浮轨电路、半桥驱动电路及驱动方法技术

本发明专利技术揭示了一种浮轨电路、半桥驱动电路及驱动方法，所述浮轨电路用于为栅极驱动器供电，包括：第一MOS管，所述第一MOS管的漏极和源极分别与第一电位和浮动电位相连，栅极与钳位节点相连；第三电阻R3，电性连接于浮动电位和第二电位之间；电流源，电性连接于第一电位和钳位节点之间，所述电流源两端的电压为基准电压V

【技术实现步骤摘要】
浮轨电路、半桥驱动电路及驱动方法


[0001]本专利技术属于高压半桥驱动电路
，具体涉及一种浮轨电路、半桥驱动电路及驱动方法。

技术介绍

[0002]在模拟器件和功率器件领域，例如DCDC、电机驱动等应用中会涉及到半桥驱动电路的应用。半桥驱动电路分为高压侧和低压侧，高压侧和低压侧分别通过浮轨电路产生V
High_side
和V
Low_side
，分别为高压侧栅极驱动器和低压侧栅极驱动器供电，高压侧栅极驱动器和低压侧栅极驱动器分别驱动高压侧功率管和低压侧功率管。
[0003]参图1所述为一现有技术中高压侧浮轨电路的示意图，于该方案中采用齐纳二极管D1实现浮轨电压V
High_side
的钳位，最终V
High_side
＝V
zener
‑
V
GS
，其中，V
zener
为齐纳二极管D1的正极电压，V
GS
为PMOS管HV_PMOS的栅源电压。
[0004]参图2所述为另一现有技术中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种浮轨电路，用于为栅极驱动器供电，其特征在于，所述浮轨电路包括：第一MOS管，所述第一MOS管的漏极和源极分别与第一电位和浮动电位相连，栅极与钳位节点相连；第三电阻R3，电性连接于浮动电位和第二电位之间；电流源，电性连接于第一电位和钳位节点之间，所述电流源两端的电压为基准电压V
REF
，内阻为第一电阻R1；第二电阻R2及第二MOS管，电性连接于钳位节点与第二节点之间；其中，所述第一MOS管和第二MOS管同为PMOS管或NMOS管，第二电位和浮动电位之间的浮轨电压为栅极驱动器的供电电压。2.根据权利要求1所述的浮轨电路，其特征在于，所述第二MOS管的栅极和漏极短接，源极与第二电位相连，第二电阻R2电性连接于第二MOS管的漏极和钳位节点之间；或，所述第二MOS管的栅极和漏极短接后与钳位节点相连，第二电阻R2电性连接于第二MOS管的源极与第二电位之间。3.根据权利要求1或2所述的浮轨电路，其特征在于，所述浮轨电路为高压侧栅极驱动器供电时，第一电位为地电位，第二电位为电源电压，第一MOS管和第二MOS管均为PMOS管。4.根据权利要求3所述的浮轨电路，其特征在于，所述电源电压和浮动电位之间的浮轨电压V
High_side
为高压侧栅极驱动器的供电电压，且V
High_side
＝K*V
REF
，其中，K＝R2/R1。5.根据权利要求1或2所述的浮轨电路，其特征在于，所述浮轨电路为低压侧栅极驱动器供电时，第一电位为电源电压，第二电位为地电位，第一MOS管和第二MOS管均为NMOS管。6.根据权利要求5所述的浮轨电路，其特征在于，所述第二电位和浮动电位之间的浮轨电压V
Low_side
为低压侧栅极驱动器的供电电压，且V
Low_side
＝K*V REF
，其中，K＝R2/R1。7.根据权利要求1所述的浮轨电路，其特征在于，所述浮轨电路还包括电容C，所述电容C电性连接于浮动电位和第二电位之间。8.一种半桥驱动电路，用于驱动功率管...

【专利技术属性】
技术研发人员：牛旭华，
申请(专利权)人：思瑞浦微电子科技苏州股份有限公司，
类型：发明
国别省市：