一种底面清洗装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种底面清洗装置，安装在晶圆减薄设备的基座上，所述晶圆减薄设备包括在晶圆磨削过程中使用的工作台和磨削机械手，所述底面清洗装置用于清洗磨削之后的晶圆底面和/或磨削机械手的底面，位于工作台的旁边并处于磨削机械手的移动轨迹上；所述底面清洗装置包括向上喷射液体或气体的喷淋件，用于对晶圆和/或磨削机械手的底面进行非接触式的清洗和/或干燥。清洗和/或干燥。清洗和/或干燥。

【技术实现步骤摘要】
一种底面清洗装置


[0001]本技术涉及半导体晶圆加工
，尤其涉及一种底面清洗装置。

技术介绍

[0002]目前半导体行业采用在半导体晶圆的表面上形成有IC(Integrated Circuit，集成电路)或LSI(Large Scale Integration，大规模集成电路)等电子电路来制造半导体芯片。晶圆在被分割为半导体芯片之前，通过磨削减薄加工装置来磨削晶圆的背面，该背面是指形成有电子电路的器件面的相反面，也称衬底。晶圆的背面减薄(Grinding)指对封装前的硅晶片或化合物半导体等多种材料进行高精度磨削，使其厚度减少至合适的超薄形态。
[0003]磨削减薄的去除厚度在700μm左右甚至更多，由于这么大量的去除厚度，在磨削过程中会产生大量的大尺寸污染物如大颗粒，并且晶圆总厚度在减薄至一定程度后，例如7μm以下，晶圆的边缘会发生少量剥离从而产生碎渣。随着设备的长期运行，磨削工序后晶圆底面携带的大尺寸污染物会在传输单元的表面不断累积，同时作为磨削工序上料位，污染物会传递回至磨削工位，进而影响磨削表面的均匀性、一致性。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种底面清洗装置，其特征在于，安装在晶圆减薄设备的基座上，所述晶圆减薄设备包括在晶圆磨削过程中使用的工作台和磨削机械手，所述底面清洗装置用于清洗磨削之后的晶圆底面和/或磨削机械手的底面，位于工作台的旁边并处于磨削机械手的移动轨迹上；所述底面清洗装置包括向上喷射液体或气体的喷淋件，用于对晶圆和/或磨削机械手的底面进行非接触式的清洗和/或干燥。2.如权利要求1所述的底面清洗装置，其特征在于，还包括摆臂、支座和驱动机构，摆臂位于支座上方，摆臂的自由端固定有喷淋件，摆臂的定位端可转动地连接驱动机构，从而实现驱动机构控制摆臂带动喷淋件水平摆动。3.如权利要求2所述的底面清洗装置，其特征在于，还包括顶部开口的外罩，喷淋件在外罩内移动。4.如权利要求3所述的底面清洗装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：许刚，刘远航，杨晓良，马旭，
申请(专利权)人：华海清科股份有限公司，
类型：新型
国别省市：