提供了一种微型发光二极管的转移装置及转移方法，属于显示技术领域。其中，该转移装置包括转移头结构，该转移头结构包括转移头基体和开设于转移头基体上间隔设置的多个容纳槽，且每个容纳槽包括相互连通并用于分别容纳微型发光二极管和夹持部件的两个容纳槽。因其中容纳的夹持部件可以受温度影响处于初始形态和延伸形态等两个形态，以通过机械方式夹持或是不夹持微型发光二极管，故可以选择性的将微型发光二极管精确转移至显示产品包括的基板上的指定位置，转移灵活性较高，且转移精度较好。好。好。
【技术实现步骤摘要】
微型发光二极管的转移装置及转移方法
[0001]本公开涉及显示
，特别涉及一种微型发光二极管的转移装置及转移方法。
技术介绍
[0002]微型发光二极管(micro light
‑
emitting diode，Micro LED)是一种尺寸单位为微米级的发光元件，具有亮度高、体积小和功耗低等优点。
[0003]正是受Micro
‑
LED尺寸较小的影响，需要一种区别于传统多次取放(pick&place)的巨量转移方式实现Micro
‑
LED的批量移送。目前，一般采用包含弹性印章的转移头粘附抓取多个Micro
‑
LED，并将抓取的Micro
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LED转移到衬底上进行释放来完成巨量转移；或采用激光作为驱动实现Micro
‑
LED的巨量转移。
[0004]但是，目前的巨量转移方式的转移精度均较低，无法可靠将Micro
‑
LED转移至基板上的指定位置。
技术实现思路
[0005]提供了一种微型发光二极管的转移装置及转移方法，可以解决相关技术中巨量转移方式的转移精度均较低，无法可靠将Micro
‑
LED转移至基板上的指定位置的问题，所述技术方案如下：
[0006]一方面，提供了一种微型发光二极管的转移装置，所述转移装置包括：
[0007]转移头结构；
[0008]所述转移头结构包括：转移头基体，以及开设于所述转移头基体上且相互间隔的多个容纳槽；
[0009]每个所述容纳槽包括：相互连通的第一容纳槽和第二容纳槽；
[0010]其中，所述第一容纳槽用于容纳微型发光二极管，所述第二容纳槽用于容纳夹持部件；并且，所述夹持部件用于在升温后由初始形态形变为延伸形态，且在降温后由所述延伸形态恢复为所述初始形态；在所述延伸形态下，所述夹持部件与所述第一容纳槽中容纳的微型发光二极管相互接触，以将所述微型发光二极管夹持于所述第一容纳槽内，以及，在所述初始形态下，所述夹持部件与所述第一容纳槽中容纳的微型发光二极管相互间隔。
[0011]可选的，所述第一容纳槽的长度大于所述第二容纳槽的长度，且所述第一容纳槽的宽度大于所述第二容纳槽的宽度；
[0012]其中，长度方向平行于所述转移头基体，宽度方向垂直于所述转移头基体。
[0013]可选的，所述第一容纳槽的形状与所容纳的微型发光二极管的形状相匹配，且所述第二容纳槽中容纳的夹持部件的形状与所述第二容纳槽的形状相匹配。
[0014]可选的，所述第二容纳槽中容纳的夹持部件的材料包括：形状记忆高分子材料，且所述第二容纳槽中容纳的夹持部件呈空心网状结构。
[0015]可选的，所述转移头基体的材料包括：石英玻璃，或不锈钢。
[0016]可选的，所述转移装置还包括：转移设备、加热设备和降温设备；
[0017]所述转移设备与所述转移头结构连接，所述转移设备用于控制所述转移头结构的移动；
[0018]所述加热设备用于对所述转移头结构进行加热处理；
[0019]所述降温设备用于对所述转移头结构进行降温处理。
[0020]另一方面，提供了一种微型发光二极管的转移方法，应用于如上述一方面所述的转移装置中；所述转移方法包括：
[0021]在转移头结构中，转移头基体的第二容纳槽内形成夹持部件，所述夹持部件处于初始形态，与所述第一容纳槽中容纳的微型发光二极管相互间隔；
[0022]将临时基板上的微型发光二极管容纳于所述转移头基体的第一容纳槽内；
[0023]对具有夹持部件的转移头结构进行加热处理，使得所述夹持部件由初始形态形变为延伸形态，与所述第一容纳槽中容纳的微型发光二极管相互接触，以将所述微型发光二极管夹持于所述第一容纳槽内；
[0024]将采用夹持部件夹持微型发光二极管的转移头结构由所述临时基板一侧移动至目标基板一侧，使得所述微型发光二极管转移至所述目标基板上；
[0025]对采用夹持部件夹持微型发光二极管的转移头结构进行降温处理，使得所述夹持部件由所述延伸形态恢复为所述初始形态，释放所述微型发光二极管。
[0026]可选的，所述在转移头结构中，转移头基体的第二容纳槽内形成夹持部件，包括：
[0027]通过三维打印技术或四维打印技术，在转移头结构中，转移头基体的第二容纳槽内打印形状记忆高分子材料，形成呈空心网状的夹持部件。
