【技术实现步骤摘要】
本技术涉及工程应用，尤其涉及一种多晶硅生产还原系统。
技术介绍
1、多晶硅是太阳能电池不可或缺的部分，可以在较短时间内将太阳能转化为电能，大幅度地提高太阳能电站的发电效率，减少其发电成本。多晶硅可以通过不同的方法制备，可以应用于大规模的生产并且制造成本相对较低。
2、目前，电子级多晶硅主要是通过改良版的西门子法制得，通过将高纯度的三氯氢硅汽化后通入cvd炉进行气相化学沉积，生产出多晶硅棒，其中三氯氢硅的汽化与二次利用还原尾气需要使用大量的蒸汽和冷凝介质如循环水、乙二醇等气液换热满足工艺要求的温控指标，使得企业的生产成本大幅度提升。
3、为了解决上述问题，设计了一种多晶硅生产还原系统。
4、公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在加深对本技术的总体
技术介绍
的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
1、本技术提供了一种多晶硅生产还原系统，从而有效解决
技术介绍
中的问题。
2、为了达到上述目的，本技术所采用的技术方案是：一种多晶硅生产还原系统，包括：
3、汽化器，所述汽化器用于将通入的原料三氯氢硅汽化；
4、其中，所述汽化器包括汽化器第一入口、汽化器第二入口和汽化器第一出口；
5、还原炉，所述还原炉用于将高纯度三氯氢硅与高纯度氢气混合，生成高纯度多晶硅棒；
6、其中，所述还原炉包括还原炉入口与还原炉出口；
7、涡流冷却器，所述涡
8、其中，所述涡流冷却器包括涡流冷却器入口和涡流冷却器第一出口；
9、所述汽化器第一出口与所述还原炉入口相通，所述还原炉出口与所述涡流冷却器入口相通，所述涡流冷却器第一出口与所述汽化器第二入口连通。
10、进一步地，所述还原炉出入口的通道上设置有热交换器，所述热交换器包括热交换器第一入口、热交换器第二入口、热交换器第一出口与热交换器第二出口；
11、其中，所述汽化器第一出口与所述热交换器第一入口连通，所述热交换器第一出口与所述还原炉入口连通，所述还原炉出口与所述热交换器第二入口连通，所述热交换器第二出口与所述涡流冷却器入口连通。
12、进一步地，所述热交换器内部设置有热源通道与热负载通道，所述热源通道与热负载通道互不连通；
13、其中，所述热源通道出入口分别为热交换器第二出口与热交换器第二入口，所述热负载通道出入口分别为热交换器第一出口与热交换器第一入口。
14、进一步地，所述汽化器还包括汽化器第二出口，所述涡流冷却器还包括涡流冷却器第二出口，所述汽化器第二出口与所述涡流冷却器第二出口分别与混合器两个入口连通，所述混合器还设置有混合器出口。
15、进一步地，所述涡流冷却器的入口处设置有喷嘴管道，所述喷嘴管道可调控气体压力和速度。
16、进一步地，所述涡流冷却器内部设置有涡流室，气体沿切线方向射入所述涡流室中。
17、进一步地，所述涡流冷却器的出口上设置有调节阀。
18、进一步地，所述涡流冷却器上设置有消音器。
19、本技术的有益效果为：本技术将汽化器第一出口与还原炉入口相通，还原炉出口与涡流冷却器入口相通，涡流冷却器第一出口与汽化器第二出口连通，当原料三氯氢硅通过汽化器第一入口进入汽化器内部，汽化器内部的蒸汽加热三氯氢硅，使三氯氢硅从液体状态转变为气体状态，气体状态的三氯氢硅通过汽化器第一出口与还原炉入口，进入还原炉内部，气体状态的三氯氢硅与氢气混合加热，逐渐生成高纯度多晶硅棒；还原炉中反应不充分的尾气通过还原炉出口与涡流冷却器入口，进入涡流冷却器内部，涡流冷却器将还原炉的尾气分成高温尾气与低温尾气，高温尾气通过涡流冷却器第一出口与汽化器第二入口，进入汽化器内部，不仅可以为三氯氢硅的汽化提供热量，减少蒸汽的使用，而且可以将尾气中反应不完全的三氯氢硅气体二次利用；低温尾气通过涡流冷却器第二出口排出，以便后续再次利用，这样设置既提高了资源的利用率，又进一步降低了企业的生产成本。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种多晶硅生产还原系统，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的多晶硅生产还原系统，其特征在于，所述还原炉出入口的通道上设置有热交换器，所述热交换器包括热交换器第一入口、热交换器第二入口、热交换器第一出口与热交换器第二出口；
3.根据权利要求2所述的多晶硅生产还原系统，其特征在于，所述热交换器内部设置有热源通道与热负载通道，所述热源通道与热负载通道互不连通；
4.根据权利要求1所述的多晶硅生产还原系统，其特征在于，所述汽化器还包括汽化器第二出口，所述涡流冷却器还包括涡流冷却器第二出口，所述汽化器第二出口与所述涡流冷却器第二出口分别与混合器两个入口连通，所述混合器还设置有混合器出口。
5.根据权利要求1所述的多晶硅生产还原系统，其特征在于，所述涡流冷却器的入口处设置有喷嘴管道，所述喷嘴管道可调控气体压力和速度。
6.根据权利要求5所述的多晶硅生产还原系统，其特征在于，所述涡流冷却器内部设置有涡流室，气体沿切线方向射入所述涡流室中。
7.根据权利要求6所述的多晶硅生产还原系统，其特征在于，所述涡流冷却器的
8.根据权利要求7所述的多晶硅生产还原系统，其特征在于，所述涡流冷却器上设置有消音器。
...【技术特征摘要】
1.一种多晶硅生产还原系统，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的多晶硅生产还原系统，其特征在于，所述还原炉出入口的通道上设置有热交换器，所述热交换器包括热交换器第一入口、热交换器第二入口、热交换器第一出口与热交换器第二出口；
3.根据权利要求2所述的多晶硅生产还原系统，其特征在于，所述热交换器内部设置有热源通道与热负载通道，所述热源通道与热负载通道互不连通；
4.根据权利要求1所述的多晶硅生产还原系统，其特征在于，所述汽化器还包括汽化器第二出口，所述涡流冷却器还包括涡流冷却器第二出口，所述汽化器第二出口与所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩秀娟，昝玉堂，孙彬，刘佳，李福中，吴家印，
申请(专利权)人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。