本发明专利技术公开了多晶硅清洗料篮和多晶硅清洗装置。多晶硅清洗料篮包括：主体部，所述主体部包括底部和第一侧壁，所述底部和所述第一侧壁上均设置有多个第一开孔，所述底部和所述第一侧壁限定出容纳空间；多孔柱，所述多孔柱设置在所述容纳空间内，所述多孔柱包括第二侧壁和顶部，所述多孔柱的第二侧壁远离所述顶部的一端固定在所述主体部的底部上，所述多孔柱的所述第二侧壁上设置有多个第二开孔。由此，该料篮中堆放的多晶硅块或粉状料可以与酸液充分接触，料篮中的酸液也可以快速更新，从而更加彻底的清除多晶硅块或粉状料表面的杂质，使多晶硅块或粉状料表面的金属杂质的浓度满足使用要求。使用要求。使用要求。
【技术实现步骤摘要】
多晶硅清洗料篮和多晶硅清洗装置
[0001]本专利技术涉及多晶硅制备
，具体地，涉及多晶硅清洗料篮和多晶硅清洗装置。
技术介绍
[0002]电子级多晶硅生产过程中需要对气相还原产出的硅棒进行破碎，在转运和破碎过程中，硅块表面会增加各种杂质，增加的杂质会降低硅料的纯度，造成下游客户的产品良率下降，成本升高。在硅料转运和破碎的过程中，增加的杂质主要为Na、Mg、Al、K、Ca、Cr、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、W等金属杂质，还会增加有机物、颗粒物等杂质。现有的多晶硅清洗设备，通常采用以下步骤进行多晶硅清洗：第1步采用高纯水冲洗，第2步采用硝酸和氢氟酸的混酸对多晶硅进行蚀刻，第3步采用高纯水冲洗，第4步进行干燥，第5步，将干燥后的多晶硅产品装袋。但目前的多晶硅清洗设备采用上述步骤进行清洗之后，仍然存在清洗后的硅块表面金属杂质含量高的问题，难以满足电子级多晶硅的使用要求(对于电子级多晶硅，国标要求电子级1级表面金属杂质浓度≤5.5ppbw，国内厂家表面金属约为1ppbw，国外厂家表面金属杂质浓度约为0.1ppbw)。
[0003]因此，目前的多晶硅清洗料篮和多晶硅清洗装置仍有待改进。
技术实现思路
[0004]本专利技术旨在至少一定程度上缓解或解决上述提及问题中至少一个。
[0005]有鉴于此，在本专利技术的一方面，本专利技术提出了一种多晶硅清洗料篮，所述多晶硅清洗料篮包括：主体部，所述主体部包括底部和第一侧壁，所述底部和所述第一侧壁上均设置有多个第一开孔，所述底部和所述第一侧壁限定出容纳空间；多孔柱，所述多孔柱设置在所述容纳空间内，所述多孔柱包括第二侧壁和顶部，所述多孔柱的第二侧壁远离所述顶部的一端固定在所述主体部的底部上，所述多孔柱的所述第二侧壁上设置有多个第二开孔。由此，该料篮中堆放的多晶硅块或粉状料可以与酸液充分接触，料篮中的酸液也可以快速更新，从而更加彻底的清除多晶硅块或粉状料表面的金属杂质，使多晶硅块或粉状料表面的金属杂质的浓度满足使用要求。
[0006]根据本专利技术的实施例，所述第一开孔的孔径小于等于15mm，和/或，所述第二开孔的孔径小于等于15mm。由此，可以进一步促进料篮中酸液的快速更新，从而更有利于清除多晶硅表面的杂质。
[0007]根据本专利技术的实施例，所述多孔柱的顶部为矩形或圆形。多孔柱设置为圆柱或矩形柱，均可以将堆积的块状材料或粉体材料间隔开来，从而有利于料篮中酸液的更新，促进多晶硅表面金属杂质的清除。
[0008]根据本专利技术的实施例，所述第一侧壁的高为100mm
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420mm，所述底部为矩形，所述底部的长为100mm
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600mm，所述底部的宽为100mm
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500mm。料篮的主体部设置为上述尺寸，可以与清洗槽的尺寸相配合，有利于对多晶硅进行清洗。
[0009]根据本专利技术的实施例，所述底部的长：所述底部的宽：所述第一侧壁的高为(1.5～2)：1：(0.75～1)。由此，料篮的尺寸可以与清洗槽的尺寸更好的配合。
[0010]根据本专利技术的实施例，所述第一侧壁的高为100mm
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420mm，所述底部为圆形，所述底部的直径为100mm
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600mm。由此，上述形状和尺寸的料篮也能够与清洗槽的尺寸相配合，从而促进多晶硅表面金属杂质的清除。
[0011]根据本专利技术的实施例，所述第一侧壁设置有第一开孔的最大高度与所述第一侧壁的高的差值为30mm
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100mm。由此，在对多晶硅进行清洗之后，由顶部向料篮中的多晶硅吹风即可干燥多晶硅，设置上述高度差可以促进多晶硅的快速干燥。
[0012]根据本专利技术的实施例，所述多孔柱的高小于所述第一侧壁的高，且所述第一侧壁的高与所述多孔柱的高的差值为50mm
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150mm。由此，可以进一步促进多晶硅的快速干燥。
