铝线前照式CIS器件的制造方法及其器件技术

本发明专利技术公开了一种铝线前照式CIS器件的制造方法,其特征在于，包括以下步骤：S1，通过前段半导体集成电路工艺分别形成金属硅化物区域和非金属硅化物区域器件结构；S2，生长氮化硅阻挡层，所述氮化硅阻挡层的张应力小于700Mpa；S3，生长内电介质氧化层；S4，通过内电介质氧化层化学机械研磨形成平面结构；S5，通过后段半导体集成电路工艺，完成铝线前照式CIS器件制造。本发明专利技术通过改变内介质层中氮化硅阻挡层(ILD Barrier Nitride)应力的方式，采用低张应力薄膜，降低内介质层氮化硅阻挡层的张应力来减小晶圆的翘曲，最终在后道铝线金属沉积可以有效降低翘曲度约20um，增大工艺窗口，并且保证良好的像素和可靠性性能。并且保证良好的像素和可靠性性能。并且保证良好的像素和可靠性性能。

【技术实现步骤摘要】
TEOS)。
[0030]S4，通过内电介质氧化层化学机械研磨(ILD CMP)形成平面结构，如图3所示。
[0031]S5，通过后段半导体集成电路工艺，完成铝线前照式CIS器件制造，后段半导体集成电路工艺包括接触孔工艺以及后段金属连线工艺。
[0032]与现有技术相比本实施例通过改变内介质层中氮化硅阻挡层(ILD Barrier Nitride)应力的方式，采用低张应力薄膜，把张应力控制在600MPa
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700MPa之间，现有技术工艺中的氮化硅层张应力通常在1.5Gpa左右，即降低内介质层氮化硅阻挡层的张应力来减小晶圆的翘曲，最终在后道铝线金属沉积可以有效降低翘曲度约20um，增大工艺窗口，并且保证良好的像素和可靠性性能。
[0033]另外与传统1.5Gpa高张应力氮化硅薄膜工艺相比，600
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700Mpa低张应力氮化硅薄膜减少了UV紫外光照射流程，可以进一步降低成本和并提升WPH(Wafer Per Hour，每小时产量)。
[0034]实施例2
[0035]本实施例提供一种铝线前照式CIS器件，其由实施例1中所述的铝线前照式CIS器件的制造方法制造。所述铝线前照式CIS器件具有LTO层背封衬底，更具体的LTO层(Low Temperature Oxide，低温氧化层)的厚度示例性的为3600A。
[0036]除非另有定义，否则这里所使用的全部术语(包括技术术语和科学术语)都具有与本专利技术所属领域的普通技术人员通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，除非这里明确定义，否则诸如在通用字典中定义的术语这类术语应当被解释为具有与它们在相关领域语境中的意思相一致的意思，而不以理想的或过于正式的含义加以解释。
[0037]以上通过具体实施方式和实施例对本专利技术进行了详细的说明，但这些并非构成对本专利技术的限制。在不脱离本专利技术原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本专利技术的保护范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铝线前照式CIS器件的制造方法,其特征在于，包括以下步骤：S1，通过前段半导体集成电路工艺分别形成金属硅化物区域和非金属硅化物区域器件结构；S2，生长氮化硅阻挡层，所述氮化硅阻挡层的张应力小于700Mpa；S3，生长内电介质氧化层；S4，通过内电介质氧化层化学机械研磨形成平面结构；S5，通过后段半导体集成电路工艺，完成铝线前照式CIS器件制造。2.如权利要求1所述的铝线前照式CIS器件的制造方法,其特征在于：所述氮化硅阻挡层的张应力在600至700Mpa之间。3.如权利要求2所述的铝线前照式CIS器件的制造方法,其特征在于：所述氮化硅阻挡层的张应力为630Mpa。4.如权利要求1所述的铝线前照式CIS器...

【专利技术属性】
技术研发人员：于明道，张栋，范晓，金立培，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：