基于表面微印刷技术的柔性Micro-LED阵列的制备方法技术

本申请公开了基于表面微印刷技术的柔性Micro

【技术实现步骤摘要】
基于表面微印刷技术的柔性Micro
‑
LED阵列的制备方法


[0001]本申请涉及芯片制造的
，尤其涉及基于表面微印刷技术的柔性Micro
‑
LED阵列的制备方法。

技术介绍

[0002]Micro
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LED芯片的尺寸在10
‑
100微米级别，每个像素都可以独立定址，单独发光，因此基于红绿蓝三基色(RGB)的Micro
‑
LED芯片的显示屏幕较传统显示技术而言，具有对比度更高，分辨率更高，功耗更小等优点。同时，Micro
‑
LED由于其小尺寸的优点，使其能够应用在柔性面板中，因此在折叠显示屏、柔性电子穿戴设备等领域均有广泛的应用。随着第三代显示的需求推动和技术发展，Micro
‑
LED由于其优异的电流饱和密度、更高的量子效率以及更高的可靠性，成为目前技术的热点研究方向。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本申请提供基于表面微印刷技术的柔性Micro
‑
LED阵列的制备方法，能够广泛适用于各种柔性Micro
‑
LED阵列的加工，同时能够提高Micro
‑
LED芯片的光输出功率。
[0004]本申请提供一种基于表面微印刷技术的柔性Micro
‑
LED阵列的制备方法，包括以下步骤：
[0005]S1、提供叠设有多个Micro
‑
LED芯片的基板；
[0006]S2、使糖、玉米糖浆和水混合加热形成的柔性焦糖层；
[0007]S3、使微圆盘覆于所述柔性焦糖层上，并在所述微圆盘远离柔性焦糖层的表面附着未固化的粘接剂层；
[0008]S4、将经过S3的柔性焦糖层和所述基板叠合以使微圆盘、基板通过所述粘接剂层发生粘接；
[0009]S5、剥离经过S4的柔性焦糖层。
[0010]可选地，剥离柔性焦糖层的方式为：将柔性焦糖层浸渍于水中，直至柔性焦糖层发生崩解。
[0011]可选地，所述Micro
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LED芯片的制备包括以下步骤：
[0012]S11、在衬底上外延生长n型氮化镓层、多量子阱有源区，p型氮化镓层，形成外延片；
[0013]S12、对所述外延片进行刻蚀直至暴露出n型氮化镓层，以形成第一n型通孔；
[0014]S13、在所述p型氮化镓表面不设置通孔结构的部分沉积透明导电层；
[0015]S14、在所述透明导电层表面沉积布拉格反射镜；
[0016]S15、在所述布拉格反射镜表面沉积p电极；
[0017]S16、在所述p电极表面沉积绝缘层，并对该绝缘层蚀刻至与所述第一n型通孔贯通形成第二n型通孔；
[0018]S17、在所述第二n型通孔内和绝缘层表面沉积n电极；
[0019]S18、在所述n电极表面沉积保护层，并对所述保护层进行蚀刻，以形成p电极接触孔、n电极接触孔；
[0020]S19、在所述p电极接触孔、n电极接触孔内以及所述保护层表面沉积出p焊盘、n焊盘，其中p焊盘通过p接触孔与p反射电极相连，n焊盘通过n接触孔与n电极相连。
[0021]可选地，所述保护层为二氧化硅。
[0022]可选地，S14中，所述布拉格反射镜表面刻蚀有第一p型通孔，以通过所述第一p型通孔实现布拉格反射镜透明导电层电连接。
[0023]可选地，S17中，所述n电极开设有第二p型通孔。
[0024]可选地，所述透明导电层的材质为ITO。
[0025]可选地，S13中，所述沉积为磁控溅射；
[0026]S14、S18中，所述沉积为等离子体增强化学气相沉积；
[0027]S15、S17、S19中，所述沉积为光刻和电子束蒸发。
[0028]可选地，形成第一n型通孔的刻蚀为电感耦合等离子体刻蚀；
[0029]形成第二n型通孔的蚀刻为光刻和BOE湿法腐蚀工艺。
[0030]可选地，S13中，所述沉积之后包括退火，所述退火的条件为在550℃的氮气环境。
[0031]以上提供的具有p反射电极的倒装Micro
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LED芯片及其制备方法，本方案中，采用糖、玉米糖浆以及水进行混合加热制成柔性糖浆物质，通过这种糖浆物质将带有树脂材料的二氧化硅微圆盘转移到柔性Micro
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LED阵列的每一个芯片表面，并通过树脂将二氧化硅微圆盘粘附到Micro
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LED芯片表面，提高每一颗芯片的光提取效率。
[0032]此外，采用具布拉格反射镜，由于布拉格反射镜带通滤波作用，能够将目标波长的光反射到出光面，提高芯片的光提取效率，同时将杂光透射到电极，使得电极将杂光吸收，减小芯片光谱的半高宽，提高倒装Micro
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LED芯片出光颜色的纯度。
附图说明
