有机发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了有机发光装置。一种有机发光装置，包括含有基于富勒烯材料的缓冲层和掺杂有基于富勒烯材料的空穴注入层和／或空穴传输层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种有机发光装置(OLED)，更具体地说，涉及包括基于富勒烯的材料或掺杂有基于富勒烯材料的层的一种OLED。
技术介绍
图1是常规的OLED的截面视图。参见图1，常规的OLED 100通常包括阳极110、有机层120和阴极130。阳极110布置在基板10上。基板10可以具有至少一个薄膜晶体管(未显示)与阳极110相连接。有机层120布置在阳极110上并包括有机发光层123。有机层120可以具有多个构成层，但是通常包括空穴注入层121，空穴传输层122，有机发光层123，电子传输层124和电子注入层125。阴极130安置在有机层120上。当在阳极110和阴极130之间施加电压时，空穴从阳极110注入到空穴注入层121。注入的空穴通过空穴传输层122传输到有机发光层123。同样，电子从阴极130注入到电子注入层125，然后通过电子传输层124传输到有机发光层123。空穴和电子在有机发光层123中结合产生激子，然后激子从其激发态跃迁到基态而发光。空穴传输层122应该促进空穴注入并具有良好的空穴传输性质。空穴传输层122还可以阻挡电子的传输并具有高的玻璃化转变温度(Tg)从而在即使温度变化时也保持稳定性。为延长OLED的寿命(寿命是OLED的最大缺点)，必需防止氧、离子或小分子从空穴传输层122扩散。因此，需要形成具有高玻璃化转变温度(Tg)的致密的薄膜，从而最小化由于空穴传输层造成的寿命的衰退。通过改进空穴传输层122延长OLED的寿命的这些方法的例子包括在空穴传输层122掺杂荧光发光体，以及在空穴传输层122和有机发光层123掺杂荧光发光体。
技术实现思路
在本专利技术的一个实施方式中，一种有机发光装置(OLED)由于平稳的空穴注入和调节的电子注入具有增加的寿命和改良的电流注入性质。在本专利技术的另一个实施方式中，一种OLED的制造方法在不降低效率的情况下降低了驱动电压并增加了寿命。根据本专利技术的一个实施方式，OLED包括基板、形成在基板上的阳极、形成在阳极上的包括基于富勒烯材料的缓冲层、形成在缓冲层上的至少包括有机发光层的有机层和形成在有机层上的阴极。在另一个实施方式中，OLED包括基板、形成在基板上的阳极、形成在阳极上的包括基于富勒烯材料的缓冲层、形成在缓冲层上的并掺杂有基于富勒烯材料的空穴注入层和空穴传输层中的至少一个、形成在空穴注入层和空穴传输层中的至少一个上的有机发光层和形成在有机发光层上的阴极。基于富勒烯的材料可以选自由C60、C70、C76、C78、C82、C84、C90、C94和C96所组成的组中。缓冲层厚度的范围为约1到约5nm。在一个实施方式中，缓冲层的厚度为约5nm。空穴注入层或空穴传输层可以包括多层。空穴注入层可以包括选自由CuPc(酞菁铜)、4，4′，4″-三(N-(1-萘基)-N-苯基-胺基)-三苯胺(TNATA)、4，4′，4″-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、1，3，5-三(N，N-二-(4，5-甲氧苯基)-胺基苯基)苯、4，4′，4″-三(N，N-二苯基-胺基)-三苯胺(TDATA)、聚苯胺(PANI)和聚3，4-乙撑二氧噻吩(PEDOT)所组成的组中的材料。空穴注入层可以以约1wt％到约30wt％的浓度掺杂基于富勒烯的材料。空穴传输层可以包括选自由N，N′-二萘基-N，N′-二苯基联苯胺(NPD)、N，N′-二(3-甲基苯基)-N，N′-二-(苯基)-联苯胺(TPD)、2，2′，7，7′-二苯基-胺基螺-9，9′-联芴(s-TAD)、4，4′，4″-三(N-(3-甲基苯基-N-苯基胺基)三苯胺(MTDATA)和聚N-乙烯基咔唑(PVK)所组成的组中的材料。空穴传输层可以以约2wt％或更少的浓度掺杂基于富勒烯的材料。