[0028]可选的，所述在转移头结构中，转移头基体的第二容纳槽内形成夹持部件，包括：
[0029]在转移头结构中，转移头基体包括的多个第二容纳槽的目标容纳槽内形成夹持部件；
[0030]其中，所述目标容纳槽包括：所连通的第一容纳槽中容纳无缺陷的微型发光二极管的第二容纳槽；或，所述目标基板中与所连通的第一容纳槽的对应位置处无需设置微型发光二极管的第二容纳槽。
[0031]可选的，所述对具有夹持部件的转移头结构进行加热处理，包括：
[0032]采用所述转移装置包括的加热设备对具有夹持部件的转移头结构进行加热处理；
[0033]所述将采用夹持部件夹持微型发光二极管的转移头结构由所述临时基板一侧移动至目标基板一侧，包括：
[0034]采用所述转移装置包括的转移设备将采用夹持部件夹持微型发光二极管的转移头结构由所述临时基板一侧移动至目标基板一侧；
[0035]所述对采用夹持部件夹持微型发光二极管的转移头结构进行降温处理，包括：
[0036]采用所述转移装置包括的降温设备对采用夹持部件夹持微型发光二极管的转移头结构进行降温处理。
[0037]综上所述，本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少可以包括：
[0038]提供了一种微型发光二极管的转移装置及转移方法。其中，该转移装置包括转移头结构，该转移头结构包括转移头基体和开设于转移头基体上间隔设置的多个容纳槽，且每个容纳槽包括相互连通并用于分别容纳微型发光二极管和夹持部件的两个容纳槽。因其
中容纳的夹持部件可以受温度影响处于初始形态和延伸形态等两个形态，以通过机械方式夹持或是不夹持微型发光二极管，故可以选择性的将微型发光二极管精确转移至显示产品包括的基板上的指定位置，转移灵活性较高，且转移精度较好。
附图说明
[0039]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0040]图1是本公开实施例提供的一种转移装置中转移头结构的俯视图；
[0041]图2是图1所示结构在aa'方向上的截面图；
[0042]图3是本公开实施例提供的一种转移流程示意图；
[0043]图4是本公开实施例提供的另一种转移装置的结构本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种微型发光二极管的转移装置，其特征在于，所述转移装置包括：转移头结构(1)；所述转移头结构(1)包括：转移头基体(10)，以及开设于所述转移头基体(10)上且相互间隔的多个容纳槽(20)；每个所述容纳槽(20)包括：相互连通的第一容纳槽(201)和第二容纳槽(202)；其中，所述第一容纳槽(201)用于容纳微型发光二极管(L1)，所述第二容纳槽(202)用于容纳夹持部件(B1)；并且，所述夹持部件(B1)用于在升温后由初始形态形变为延伸形态，且在降温后由所述延伸形态恢复为所述初始形态；在所述延伸形态下，所述夹持部件(B1)与所述第一容纳槽(201)中容纳的微型发光二极管(L1)相互接触，以将所述微型发光二极管(L1)夹持于所述第一容纳槽(201)内，以及，在所述初始形态下，所述夹持部件(B1)与所述第一容纳槽(201)中容纳的微型发光二极管(L1)相互间隔。2.根据权利要求1所述的转移装置，其特征在于，所述第一容纳槽(201)的长度(d1)大于所述第二容纳槽(202)的长度(d2)，且所述第一容纳槽(201)的宽度(d3)大于所述第二容纳槽(202)的宽度(d4)；其中，长度方向平行于所述转移头基体(10)，宽度方向垂直于所述转移头基体(10)。3.根据权利要求1所述的转移装置，其特征在于，所述第一容纳槽(201)的形状与所容纳的微型发光二极管(L1)的形状相匹配，且所述第二容纳槽(202)中容纳的夹持部件(B1)的形状与所述第二容纳槽(202)的形状相匹配。4.根据权利要求1至3任一所述的转移装置，其特征在于，所述第二容纳槽(202)中容纳的夹持部件(B1)的材料包括：形状记忆高分子材料，且所述第二容纳槽(202)中容纳的夹持部件(B1)呈空心网状结构。5.根据权利要求1至3任一所述的转移装置，其特征在于，所述转移头基体(10)的材料包括：石英玻璃，或不锈钢。6.根据权利要求1至3任一所述的转移装置，其特征在于，所述转移装置还包括：转移设备(2)、加热设备(3)和降温设备(4)；所述转移设备(2)与所述转移头结构(1)连接，所述转移设备(2)用于控制所述转移头结构(1)的移动；所述加热设备(3)用于对所述转移头结构(1)进行加热处理；所述降温设备(4)用于对所述转移...
【专利技术属性】
技术研发人员：李梦萍，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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