本实用新型专利技术公开了一种晶圆磨削工作台和晶圆磨削装置，所述晶圆磨削工作台包括：旋转组件；安装座，其设置于旋转组件的上方；陶瓷吸盘，其设置于所述安装座的上方，用于吸附待加工的晶圆；导液轴，其设置于旋转组件的内部并连接于所述安装座的下部；所述安装座的内部配置有导液管路，其顶面配置有循环槽，所述导液管路与循环槽相连通；所述导液轴与所述导液管路相连通，冷却液经由导液轴、导液管路传输至所述陶瓷吸盘的底部，并且，冷却液自所述安装座的边缘进入所述循环槽。座的边缘进入所述循环槽。座的边缘进入所述循环槽。
【技术实现步骤摘要】
一种晶圆磨削工作台和晶圆磨削装置
[0001]本技术属于晶圆磨削
，具体而言，涉及一种晶圆磨削工作台和晶圆磨削装置。
技术介绍
[0002]半导体行业中，通常在晶圆表面形成有电子电路以制造半导体芯片。晶圆在被分割为半导体芯片之前，通过磨削加工装置来磨削形成有电子电路的器件面的相反侧的背面，从而将晶圆磨削至预定的厚度。晶圆背面的磨削能够减小芯片封装体积，降低封装贴装高度，改善芯片的热扩散效率、电气性能和机械性能，从而减轻芯片的加工量。
[0003]晶圆磨削时，由磨削模块中的主轴带动砂轮旋转，以磨削吸附在磨削工作台的晶圆，实现对晶圆整体的减薄和平坦化。磨削主轴转速通常在1000
‑
4000r/min，晶圆的转速在500
‑
1000r/min，磨削主轴和晶圆同向旋转，且砂轮边缘经过晶圆的圆心。
[0004]磨削加工时，砂轮和晶圆间会有非常高的相对滑动速度，越靠近晶圆边缘处，相对滑动的速度越高，摩擦生的热量越多。经仿真测算晶圆磨削位置的局部温度可达900
‑
1000℃。过高的温度会损坏晶圆及其上的器件，影响晶圆加工的品质；此外，磨削位置的高温也会对磨削工作台吸附的可靠性产生不利影响。
技术实现思路
[0005]本技术实施例提供了一种晶圆磨削工作台和晶圆磨削装置，旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。
[0006]本技术实施例的第一方面提供了一种晶圆磨削工作台，包括：
[0007]旋转组件；
[0008]安装座，其设置于旋转组件的上方；
[0009]陶瓷吸盘，其设置于所述安装座的上方，用于吸附待加工的晶圆；
[0010]导液轴，其设置于旋转组件的内部并连接于所述安装座的下部；
[0011]所述安装座的内部配置有导液管路，其顶面配置有循环槽，所述导液管路与循环槽相连通；所述导液轴与所述导液管路相连通，冷却液经由导液轴、导液管路传输至所述陶瓷吸盘的底部，并且，冷却液自所述安装座的边缘进入所述循环槽。
[0012]在一些实施例中，所述安装座的中心配置有贯通孔，所述导液轴通过贯通孔连接于所述安装座。
[0013]在一些实施例中，所述导液轴的外周侧配置有连通孔，连通孔与所述导液管路相对设置；所述贯通孔的内侧壁配置有环形槽，所述环形槽与所述连通孔相对设置。
[0014]在一些实施例中，所述导液轴的内部配置有沿长度方向设置的进液孔道和出液孔道，所述进液孔道和出液孔道与所述连通孔相连通。
[0015]在一些实施例中，自所述安装座的边缘进入循环槽的冷却液朝向安装座的中心传输，并经由所述导液轴的出液孔道排出。
[0016]在一些实施例中，所述进液孔道和出液孔道的数量至少一个。
[0017]在一些实施例中，所述循环槽以盘绕曲线的形式设置于所述安装座的顶面。
[0018]在一些实施例中，所述循环槽的截面形状为矩形或半圆形。
[0019]在一些实施例中，相邻循环槽的间距为5
‑
10mm。
[0020]本技术实施例的第二方面提供了一种晶圆磨削工作台，其包括：
[0021]旋转组件；
[0022]安装座，其设置于旋转组件的上方；
[0023]陶瓷吸盘，其设置于所述安装座的上方，所述陶瓷吸盘包括固定座和吸附部，所述吸附部设置于固定座的上方，以吸附待加工的晶圆；
[0024]导液轴，其设置于旋转组件的内部并连接于安装座的下部；
[0025]所述固定座的内部配置有吸盘导液管路，其顶面配置有吸盘循环槽，所述吸盘循环槽与吸盘导液管路相连通；所述导液轴的进液孔道和出液孔道与吸盘导液管路相连通，冷却液经由导液轴、吸盘导液管路传输至所述固定座的吸盘循环槽，并且，冷却液自所述固定座的边缘进入所述吸盘循环槽。
[0026]本技术实施例的第三方面提供了一种晶圆磨削装置，其包括：
[0027]上面所述的晶圆磨削工作台；
[0028]和磨削模块，其设置于晶圆磨削工作台上方，用于使砂轮抵接于晶圆板以对晶圆进行磨削处理。
