一种图形化复合衬底、制备方法及LED外延片技术

本发明专利技术实施例公开了一种图形化复合衬底、制备方法及LED外延片，该图形化复合衬底的制备方法包括：提供图形化衬底，并在所述图形化衬底的表面形成光刻胶层；采用平面软膜对所述光刻胶层进行压印，以使所述第一光刻胶部的厚度小于所述第二光刻胶部的厚度；去除部分所述第一光刻胶部；在裸露出的所述图形结构的至少顶部区域形成至少一层第一异质层；去除剩余所述光刻胶层，并保留所述图形结构上的所述第一异质层，形成复合图形结构。本发明专利技术实施例采用平面软膜压印技术制备图形化复合衬底，实现了图形化复合衬底简单、高效且稳定地制备，利用该图形化复合衬底制备LED，能够有效提高图形化复合衬底对LED的光提取率，以及有效提高芯片的亮度。片的亮度。片的亮度。

【技术实现步骤摘要】
一种图形化复合衬底、制备方法及LED外延片


[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造
，尤其涉及一种图形化复合衬底、制备方法及LED外延片。

技术介绍

[0002]复合图形的制备过程通常用到曝光机多次对准技术，但由于图形化衬底的特殊性，多次对准技术并不适用，且对准过程中相对图形对中性会存在误差，针对一些特殊形态图形工艺复杂、成本较高。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种图形化复合衬底、制备方法及LED外延片，以采用平面软膜压印技术制备图形化复合衬底，实现图形化复合衬底简单、高效且稳定地制备。
[0004]第一方面，本专利技术实施例提供了一种图形化复合衬底的制备方法，包括：
[0005]提供图形化衬底，并在所述图形化衬底的表面形成光刻胶层；其中，所述图形化衬底包括基底和位于所述基底一侧表面上的多个图形结构；所述光刻胶层包括第一光刻胶部和第二光刻胶部，所述第一光刻胶部覆盖所述图形结构的至少部分表面，所述第二光刻胶部至少部分填充所述图形结构之间的间隙；
[0006]采用平面软膜对所述光刻胶层进行压印，以使所述第一光刻胶部的厚度小于所述第二光刻胶部的厚度；其中，所述平面软膜的硬度大于所述光刻胶层的硬度，小于所述图形化衬底的硬度；
[0007]去除部分所述第一光刻胶部；
[0008]在裸露出的所述图形结构的至少顶部区域形成至少一层第一异质层；
[0009]去除剩余所述光刻胶层，并保留所述图形结构上的所述第一异质层，形成复合图形结构；在垂直基底所在平面的方向上，所述第一异质层的底部与所述基底的表面具有间隙。
[0010]可选地，在所述图形化衬底的表面形成光刻胶层，包括：
[0011]在所述图形化衬底表面形成厚度为所述图形结构高度0.2
‑
2倍的光刻胶层。
[0012]可选地，去除部分所述第一光刻胶部，包括：
[0013]采用电感耦合等离子刻蚀或光刻胶溶胶工艺，减薄所述光刻胶层，直至去除部分所述第一光刻胶部。
[0014]可选地，所述平面软膜采用硅胶或凝胶制备。
[0015]可选地，所述至少一层第一异质层包括反射层和保护层，所述保护层位于所述反射层远离所述图形结构的一侧。
[0016]可选地，去除剩余所述光刻胶层，包括：
[0017]在丙酮中浸泡所述图形化衬底直至去除所述光刻胶层。
[0018]可选地，去除剩余所述光刻胶层，并保留所述图形结构上的所述第一异质层，形成
复合图形结构之后，还包括：
[0019]采用上述相同工艺步骤，在所述复合图形结构上形成至少一层第二异质层，所述至少一层第二异质层至少覆盖所述至少一层第一异质层的顶部区域；在垂直基底所在平面的方向上，所述第二异质层的底部与所述基底的表面具有间隙，且所述第二异质层的底部与所述第一异质层的底部不平齐。
[0020]第二方面，本专利技术实施例还提供了一种图形化复合衬底，包括：
[0021]基底；
[0022]位于所述基底一侧表面上的多个复合图形结构；
[0023]其中，所述复合图形结构包括图形结构和至少一层第一异质层，所述至少一层第一异质层至少覆盖所述图形结构的顶部区域；在垂直基底所在平面的方向上，所述第一异质层的底部与所述基底的表面具有间隙。
[0024]可选地，所述复合图形结构还包括至少一层第二异质层，所述至少一层第二异质层至少覆盖所述至少一层第一异质层的顶部区域；在垂直基底所在平面的方向上，所述第二异质层的底部与所述基底的表面具有间隙，且所述第二异质层的底部与所述第一异质层的底部不平齐。
[0025]可选地，所述图形结构包括锥体、台状体、柱体、长方体。
[0026]第三方面，本专利技术实施例还提供了一种LED外延片，包括如第二方面任一项所述的图形化复合衬底。