[0033]下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
[0034]图1为本专利技术实施例提供的倒装Micro
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LED芯片的制造流程图。
[0035]图2为本专利技术实施例提供的Micro
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LED外延层的结构示意图。
[0036]图3为本专利技术实施例提供的Micro
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LED芯片形成n型氮化镓上的通孔结构的结构示意图。
[0037]图4为专利技术实施例提供的Micro
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LED芯片的通孔结构的分布示意图。
[0038]图5为本专利技术实施例提供的Micro
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LED芯片ITO透明导电层与p型氮化镓层之间形成欧姆接触的结构示意图。
[0039]图6为本专利技术实施例提供的Micro
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LED芯片形成布拉格反射镜及p型通孔的结构示意图。
[0040]图7为本专利技术实施例提供的Micro
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LED芯片的p型通孔的分布示意图。
[0041]图8为本专利技术实施例提供的Micro
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LED芯片形成p电极的结构示意图。
[0042]图9为本专利技术实施例提供的Micro
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LED芯片形成绝缘层及n型通孔的结构示意图。
[0043]图10为本专利技术实施例提供的Micro
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LED芯片形成n电极的结构示意图。
[0044]图11为本专利技术实施例提供的Micro
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LED芯片形成保护层及p接触孔、n5接触孔的结构示意图。
[0045]图12为本专利技术实施例提供的Micro
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LED芯片形成p接触孔、n接触孔焊盘的分布示意图。
[0046]图13为本专利技术实施例提供的Micro
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LED芯片形成p、n焊盘的结构示意图。
[0047]图14为本专利技术实施例提供的Micro
‑<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于表面微印刷技术的柔性Micro
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LED阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、提供叠设有多个Micro
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LED芯片的基板；S2、使糖、玉米糖浆和水混合加热形成的柔性焦糖层；S3、使微圆盘覆于所述柔性焦糖层上，并在所述微圆盘远离柔性焦糖层的表面附着未固化的粘接剂层；S4、将经过S3的柔性焦糖层和所述基板叠合以使微圆盘、基板通过所述粘接剂层发生粘接；S5、剥离经过S4的柔性焦糖层。2.根据权利要求1所述倒装Micro
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LED芯片，其特征在于，剥离柔性焦糖层的方式为：将柔性焦糖层浸渍于水中，直至柔性焦糖层发生崩解。3.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述Micro
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LED芯片的制备包括以下步骤：S11、在衬底上外延生长n型氮化镓层、多量子阱有源区，p型氮化镓层，形成外延片；S12、对所述外延片进行刻蚀直至暴露出n型氮化镓层，以形成第一n型通孔；S13、在所述p型氮化镓表面不设置通孔结构的部分沉积透明导电层；S14、在所述透明导电层表面沉积布拉格反射镜；S15、在所述布拉格反射镜表面沉积p电极；S16、在所述p电极表面沉积绝缘层，并对该绝缘层蚀刻至与所述第一n型通孔贯通形成第二n型通孔；...

【专利技术属性】
技术研发人员：周圣军，钱胤佐，廖喆夫，孙月昌，
申请(专利权)人：武汉大学，
类型：发明
国别省市：