[0029]本技术的有益效果包括：
[0030]a.在安装座的内部配置导液管路，在安装座的上表面配置循环槽，以将冷却液经由导液轴传输至陶瓷吸盘的底部，以控制陶瓷吸盘及其上的晶圆的温度，降低陶瓷吸盘过热引起的不均匀形变对晶圆磨削质量的影响；
[0031]b.在陶瓷吸盘的内部配置吸盘导液管路，在固定座的顶面配置吸盘循环槽，以通过冷却液对吸附部进行冷却，控制吸附部及其上的晶圆的温度；
[0032]c.将冷却液自安装座的边缘输送至循环槽中，以充分对晶圆磨削工作台的边缘进行冷却，减少和控制陶瓷吸盘边缘过热引起的不均匀变形。
附图说明
[0033]通过结合以下附图所作的详细描述，本技术的优点将变得更清楚和更容易理解，这些附图只是示意性的，并不限制本技术的保护范围，其中：
[0034]图1是本技术一实施例提供的晶圆磨削工作台的示意图；
[0035]图2是图1中A处的局部放大图；
[0036]图3是本技术一实施例提供的配置有导液轴的安装座的俯视图；
[0037]图4是本技术另一实施例提供的安装座的俯视图；
[0038]图5是本技术再一实施例提供的安装座的俯视图；
[0039]图6是本技术另一实施例提供的一种晶圆磨削工作台的示意图；
[0040]图7是图6中陶瓷吸盘的剖视图；
[0041]图8是本技术一实施例提供的晶圆磨削装置的示意图。
具体实施方式
[0042]下面结合具体实施例及其附图，对本技术所述技术方案进行详细说明。在此记载的实施例为本技术的特定的具体实施方式，用于说明本技术的构思；这些说明均是解释性和示例性的，不应理解为对本技术实施方式及本技术保护范围的限制。除在此记载的实施例外，本领域技术人员还能够基于本申请权利要求书及其说明书所公开的内容采用显而易见的其它技术方案，这些技术方案包括采用对在此记载的实施例的做出任何显而易见的替换和修改的技术方案。
[0043]本说明书的附图为示意图，辅助说明本技术的构思，示意性地表示各部分的形状及其相互关系。应当理解的是，为了便于清楚地表现出本技术实施例的各部件的结构，各附图之间并未按照相同的比例绘制，相同的参考标记用于表示附图中相同的部分。
[0044]在本技术中，“化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)”也称为“化学机械平坦化(Chemical Mechanical Planarization,CMP)”，晶圆(Wafer,W)也称基板(Substrate)，其含义和实际作用等同。
[0045]图1是本技术一实施例提供的晶圆磨削工作台100的示意图，一种晶圆磨削工作台100包括：
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆磨削工作台，其特征在于，包括：旋转组件；安装座，其设置于旋转组件的上方；陶瓷吸盘，其设置于所述安装座的上方，用于吸附待加工的晶圆；导液轴，其设置于旋转组件的内部并连接于所述安装座的下部；所述安装座的内部配置有导液管路，其顶面配置有循环槽，所述导液管路与循环槽相连通；所述导液轴与所述导液管路相连通，冷却液经由导液轴、导液管路传输至所述陶瓷吸盘的底部，并且，冷却液自所述安装座的边缘进入所述循环槽。2.如权利要求1所述的晶圆磨削工作台，其特征在于，所述安装座的中心配置有贯通孔，所述导液轴通过贯通孔连接于所述安装座。3.如权利要求2所述的晶圆磨削工作台，其特征在于，所述导液轴的外周侧配置有连通孔，连通孔与所述导液管路相对设置；所述贯通孔的内侧壁配置有环形槽，所述环形槽与所述连通孔相对设置。4.如权利要求3所述的晶圆磨削工作台，其特征在于，所述导液轴的内部配置有沿长度方向设置的进液孔道和出液孔道，所述进液孔道和出液孔道与所述连通孔相连通。5.如权利要求4所述的晶圆磨削工作台，其特征在于，自所述安装座的边缘进入循环槽的冷却液朝向安装座的中心传输，并经由所述导液轴的出液孔道排出。6.如权利要求4所述的晶圆磨削工作台，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：付永旭，刘远航，王江涛，赵德文，路新春，
申请(专利权)人：华海清科股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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