[0027]本专利技术实施例提供了一种图形化复合衬底、制备方法及LED外延片，该图形化复合衬底的制备方法包括：提供图形化衬底，并在所述图形化衬底的表面形成光刻胶层；采用平面软膜对所述光刻胶层进行压印，以使所述第一光刻胶部的厚度小于所述第二光刻胶部的厚度；去除部分所述第一光刻胶部；在裸露出的所述图形结构的至少顶部区域形成至少一层第一异质层；去除剩余所述光刻胶层，并保留所述图形结构上的所述第一异质层，形成复合图形结构。本专利技术实施例采用平面软膜压印技术制备图形化复合衬底，为图形化复合衬底的复杂多元化结构设计提供了新的技术方法，实现了图形化复合衬底简单、高效且稳定地制备，利用该图形化复合衬底制备LED，能够有效提高图形化复合衬底对LED的光提取率，以及有效提高芯片的亮度。
附图说明
[0028]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0029]图1是本专利技术实施例提供的一种图形化复合衬底的制备方法的流程示意图；
[0030]图2是图1所示的图形化复合衬底的制备方法的结构流程图；
[0031]图3是本专利技术实施例提供的一种图形化复合衬底；
[0032]图4是本专利技术实施例提供的另一种图形化复合衬底的制备方法的流程示意图；
[0033]图5是图4所示的图形化复合衬底的制备方法的结构流程图；
[0034]图6是本专利技术实施例提供的另一种图形化复合衬底；
[0035]图7是本专利技术实施例提供的一种LED外延片的结构示意图。
具体实施方式
[0036]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。
[0037]在本专利技术实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本专利技术。需要注意的是，本专利技术实施例所描述的“上”、“下”、“左”、“右”等方位词是以附图所示的角度来进行描述的，不应理解为对本专利技术实施例的限定。此外在上下文中，还需要理解的是，当提到一个元件被形成在另一个元件“上”或“下”时，其不仅能够直接形成在另一个元件“上”或者“下”，也可以通过中间元件间接形成在另一元件“上”或者“下”。术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0038]本专利技术使用的术语“包括”及其变形是开放性包括，即“包括但不限于”。术语“基于”是“至少部分地基于”。术语“一个实施例”表示“至少一个实施例”。
[0039]需要注意，本专利技术中提及的“第一”、“第二”等概念仅用于对相应内容进行区分，并非用于限定顺序或者相互依存关系。
[0040]需要注意，本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图形化复合衬底的制备方法，其特征在于，包括：提供图形化衬底，并在所述图形化衬底的表面形成光刻胶层；其中，所述图形化衬底包括基底和位于所述基底一侧表面上的多个图形结构；所述光刻胶层包括第一光刻胶部和第二光刻胶部，所述第一光刻胶部覆盖所述图形结构的至少部分表面，所述第二光刻胶部至少部分填充所述图形结构之间的间隙；采用平面软膜对所述光刻胶层进行压印，以使所述第一光刻胶部的厚度小于所述第二光刻胶部的厚度；其中，所述平面软膜的硬度大于所述光刻胶层的硬度，小于所述图形化衬底的硬度；去除部分所述第一光刻胶部；在裸露出的所述图形结构的至少顶部区域形成至少一层第一异质层；去除剩余所述光刻胶层，并保留所述图形结构上的所述第一异质层，形成复合图形结构；在垂直基底所在平面的方向上，所述第一异质层的底部与所述基底的表面具有间隙。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述图形化衬底的表面形成光刻胶层，包括：在所述图形化衬底表面形成厚度为所述图形结构高度0.2
‑
2倍的光刻胶层。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，去除部分所述第一光刻胶部，包括：采用电感耦合等离子刻蚀或光刻胶溶胶工艺，减薄所述光刻胶层，直至去除部分所述第一光刻胶部。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述平面软膜采用硅胶或凝胶制备。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述至少一层第一异质层包括反射层和保护层，所述保护层位于所述反射层远离所述图形结构的一侧。6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：王子荣，赵伍林，王农华，
申请(专利权)人：广东中图半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：