基于G类功放架构的射频前端制造技术

本发明专利技术公开一种基于G类功放架构的射频前端，包括发射支路和接收支路，其中发射支路包括低侧功率管和高侧功率管，低侧功率管的漏极和高侧功率管的漏极通过隔直电容连接，低侧功率管漏极与地之间并联有输出寄生电容和中和电感；接收支路包括低噪声放大器，其栅极依次连接有LNA输入匹配网络和单刀单掷开关；发射支路和接收支路后连接有后匹配网络。本发明专利技术利用G类功放架构提高回退效率，并应用非对称的收发开关架构降低发射支路损耗，从而达到显著提升平均发射效率的效果。提升平均发射效率的效果。提升平均发射效率的效果。

【技术实现步骤摘要】
基于G类功放架构的射频前端


[0001]本专利技术涉及集成电路
，特别涉及一种基于G类功放架构的射频前端。

技术介绍

[0002]为了提高频谱效率，现代通信信号广泛使用OFDM等比较复杂的调制方式，导致信号的峰均值比较高。传统的射频前端一般采用class
‑
AB功放(Power Amplifier,PA)架构，然而class
‑
AB功放的回退效率很低，这就导致在高峰均比信号激励下，射频前端的平均发射效率很低。为了提高平均发射效率，有些射频前端采用Doherty功放架构，但是Doherty功放存在固有的带宽限制，而且引入的λ/4阻抗变换线会增加电路尺寸。此外，传统的射频前端采用额外的单刀双掷(Single
‑
Pole Double
‑
Throw,SPDT)开关作为收发开关，SPDT开关的插入损耗也会显著恶化发射效率。

技术实现思路

[0003]为了提高射频前端的回退效率，本专利技术提出一种基于G类功放架构的射频前端，用非对称的收发开关结构降低发射支路损耗本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.基于G类功放架构的射频前端，其特征在于，包括发射支路和接收支路，所述发射支路包括低侧功率管和高侧功率管，所述低侧功率管的漏极和所述高侧功率管的漏极通过隔直电容连接，所述低侧功率管漏极与地之间并联有输出寄生电容和中和电感；所述接收支路包括低噪声放大器，其栅极依次连接有LNA输入匹配网络和单刀单掷开关；所述发射支路和所述接收支路后连接有后匹配网络。2.根据权利要求1所述的射频前端，其特征在于，所述单刀单掷开关包括开关元件、集总参数π型网络和电阻，所述开关元件一端与所述LNA输入匹配网络连接，另一端接地；所述集总参数π型网络包括串联电感、第一电容和第二电容，所述串联电感两端分别连接第一电容和第二电容，所述高侧功率管的漏极与所述第二电容相连接，同时连接所述后匹配网络；所述电阻和所述集总参数π型网络中的第一电容均与所述开关元件并联。3.根据权利要求2所述的射频前端，其特征在于，所述第二电容被配置作为所述高侧功率管的输出寄生电容。4.根据权利要求2所述的射频前端，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕关胜，
申请(专利权)人：优镓科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：