[0013]根据本专利技术的实施例，所述底部为矩形，所述第一侧壁包括依次相连的四个第一子侧壁，所述第一开孔满足以下条件中的一种：所述底部包括多个沿第一方向排列的第一开孔行，其中，奇数行和偶数行交错排列，相邻两个奇数行的四个第一开孔的中心连线呈矩形，矩形的中心与一个偶数行的第一开孔的中心重叠，和/或，同一个所述第一子侧壁包括多个沿第一方向排列的第一开孔行，其中，奇数行和偶数行交错排列，相邻两个奇数行的四个第一开孔的中心连线呈矩形，矩形的中心与一个偶数行的第一开孔的中心重叠；所述底部的所述第一开孔呈矩形阵列排列，和/或，同一个所述第一子侧壁上的所述第一开孔呈矩形阵列排列。由此，可以进一步促进料篮中酸液的流动和更新，更有利于清除多晶硅表面的金属杂质。
[0014]在本专利技术的另一方面，本专利技术提出了一种多晶硅清洗装置，所述多晶硅清洗装置包括：前面所述的多晶硅清洗料篮；清洗槽；活动组件，在进行多晶硅清洗时，所述活动组件带动所述多晶硅清洗料篮在所述清洗槽中运动。由此，该多晶硅清洗装置具有前面所述的多晶硅清洗料篮所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该多晶硅清洗装置能够快速清除多晶硅表面的金属杂质，并且，清洗效果较好，产品良率高。
附图说明
[0015]本专利技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0016]图1显示了根据本专利技术一个实施例的多晶硅清洗料篮的正视图；
[0017]图2显示了根据本专利技术一个实施例的多晶硅清洗料篮的侧视图；
[0018]图3显示了根据本专利技术一个实施例的多晶硅清洗料篮的俯视图；
[0019]图4显示了根据本专利技术一个实施例的多孔柱的结构示意图；
[0020]图5显示了根据本专利技术一个实施例中主体部的底部的结构示意图；
[0021]图6显示了根据本专利技术另一个实施例中主体部的底部的结构示意图；
[0022]图7显示了根据本专利技术又一个实施例中主体部的底部的结构示意图。
[0023]附图标记说明：
[0024]100：主体部；110：底部；120：第一侧壁；121：第一子侧壁；130：第一开孔；140：容纳空间；200：多孔柱；210：顶部；220：第二侧壁；230：第二开孔。
具体实施方式
[0025]下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。
[0026]在本专利技术的一方面，本专利技术提出了一种多晶硅清洗料篮，参考图1至图3(图1至图3可以分别看做同一个多晶硅清洗料篮的主视图、侧视图和俯视图)，多晶硅清洗料篮可以包括主体部100和多孔柱200，其中，主体部100包括底部110和第一侧壁120，底部110和第一侧壁120上均设置有多个第一开孔130，并且，底部110和第一侧壁120限定出容纳空间140，用于盛装多晶硅块或粉状料；多孔柱200设置在容纳空间1本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种多晶硅清洗料篮，其特征在于，包括：主体部，所述主体部包括底部和第一侧壁，所述底部和所述第一侧壁上均设置有多个第一开孔，所述底部和所述第一侧壁限定出容纳空间；多孔柱，所述多孔柱设置在所述容纳空间内，所述多孔柱包括第二侧壁和顶部，所述多孔柱的第二侧壁远离所述顶部的一端固定在所述主体部的底部上，所述多孔柱的所述第二侧壁上设置有多个第二开孔。2.根据权利要求1所述的多晶硅清洗料篮，其特征在于，所述第一开孔的孔径小于等于15mm，和/或，所述第二开孔的孔径小于等于15mm。3.根据权利要求1所述的多晶硅清洗料篮，其特征在于，所述多孔柱的顶部为矩形或圆形。4.根据权利要求1所述的多晶硅清洗料篮，其特征在于，所述第一侧壁的高为100mm
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420mm，所述底部为矩形，所述底部的长为100mm
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600mm，所述底部的宽为100mm
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500mm。5.根据权利要求4所述的多晶硅清洗料篮，其特征在于，所述底部的长：所述底部的宽：所述第一侧壁的高为(1.5～2)：1：(0.75～1)。6.根据权利要求1所述的多晶硅清洗料篮，其特征在于，所述第一侧壁的高为100mm
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420mm，所述底部为圆形，所述底部的直径为100mm
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600mm。7.根据权利要求1
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【专利技术属性】
技术研发人员：李明峰，吴家印，徐玲锋，
申请(专利权)人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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