基于耦合线的射频前端制造技术

技术编号:43082514 阅读:18 留言:0更新日期:2024-10-26 09:32
本发明专利技术公开一种基于耦合线的射频前端,包括发射支路和接收支路,发射支路包括一差分功率放大器、第一耦合线和第二耦合线,差分功率放大器包括第一晶体管和第二晶体管,第一晶体管的输出端连接第一耦合线,第二晶体管的输出端连接第二耦合线,第一耦合线后连接天线,第一耦合线和第二耦合线连接;接收支路包括低噪声放大器和收发开关,第二耦合线与收发开关连接。本发明专利技术通过移除发射开关降低了发射损耗,进而可以显著改善发射效率。其次,耦合线巴伦充分吸收晶体管的寄生参数,并且提供阻抗变换功能,因此可以避免使用额外的PA输出网络,有助于PA效率的进一步改善。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及通信系统领域,尤其是一种基于耦合线的射频前端


技术介绍

1、功率放大器(pa,power amplifier)是射频收发机中的核心器件,其效率对整体功耗有很大的影响。在时分双工(tdd,time division duplexing)通信系统及相控阵雷达系统中,发射机和接收机工作在不同的时隙,共用同一副天线,这样就要求使用单刀双掷(spdt,single pole double throw)开关作为收发开关,切换pa及低噪声放大器(lna,lownoise amplifier)与天线的连接。pa、lna及收发spdt开关构成的电路被称为射频前端。传统射频前端的设计相对比较简单,独立完成pa、lna和spdt开关设计后,将三者连接起来即可。然而,spdt开关会引入额外的插入损耗,而且随着频率的升高其插损急剧增加,导致发射模式下pa的效率(下面简称发射效率)显著下降。


技术实现思路

1、针对传统射频前端存在的发射效率恶化问题,本专利技术提出了一种基于耦合线的射频前端,并通过移除发射支路的开关显著了本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于耦合线的射频前端,包括发射支路和接收支路,其特征在于,所述发射支路包括一差分功率放大器、第一耦合线和第二耦合线,所述差分功率放大器包括第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管的输出端连接所述第一耦合线,所述第二晶体管的输出端连接所述第二耦合线,所述第一耦合线后连接天线,所述第一耦合线和所述第二耦合线连接;所述接收支路包括低噪声放大器和收发开关,所述第二耦合线与所述收发开关连接。

2.根据权利要求1所述的射频前端,其特征在于,所述第一晶体管和所述第二晶体管为场效应管或双极型晶体管。

3.根据权利要求2所述的射频前端,其特征在于,所述差分功率放大器的第一晶体...

【技术特征摘要】

1.一种基于耦合线的射频前端,包括发射支路和接收支路,其特征在于,所述发射支路包括一差分功率放大器、第一耦合线和第二耦合线,所述差分功率放大器包括第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管的输出端连接所述第一耦合线,所述第二晶体管的输出端连接所述第二耦合线,所述第一耦合线后连接天线,所述第一耦合线和所述第二耦合线连接;所述接收支路包括低噪声放大器和收发开关,所述第二耦合线与所述收发开关连接。

2.根据权利要求1所述的射频前端,其特征在于,所述第一晶体管和所述第二晶体管为场效应管或双极型晶体管。

3.根据权利要求2所述的射频前端,其特征在于,所述差分功率放大器的第一晶体管和第二晶体管的漏极分别连接一寄生电容,所述寄生电容的另一端接地;所述第一晶体管和所述第二晶体管的源极均接地。

4.根据权利要求3所述的射频前端,其特征在于,所述第一耦合线包括相互耦合的第一传输线和第二传输线,所述第一晶体管的漏极连接所述第一传输线,所述第一传输线的另一端接地;所述第二传输线一端连接所述第二耦合线,另一端连接所述天线,在天线和第二传输线之间还设有一负载电容cl,所述负载电容cl的另一端接地。

5.根据权利要求4所述的射频前端,其特征在于,所述第二耦合线包...

【专利技术属性】
技术研发人员:吕关胜
申请(专利权)人:优镓科技苏州有限公司
类型:发明
国别省市:

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