【技术实现步骤摘要】
本技术涉及分离提纯的，具体地，涉及一种氯硅烷提纯装置。
技术介绍
1、目前，电子级多晶硅主要通过改良西门子法制得，将高纯三氯氢硅通入化学气相沉积(cvd)装置进行气相沉积，得到电子级多晶硅棒。高纯三氯氢硅是通过蒸馏从氯硅烷混合物中分离出来的，而氯硅烷合成过程中会引入含硼、含磷的化合物，如三氯化硼、三氯化磷、五氯化磷等，该化合物在沉积多晶硅棒反应中会掺入硅中，进而影响多晶硅棒的纯度，所以需要在三氯氢硅精制中去除。现有的提纯方法，多采用吸附剂对塔顶物料及塔釜物料进行吸附处理，由于含硼化合物的沸点较低，提纯过程中精馏塔塔顶富集含硼化合物，而吸附塔多设置在精馏塔的塔顶采出端，精馏塔塔顶含硼化合物浓度较高，需要流经足够高的吸附塔方可有效去除含硼化合物；另一方面，由于含磷化合物沸点相对较高，因此含磷化合物通常在精馏塔塔底富集，而精馏塔塔釜温度较高，吸附剂在此温度下效率低。此外，也有采用络合去除磷硼的方案，但需要在精馏塔内引入络合剂，使得精馏塔内的物料系统更为复杂。
技术实现思路
1、本技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本技术的一个目的在于提出一种氯硅烷提纯装置，该氯硅烷提纯装置在保证充分去除杂质的同时可有效降低吸附塔的高度。
2、在本技术的一方面，本技术提供了一种氯硅烷提纯装置。根据本技术的实施例，该氯硅烷提纯装置包括：精馏塔，所述精馏塔的塔顶具有顶端出口；冷凝装置，所述冷凝装置与所述顶端出口连接；吸附塔，所述吸附塔的入口与所述冷凝装置的出口连通；分流器，
3、根据本技术的实施例，所述氯硅烷提纯装置还包括：络合反应釜，所述络合反应釜与所述精馏塔的底端出口连通。
4、根据本技术的实施例，所述氯硅烷提纯装置还包括：缓冲罐，所述缓冲罐位于所述冷凝装置与所述吸附塔之间，所述缓冲罐的入口与所述冷凝装置的出口连通，所述缓冲罐的出口与所述吸附塔的入口连通。
5、根据本技术的实施例，所述络合反应釜设置有加热组件。
6、根据本技术的实施例，所述络合反应釜具有第一顶端出口，所述精馏塔具有底端入口，所述第一顶端出口与所述底端入口连通。
7、根据本技术的实施例，所述氯硅烷提纯装置还包括：络合剂储存罐，所述络合剂储存罐与所述络合反应釜连通。
8、根据本技术的实施例，所述络合反应釜还具有物料出口。
9、根据本技术的实施例，所述氯硅烷提纯装置还包括：第一泵，所述第一泵位于所述缓冲罐和所述吸附塔之间。
10、根据本技术的实施例，所述氯硅烷提纯装置还包括：第二泵，所述第二泵位于所述精馏塔的底端出口与所述络合反应釜之间；第三泵，所述第三泵位于所述络合反应釜与络合剂储存罐之间。
11、根据本技术的实施例，所述氯硅烷提纯装置还包括：控制阀，所述控制阀位于所述分流器和所述精馏塔之间。
12、本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
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1.一种氯硅烷提纯装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的氯硅烷提纯装置，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求1所述的氯硅烷提纯装置，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求2所述的氯硅烷提纯装置，其特征在于，所述络合反应釜设置有加热组件。
5.根据权利要求4所述的氯硅烷提纯装置，其特征在于，所述络合反应釜具有第一顶端出口，所述精馏塔具有底端入口，所述第一顶端出口与所述底端入口连通。
6.根据权利要求2所述的氯硅烷提纯装置，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求6所述的氯硅烷提纯装置，其特征在于，所述络合反应釜还具有物料出口。
8.根据权利要求3所述的氯硅烷提纯装置，其特征在于，还包括：
9.根据权利要求6或7所述的氯硅烷提纯装置，其特征在于，还包括：
10.根据权利要求1～7中任一项所述的氯硅烷提纯装置，其特征在于，还包括：
【技术特征摘要】
1.一种氯硅烷提纯装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的氯硅烷提纯装置，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求1所述的氯硅烷提纯装置，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求2所述的氯硅烷提纯装置，其特征在于，所述络合反应釜设置有加热组件。
5.根据权利要求4所述的氯硅烷提纯装置，其特征在于，所述络合反应釜具有第一顶端出口，所述精馏塔具有底端入口，所述第一顶端出口与所...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈学辉，孙彬，韩秀娟，齐兰兰，闫家强，吴锋，田新，
申请(专利权)人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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