发光器件及发光器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种发光器件及发光器件的制造方法，该发光器件，在具有多个像素的发光器件中，具有：发光功能层，它由至少一层构成，放射与供给的电流相对应的光；第１电极层，它设置在上述发光功能层的下表面侧，由导电性材料构成，对于从上述发光功能层放射的光的至少一部分的波段的光具有透射性；第２电极层，它在上述发光功能层上与上述第１电极层相对设置，含有导电性材料，对于从上述发光功能层放射的光的至少一部分的波段的光具有透射性；以及，反射层，它设置在上述第２电极层上，对于从上述发光功能层放射的光的至少一部分的波段的光具有反射性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在像素中具有发光元件的发光器件和发光器件的制造方 法，尤其涉及在发光元件中具有有机电致发光元件的发光器件及发光器件 的制造方法。
技术介绍
近年来，作为继液晶显示器件(LCD)之后的下一代显示器件，正在大 力研究开发具备对具有如有机电致发光元件(以下简称为"有机EL元件") 和发光二极管(LED)等发光元件的显示像素进行二维排列的发光元件型显 示面板的显示器件、以及对具有发光元件的多个像素进行排列的发光器件 的真正实用化和普及。这种发光元件型的显示器件和发光器件中使用的有机EL元件，其结构 是，例如用反射性电极和透明电极来夹持具有发光层的有机层，利用反射 性电极来使从发光层发出的光进行反射，并且从透明电极侧射出进行图像 显示。由于在这种结构的有机EL元件中，具有从发光层向透明电极方向射 出的光、以及从发光层射出经反射性电极侧进行反射并向透明电极方向射 出的光，所以，有可能在这些光之间发生干涉效应，例如因视场角而产生 色相的变化。再者，这种光的干涉效应具有随光的波长而异的峰值，该峰值位置随 发光层的发光位置进行漂移。因此，出现的问题是，当发光层的厚度有偏 差时发光位置产生变化，发光强度和色度产生偏差。并且，在从有机EL元件射出的光中，除了从有机EL元件的正面射出 的光外，还有从其斜方向射出的光。从该斜方向射出的光，其光程差与从 正面射出的光不同，所以，有可能受到不同的干涉效应，产生视场角依赖 性。
技术实现思路
本专利技术的优点是，能够提供一种在具有包括发光元件的多个像素的发 光器件中，对色度差和发光强度的偏差、视场角所造成的色度变化进行抑 制，具有优良显示特性的发光器件以及该发光器件的制造方法。为获得上述优点的本专利技术的发光器件，在具有多个像素的发光器件中， 具有发光功能层，它由至少一层构成，放射与供给的电流相对应的光；第I电极层，它设置在上述发光功能层的下表面侧，由导电性材料构成，对于从上述发光功能层放射的光的至少一部分的波段的光具有透射性；第2 电极层，它在上述发光功能层上与上述第1电极层相对设置，含有导电性 材料，对于从上述发光功能层放射的光的至少一部分的波段的光具有透射性；以及，反射层，它设置在上述第2电极层上，对于从上述发光功能层 放射的光的至少一部分的波段的光具有反射性。为了获得上述优点的本专利技术中的发光器件的制造方法，在具有包括发 光功能层的多个像素的发光器件的制造方法中，包括以下步骤利用对于从上述发光功能层放射的光的至少一部分的波段的光具有透射性的导电性材料，来形成第1电极层的步骤；在上述第1电极层上形成上述发光功能层的步骤；在上述发光功能层上，与上述第1电极层相对置，利用至少包含对于 从上述发光功能层放射的光的至少一部分的波段的光具有透射性的导电性 材料的材料，来形成第2电极层的步骤；在上述第2电极层上，利用对于从上述发光功能层放射的光的至少一 部分的波段的光具有反射性的材料，来形成反射层的步骤。附图说明图1是表示本专利技术第1实施方式中的发光器件的像素排列的概要的一 例的图。图2是表示各像素的像素电路结构的一例的图。图3是表示第1实施方式中的发光器件的主要部分的断面结构的图。图4是表示与本专利技术的结构相对应的计算模型A的图。图5是表示入射光、反射光和透射光各自的振幅的正的方向的图。图6是表示本专利技术的计算模型A中的光的干涉光程的图。 图7是表示作为比较例的计算模型B的图。 图8是表示作为比较例的计算模型B中的光的干涉光程的图。 图9是表示本专利技术的计算模型A中的干涉效应的曲线图。 图10是表示作为比较例的计算模型B中的干涉效应的曲线图。 