低压MOS管选择电路及低压MOS管制造技术

本申请涉及半导体技术领域，并公开了一种低压MOS管选择电路及低压MOS管，该电路包括内部电压处理模块、特制开关、电压比较器、选择开关和低压MOS管模块；所述内部电压处理模块的第一输出端与所述特制开关连接，所述特制开关还与所述低压MOS管模块连接，所述内部电压处理模块用于提供比较电压；所述电压比较器与所述特制开关、所述低压MOS管模块和所述选择开关连接，所述电压比较器用于通过所述比较电压确定所述选择开关的导通信息；所述选择开关与所述低压MOS管模块连接，所述选择开关用于根据所述导通信息控制所述低压MOS管模块的工作状态。本申请提高了低压MOS管的使用功能性。本申请提高了低压MOS管的使用功能性。本申请提高了低压MOS管的使用功能性。

【技术实现步骤摘要】
低压MOS管选择电路及低压MOS管


[0001]本技术涉及半导体
，尤其涉及一种低压MOS管选择电路及低压MOS管。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的高速发展，低压MOS管在各种电路上的使用也越来越多，同时也对于低压MOS管的使用准确率和使用功能性也越来越重视，传统的低压MOS管的使用方式是直接将低压MOS管接入各种电路，只有当实际电压达到导通电压之后才导通工作。这种低压MOS管的使用方式存在很大的缺陷，会存在当接入电路的实际电压小于导通电压时是整个电路停止工作的问题。即，这种低压MOS管的使用方式会由于实际电压小于导通电压进而造成低压MOS管的使用功能性不强。

技术实现思路

[0003]本技术的主要目的在于提出一种低压MOS管选择电路及低压MOS管，旨在如何提高低压MOS管的使用功能性。
[0004]为实现上述目的，本技术提供一种低压MOS管选择电路，所述低压MOS管选择电路包括内部电压处理模块、特制开关、电压比较器、选择开关和低压MOS管模块；
[0005]所述内部电压处理模块的第一输出端与所述特制开本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低压MOS管选择电路，其特征在于，所述低压MOS管选择电路包括内部电压处理模块、特制开关、电压比较器、选择开关和低压MOS管模块；所述内部电压处理模块的第一输出端与所述特制开关连接，所述特制开关还与所述低压MOS管模块连接，所述内部电压处理模块用于提供比较电压；所述电压比较器与所述特制开关、所述低压MOS管模块和所述选择开关连接，所述电压比较器用于通过所述比较电压确定所述选择开关的导通信息；所述选择开关与所述低压MOS管模块连接，所述选择开关用于根据所述导通信息控制所述低压MOS管模块的工作状态。2.如权利要求1所述低压MOS管选择电路，其特征在于，所述电压比较器包括第一输入端、第二输入端和第二输出端，所述第一输入端与所述选择开关和所述特制开关连接，所述第二输入端与所述特制开关连接，所述第二输出端与所述选择开关连接。3.如权利要求2所述低压MOS管选择电路，其特征在于，所述电压比较器还包括第一比较芯片和第一电阻，所述第一比较芯片的3脚与所述第一输入端连接，所述第一比较芯片的2脚与所述第二输入端连接，所述第一比较芯片的1脚与所述第二输出端和所述第一电阻的一端连接，所述第一电阻的另一端与所述第一比较芯片的8脚和系统电源连接，所述第一比较芯片的4脚与系统电源地连接。4.如权利要求2所述低压MOS管选择电路，其特征在于，所述选择开关包括第一接线端、第二接线端、第三接线端和控制接线端，所述控制...

【专利技术属性】
技术研发人员：周战波，曾学辉，
申请(专利权)人：佛山市尼博微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：