在一个实施方式中，空穴传输层以约2wt％的浓度掺杂基于富勒烯的材料。空穴传输层的空穴传输材料的最低未占具分子轨道(LUMO)的能量可以比基于富勒烯的材料的LUMO能量低。OLED可以进一步包括空穴阻挡层、电子传输层和/或电子注入层。缓冲层可以通过蒸镀方法形成，掺杂有基于富勒烯材料的空穴注入层和/或空穴传输层可以通过蒸镀、旋涂或喷墨打印的方法形成。有机发光层可以包括三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)，并具有约20到约30nm范围的厚度。在一个实施方式中，有机发光层的厚度为约25nm。阴极可以包括LiF和Al，并具有约250到约350nm范围的厚度。在一个实施方式中，阴极的厚度为约300nm。附图说明通过参考结合附图的详细描述，本专利技术的上述特征和优点将被更好地理解，其中图1是现有技术的有机发光装置(OLED)的截面视图。图2是根据本专利技术的一个实施方式的OLED的截面视图。具体实施例方式现在参考附图描述本专利技术，其中显示示例性的实施方式。但是，应当理解，提供附图仅仅是为了说明性的目的，而不是用来限制本专利技术。本说明书中相同的标记表示相同的元件。图2是根据本专利技术的一个实施方式的OLED的横截面视图。参见图2，OLED200包括形成在基板20上的阳极210、有机层220、阴极230和位于阳极210和有机层220之间的缓冲层240。基板20可以包括至少一个薄膜晶体管(未显示)与阳极210相连接。阳极210可以是透明的或者反射的。如果阳极210是透明的，它可以包括氧化铟锡(ITO)层、氧化铟锌(IZO)层、氧化锡(TO)层或氧化锌(ZnO)层。如果阳极210是反射的，它可以包括银层、铝层、镍层、铂层、钯层、含有银、铝、镍、铂或钯合金的金属合金层或具有层叠在金属合金层上的诸如ITO、IZO、TO或ZnO的透明氧化物层的金属合金层。阳极210可以通过溅镀、气相沉积如蒸镀、离子束沉积、电子束沉积或激光烧蚀形成。缓冲层240布置在阳极210上。缓冲层240包括基于富勒烯的材料。富勒烯是由象足球接缝一样连接在一起形成所谓巴基球(buckyball)形状的碳原子组成的自然存在的有机材料。富勒烯材料坚硬而且光滑并能限制很小的材料。富勒烯材料也能打开，允许插入另一种材料，而且富勒烯材料可以象管道一样相互连接在一起。基于富勒烯的材料可以包括选自由C60、C70、C76、C78、C82、C84、C90、C94和C96所组成的组中的材料。C60包括60个碳原子，具有足球形的结构。基于富勒烯的材料充当强电子受体并促进空穴向空穴注入层221传输，正如随后将要参照隧道效应和p-掺杂效应解释的一样。如果包括基于富勒烯材料的缓冲层240具有超过5nm的厚度，它起绝缘层的作用并引起驱动电压升高。但是，如果缓冲层240的厚度小于1nm，则不能充分增强空穴传输。因此，缓冲层240的厚度范围为约1到约5nm，以降低驱动电压。在一个实施方式中，缓冲层240的厚度为约5nm。缓冲层240可以通过蒸镀形成。有机层220布置在缓冲层240上。有机层220至少包括有机发光层223。在本专利技术的一个示例性实施方式中，如图2所示，有机层220具有空穴注入层221、空穴传输层222、有机发光层223、电子传输层224和电子注入层225。但是，本专利技术不限于图示的实施方式，而可以采用不同的结构，例如去除包括空穴注入层221、空穴传输层222、电子传输层224和电子注入层225的某些层。也可以通过提供多层形成替代的结构。空穴本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光装置，包括：基板；形成在基板上的阳极；形成在阳极上的、包括基于富勒烯材料的缓冲层；形成在缓冲层上的包括有机发光层的有机层；和形成在该有机层上的阴极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李俊烨，千民承，
申请(专利权)人：三星移动显示器株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]