本发明专利技术构思提供了一种基板处理设备。基板处理设备包括：处理容器，其具有处理空间；支撑单元，其被配置为在处理空间处支撑基板；液体供应单元，其用于将处理液体供应到由支撑单元支撑的基板，并且其中液体供应单元包括：用于排放处理液体的喷嘴构件；以及用于将喷嘴构件移动到待用位置和工艺位置的驱动构件，其中喷嘴构件包括：主体，在其内具有缓冲空间和被配置为排放处理液体的排放端口；以及旋转构件，其用于通过旋转使主体在第一状态和第二状态之间变化，并且其中第一状态是保持注入缓冲空间中的处理液体以使处理液体不流向排放端口的状态，而第二状态是注入缓冲空间中的处理液体通过排放端口排放到主体外部的状态。体通过排放端口排放到主体外部的状态。体通过排放端口排放到主体外部的状态。
【技术实现步骤摘要】
用于供应液体的单元、利用该单元处理基板的设备和方法
[0001]本文所述的专利技术构思的实施例涉及液体供应单元和具有该液体供应单元的基板处理设备和方法，更具体地，涉及用于通过供应液体来处理基板的基板处理设备和方法，以及其中使用的液体供应单元。
技术介绍
[0002]在半导体制造工艺中，执行诸如光刻工艺、蚀刻工艺、灰化工艺、薄膜沉积工艺和清洗工艺的各种工艺。在每个工艺之前或之后进行用于去除在执行每个工艺时产生的各种污染物的清洗工艺。通常，在清洗工艺中，残留在基板上的污染物通过使用例如化学剂或漂洗液的化学品(溶液)在基板上被去除。
[0003]在使用化学品的清洗工艺中，使用加热到预设温度或更高温度的化学品。在一个实施例中，如果使用诸如磷酸(P2O5)的化学品，则需要加热到200℃或更高的化学品。向基板上供应液体的设备具备例如过滤器的树脂部件。此外，可以包括泵和阀的液体供应装置的配置在耐热性能方面具有限制。因此，如果化学品在液体供应装置中被加热并被供应到基板上，则被加热的化学品会在诸如过滤器、耐热性弱的泵和设置在液体供应装置中的阀的树脂部件内部流动，从而造成损坏。
[0004]此外，支撑基板的支撑单元可以被加热以间接加热基板的底部以加热供应到基板上的化学品。然而，该方法是一种间接方法，其中化学品在高温状态下不排放到基板上，而是将化学品排放到基板上然后加热，从而降低了工艺性能。另外，该方法还存在供应到基板上的化学品量增加的问题。
技术实现思路
[0005]本专利技术构思的实施例提供了一种用于将处理液体有效地供应到基板上的液体供应单元，以及具有该液体供应单元的基板处理设备和基板处理方法。
[0006]本专利技术构思的实施例提供一种用于将处理液体的温度升高到目标温度并且将处理液体供应到基板上的液体供应单元，以及具有该液体供应单元的基板处理设备和基板处理方法。
[0007]本专利技术构思的实施例提供了一种用于有效控制处理液体的温度的液体供应单元，以及具有该液体供应单元的基板处理设备和基板处理方法。
[0008]本专利技术构思的实施例提供了一种用于有效去除在将处理液体的温度升高到目标温度的工艺中产生的蒸气压力的液体供应单元，以及具有该液体供应单元的基板处理设备和基板处理方法。
[0009]本专利技术构思的技术目的不限于上述那些，并且其他未提及的技术目的对于本领域技术人员来说将通过以下描述变得明显。
[0010]本专利技术构思提供了一种基板处理设备。基板处理设备包括：处理容器，其具有处理空间；支撑单元，其被配置为在处理空间处支撑基板；液体供应单元，其用于将处理液体供
应到由支撑单元支撑的基板，并且其中液体供应单元包括：用于排放处理液体的喷嘴构件；以及用于将喷嘴构件移动到待用位置和工艺位置的驱动构件，其中喷嘴构件包括：主体，在其内具有缓冲空间和被配置为排放处理液体的排放端口；以及旋转构件，其用于通过旋转使主体在第一状态和第二状态之间变化，并且其中第一状态是保持注入缓冲空间中的处理液体以使处理液体不流向排放端口的状态，而第二状态是注入缓冲空间中的处理液体通过排放端口排放到主体外部的状态。
[0011]在一个实施例中，缓冲空间的底表面包括倾斜部分，该倾斜部分沿远离排放端口的方向朝向地面向下倾斜。
[0012]在一个实施例中，缓冲空间的底表面还包括水平部分，水平部分从倾斜部分的顶端关于地面沿水平方向延伸。
[0013]在一个实施例中，喷嘴构件还包括：加热构件，其用于加热注入缓冲空间中的处理液体；以及排气构件，其用于排出缓冲空间的气氛。
[0014]在一个实施例中，液体供应单元包括：供应管，其用于将处理液体供应到缓冲空间；以及供应阀，其用于打开和关闭供应管。
[0015]在一个实施例中，主体以耐热性比供应阀更强的材料来提供。
[0016]在一个实施例中，基板处理设备还包括用于控制液体供应单元的控制器，并且其中控制器控制旋转构件以旋转主体，使得主体的倾斜度在第一状态和第二状态之间变化。
[0017]在一个实施例中，缓冲空间的底表面设置成在第一状态下关于地面倾斜。
[0018]在一个实施例中，缓冲空间的底表面设置成在第二状态下比第一状态的倾斜度更小地倾斜或者与地面平行。
[0019]在一个实施例中，注入缓冲空间中的处理液体作为单次排放量被提供到由支撑单元支撑的基板上。
[0020]本专利技术构思提供一种用于将处理液体供应到基板上的液体供应单元。液体供应单元包括用于排放处理液体的喷嘴构件；以及用于将喷嘴构件移动到待用位置和工艺位置的驱动构件，其中，喷嘴构件包括：主体，在其内具有缓冲空间和被配置成排放所述处理液体的排放端口；以及旋转构件，其用于通过旋转使主体在第一状态和第二状态之间变化，并且其中第一状态是保持注入缓冲空间中的处理液体以使处理液体不从排放端口流出的状态，而第二状态是注入缓冲空间中的处理液体通过排放端口排放到主体外部的状态。
