一种功率放大器模组和射频功率放大器制造技术

本实用新型专利技术公开一种功率放大器模组和射频功率放大器，其中功率放大器模组包括TDD开关和GaN基功率放大器，GaN基功率放大器包括耗尽型GaN基HEMT；TDD开关接收来自外围电路的电压信号，并为耗尽型GaN基HEMT提供栅极电压。本实用新型专利技术将TDD开关乃至负压芯片集成在功率放大器模组中，简化外围电源电路并有效降低BOM成本，提升了功率放大器芯片的竞争力。提升了功率放大器芯片的竞争力。提升了功率放大器芯片的竞争力。

【技术实现步骤摘要】
一种功率放大器模组和射频功率放大器


[0001]本技术涉及微波功率放大器
，具体涉及一种功率放大器模组和射频功率放大器。

技术介绍

[0002]在5G通信系统中，由于高频率、高速率和高效率的数据传输要求，对功率放大器(PA)的功率提出了更高的要求。GaN基HEMT由于其宽能隙、高电子迁移率、高耐压、高功率密度的特性，尤其适用于高频高功率PA的设计，大规模应用在5G通信系统的射频前端。5G基站射频前端结构如图1所示，通常工作在时分复用(TDD)模式，即在发射链路TX工作时开启PA，在接收链路TX工作时关闭PA，每个GaN功率放大器都需要TDD开关控制，在发射状态打开PA，在接收状态关闭PA。但GaN基HEMT是一种耗尽型器件，通过栅极负压控制开启和关闭，因此每一个GaN PA都需要负压TDD开关控制，这使得GaN PA的外围供电电路很复杂。

技术实现思路

[0003]为了解决GaN PA的外围供电电路过于复杂的技术问题，本技术提出一种功率放大器模组和射频功率放大器，将部分器件集成在PA模组中，简化外围电源电路并有效降低BOM本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率放大器模组，其特征在于，包括TDD开关和GaN基功率放大器，所述GaN基功率放大器包括耗尽型GaN基HEMT；所述TDD开关接收来自外围电路的电压信号，并为所述耗尽型GaN基HEMT提供栅极电压。2.根据权利要求1所述的功率放大器模组，其特征在于，该模组还包括负压芯片，所述负压芯片为所述TDD开关提供栅压关断信号。3.根据权利要求1所述的功率放大器模组，其特征在于，所述GaN基功率放大器为Doherty功率放大器，所述Doherty功率放大器的主功放和驱动放大器的栅极分别连接一TDD开关。4.根据权利要求2所述的功率放大器模组，其特征在于，所述功率放大器为Doherty功率放大器，所述Doherty功率放大器的主功放和驱动放大器的栅极分别连接一TDD开关。5.根据权利要求1所述的功率放大器模组，其特征在于，所述功率放大器为级联的GaN基和/或GaAs基放大器，每个所述GaN/GaAs基放大器的栅极...

【专利技术属性】
技术研发人员：狄皓月，吕关胜，黄飞，
申请(专利权)人：优镓科技苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：