图11是表示对本专利技术的计算模型A中的相对于波长的放射亮度和作为 比较例的计算模型B中的相对于波长的放射亮度进行比较的曲线图。图12是表示本专利技术的计算模型A中的相对于波长的放射亮度的曲线图。图13是表示作为比较例的计算模型B中的相对于波长的放射亮度的峰 值漂移的图。图14是表示对本专利技术的计算模型A和作为比较例的计算模型B，使视角e变化时的蓝色元件的色度值的表。图15是表示改变厚膜透明电极的膜厚时的、色度的关于x坐标的平均值和误差的计算结果的曲线图。图16是表示改变厚膜透明电极的膜厚时的、色度的关于y坐标的平均值和误差的计算结果的曲线图。图17A-C是表示对发光器件的制造方法进行说明用的断面结构的图。图18是表示本专利技术第2实施方式的发光器件的断面结构的图。图19A、 B是表示对图18的发光器件的制造方法进行说明用的断面结构的图。图20是表示第2实施方式中的随发光层的膜厚变化而产生的色度变化 的图。具体实施例方式以下根据附图所示的实施方式来详细说明涉及本专利技术的发光器件。 (第1实施方式) 首先说明本专利技术的第1实施方式。图1是表示本专利技术第1实施方式中的发光器件1的像素排列的概要的 一例的图。 如图1所示，发光器件1大致上具有像素2、阴极区(Cathode area) 3、阳极线(Anode line) 4、数据线(Data line) 5和选择线(Select line) 6。像素2是具有有机EL (OLED: Organic Light Emitting Diode)元件 作为发光元件的，发光器件1具有二维排列的多个像素20，构成例如显示 图像的显示器件。本实施方式的发光器件1如图1所示，以红(R)、绿(G)、蓝(B) 3 色的各像素2为一组，多个这样的组在行方向(图1的左右方向)上反复 进行排列，而且多个同一色的像素2在列方向(图1的上下方向)上进行 排列。阴极区3由单一的电极层构成，被设置成跨在各像素2上，是对各像 素2通用的阴极电极。阳极线4是连接在电源电压上，向各像素2供应电 流用的布线。数据线5是向各列的像素2施加灰度信号的。选择线6是选 择各行的，从数据线5提供的灰度信号被供给到被选择的行的像素2上。图2是表示各像素2的像素电路结构的一例的图。如图2所示，各像素2具有以下的电路结构具有TFT (薄膜晶体管， Thin Film Transistor)等的像素驱动电路7和利用由像素驱动电路7进 行控制的电流来发光的OLED (有机EL元件)。也就是说，本实施方式的发 光器件1是在各像素2上配置TFT，对各有机EL元件进行驱动的有源驱动 方式的发光器件。如图2所示像素驱动电路7具有由TFT构成的晶体管T,-T3和电容器Cs。晶体管T,-T3，例如，栅极电极由铝-钕-钛(AINdTi)或铬(Cr)形成； 源极/漏极电极由铝-钛(AITi) /Cr、 AINdTi/Cr或Cr形成。而且，根据导 电率的高低和氮化硅(SiN)膜的粘接性，优选源极/漏极电极由AlTi/Cr 或AlNdTi/Cr形成。在本实施方式中，源极/漏极电极和选择线6/阳极线4 由AlTi/Cr或AlNdTi/Cr构成。并且，也可以在选择线6/阳极线4的布线上重叠AlTi/Cr、 AlNdTi/Cr、 Cr或铜(Cu)等的金属布线、降低布线电阻。电容器Cs是形成在晶体管T3的栅极-源极间的寄生电容、或者附加设 置在栅极-源极间的辅助电容，或者包括这些寄生电容和辅助电容的电容成 分。在本实施方式中，选择线6/阳极线4和源极/漏极电极位于同一层上，例如使其同时形成。并且，数据线5和栅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，具有多个像素，其特征在于，具备：　发光功能层，由至少一层构成，放射与供给的电流相对应的光；　第１电极层，设置在上述发光功能层的一个面上，由导电性材料构成，对于从上述发光功能层放射的光的至少一部分的波段的光具有透射性；　第２电极层，在上述发光功能层的另一个面上，与上述第１电极层相对设置，含有导电性材料，对于从上述发光功能层放射的光的至少一部分的波段的光具有透射性；以及　反射层，设置在上述第２电极层上，对于从上述发光功能层放射的光的至少一部分的波段的光具有反射性。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：山本和人，
申请(专利权)人：卡西欧计算机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]