[0021]在一个实施例中，所述缓冲空间的底表面包括：倾斜部分，所述倾斜部分沿远离所述排放端口的方向朝向地面向下倾斜；水平部分，其从倾斜部分的顶端关于地面沿水平方向延伸，并且其中，排放端口设置在水平部分处。
[0022]在一个实施例中，喷嘴构件还包括：加热构件，该加热构件配置成加热注入缓冲空间中的处理液体；以及排气构件，其用于排出缓冲空间的气氛。
[0023]在一个实施例中，液体供应单元还包括用于将处理液体供应到缓冲空间的供应管；以及用于打开和关闭供应管的供应阀。
[0024]在一个实施例中，主体以耐热性比供应阀更强的材料来提供。
[0025]在一个实施例中，缓冲空间的底表面设置成在第一状态下向地面倾斜，并且缓冲空间的底表面设置成在所述第二状态下比所述第一状态的倾斜度更小地倾斜或者与地面平行。
[0026]本专利技术构思提供了一种基板处理方法。基板处理方法包括：将处理液体供应到主体内的缓冲空间，并在喷嘴构件的主体处于第一状态的状态下使缓冲空间中的处理液体待用，将主体的位置改变到第二状态，并通过设置在主体处的排放端口排出缓冲空间中的处理液体，其中第一状态是保持注入缓冲空间中的处理液体不流向所述排放端口的状态，而第二状态是注入缓冲空间中的处理液体通过排放端口排出到主体外部的状态。
[0027]在一个实施例中，在将基板装载到支撑单元上之前，喷嘴构件位于待用位置，并且如果基板被装载在支撑单元上则喷嘴构件从待用位置移动到工艺位置，而在待用位置处将处理液体供应至缓冲空间。
[0028]在一个实施例中，供应到缓冲空间的处理液体的量是排放到基板上的单次排放量。
[0029]根据本专利技术构思的实施例，可以将处理液体有效地供应到基板上。
[0030]根据本专利技术构思的实施例，可以将处理液体的温度升高到目标温度并且可以将处理液体供应到基板上。
[0031]根据本专利技术构思的实施例，可以有效地控制处理液体的温度。
[0032]根据本专利技术构思的实施例，可以有效地去除本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基板处理设备，包括：处理容器，其具有处理空间；支撑单元，其被配置为在所述处理空间处支撑基板；以及液体供应单元，其用于将处理液体供应到由所述支撑单元支撑的基板，并且其中，所述液体供应单元包括：喷嘴构件，其用于排放所述处理液体；和驱动构件，其用于将所述喷嘴构件移动到待用位置和工艺位置，并且其中，所述喷嘴构件包括：主体，在所述主体内具有缓冲空间，且所述主体具有被配置成排放所述处理液体的排放端口；以及旋转构件，其用于通过旋转使所述主体在第一状态和第二状态之间变化，并且其中，所述第一状态是保持注入所述缓冲空间中的处理液体以使所述处理液体不流向所述排放端口的状态，并且所述第二状态是注入所述缓冲空间中的所述处理液体通过所述排放端口排放到所述主体外部的状态。2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述缓冲空间的底表面包括倾斜部分，所述倾斜部分在远离所述排放端口的方向上朝向地面向下倾斜。3.根据权利要求2所述的基板处理设备，其中，所述缓冲空间的所述底表面还包括水平部分，所述水平部分从所述倾斜部分的顶端关于地面沿水平方向延伸。4.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述喷嘴构件还包括：加热构件，其用于加热注入所述缓冲空间中的所述处理液体；以及排气构件，其用于排出所述缓冲空间的气氛。5.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述液体供应单元包括：供应管，其用于将所述处理液体供应至所述缓冲空间；以及供应阀，其用于打开和关闭所述供应管。6.根据权利要求5所述的基板处理设备，其中，所述主体以耐热性比所述供应阀更强的材料来提供。7.根据权利要求2至6中任一项所述的基板处理设备，还包括用于控制所述液体供应单元的控制器，并且其中，所述控制器控制所述旋转构件以旋转所述主体，使得所述主体的倾斜度在所述第一状态和所述第二状态之间变化。8.根据权利要求7所述的基板处理设备，其中，所述缓冲空间的所述底表面设置成在所述第一状态下关于地面倾斜。9.根据权利要求8所述的基板处理设备，其中，所述缓冲空间的所述底表面设置成在所述第二状态下比所述第一状态的倾斜度更小地倾斜或者与地面平行。10.如权利要求9所述的基板处理设备，其中，注入所述缓冲空间中的所述处理液体作为单次排放量被提供到由所述支撑单元支撑的所述基板上。11.一种用于将处理液体供应到基板上的液体供应单元，包括：喷嘴构件，其用于排放所述处理液体；以及
驱动构件，其用于将所述喷嘴构件移动到待用位置和工艺位置，并且其中，所述喷嘴构件包括：主体，在所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔气勋，韩泳遵，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：
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