一种晶圆清洗装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种晶圆清洗装置，其包括：壳体；支撑部，设置于壳体中并竖直支撑晶圆；清洗刷，水平设置于壳体中并能够绕轴线转动，以对晶圆进行刷洗；喷杆，设置于壳体中且其上配置有多个喷嘴和/或喷孔，以朝向晶圆表面供给清洗液；所述喷杆的喷嘴和/或喷孔喷射清洗液时，喷射方向与晶圆旋转方向相同的喷杆段的喷射流量大于喷射方向与晶圆旋转方向相反的喷杆段的喷射流量。的喷杆段的喷射流量。的喷杆段的喷射流量。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆清洗装置


[0001]本技术属于晶圆清洗
，具体而言，涉及一种晶圆清洗装置。

技术介绍

[0002]集成电路产业是信息技术产业的核心，在助推制造业向数字化、智能化转型升级的过程中发挥着关键作用。芯片是集成电路的载体，芯片制造涉及芯片设计、晶圆制造、晶圆加工、电性测量、切割封装和测试等工艺流程。其中，化学机械抛光属于晶圆制造工序，化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)是一种全局平坦化的超精密表面加工技术。
[0003]晶圆进行化学机械抛光后需要进行清洗、干燥等后处理。清洗的目的是为了避免微量离子和金属颗粒对半导体器件的污染，保障半导体器件的性能和合格率。晶圆清洗方式有：滚刷清洗、兆声清洗等，其中，滚刷清洗应用较为广泛。滚刷清洗中，晶圆设置于壳体的支撑滚轮，设置于晶圆两侧的滚刷(清洗刷)绕其轴线滚动以接触清洗移除晶圆表面的颗粒物。
[0004]滚刷清洗的关键是为晶圆表面合理供给清洗液。现有的清洗装置中配置供给管，供给管通过设置在外侧壁的喷嘴喷射清洗液。喷嘴的设置位移确定，其供本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗装置，其特征在于，包括：壳体；支撑部，设置于壳体中并竖直支撑晶圆；清洗刷，水平设置于壳体中并能够绕轴线转动，以对晶圆进行刷洗；喷杆，设置于壳体中且其上配置有多个喷嘴和/或喷孔，以朝向晶圆表面供给清洗液；所述喷杆的喷嘴和/或喷孔喷射清洗液时，喷射方向与晶圆旋转方向相同的喷杆段的喷射流量大于喷射方向与晶圆旋转方向相反的喷杆段的喷射流量。2.如权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述喷嘴和/或喷孔沿喷杆的长度方向间隔设置，清洗液自所述喷杆的端部进入并经由喷嘴和/或喷孔喷射。3.如权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述喷杆的中部位置为清洗液供给位置，所述喷嘴和/或喷孔设置于清洗液供给位置的两侧。4.如权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述喷嘴配置有独立的供给管路，其能够沿所述喷杆的长度方向移动，以调节清洗液的喷射位置。5.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵德文，李长坤，刘洪旺，
申请(专利权)人：华海清科股份有限公司，
类型：新型
国别省市：