部5555 声音输入部5556 操作开关5531 显示部5532 框体5533 扬声器具体实施方式以下说明本专利技术的一个实施方式。本专利技术可以以多种不同的方式进行实施，本领域技术人员可以容易理解为只要不超出本专利技术的要旨及其范围，其实施方式及其细节可以进行各种变更。因此，并不能解释为限于本实施方式所述内容。(实施方式1)用图1来说明本专利技术的发光元件的一个实施方式。图1示出的是在第1电极101与第2电极102之间具有空穴产生层111的发光元件。在空穴产生层111与第2电极102本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光元件，其特征在于：在第１电极与第２电极之间具有：含有以通式（１）表示的菲咯啉衍生物、和对所述菲咯啉衍生物显示电子给予性的物质的层；和含有发光物质的层，＊＊＊（１）式中，Ｒ↑［１］～Ｒ↑［５ ］分别表示碳原子数１～４的烷基、或卤基，Ｒ↑［１］～Ｒ↑［５］中的至少１个表示卤基。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：野村亮二，熊木大介，濑尾哲史，池田寿雄，坂田淳一郎，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]