P沟道逻辑电平场效应管及封装组件制造技术

本实用新型专利技术公开一种P沟道逻辑电平场效应管及封装组件，通过对现有的逻辑电平电路进行封装，即对功能模块前涉及的P沟道场效应管所组成的逻辑电平电路进行装配为芯片，使其高密度集成化，即实现了逻辑电平电路在电路板上所需面积的缩小，又能保证功能模块在管理模块重上电时的正常运行，避免了电路板面积利用率低的问题，同时集成的P沟道逻辑电平场效应管简化了生产流程，避免了不必要的生产安装流程增加的情况。加的情况。加的情况。

【技术实现步骤摘要】
P沟道逻辑电平场效应管及封装组件


[0001]本技术涉及封装组件
，特别涉及一种P沟道逻辑电平场效应管及封装组件。

技术介绍

[0002]现有模块化服务器中，为了避免功能模块在正常工作时，管理模块的重上电操作导致的功能模块存在复位的情况，通过在功能模块前接入场效应管的逻辑电平电路，使得功能模块能够进行高电平向低电平的翻转，从而避免管理模块重上电的操作导致的功能模块复位的问题。
[0003]但在实际应用中发现，在功能模块前接入的逻辑电平电路会存在占用电路板面积的情况，同时因为逻辑电平电路中存在多个场效应管的情况，使得生产流程趋于复杂化，增加了不必要的生产安装流程。

技术实现思路

[0004]本技术的主要目的是提出一种P沟道逻辑电平场效应管及封装组件，旨在解决现有模块化服务器中，功能模块前存在的逻辑电平电路使得电路板面积利用率低的技术问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提出一种P沟道逻辑电平场效应管，所述P沟道逻辑电平场效应管包括第一逻辑电平单元、第二逻辑电平单元和与非门电路；
[0006]所述第一逻辑电平单元的栅极和所述第二逻辑电平单元的栅极相接形成所述P沟道逻辑电平场效应管的引脚1，所述第一逻辑电平单元的第一漏极和所述第二逻辑电平单元的第一漏极相接形成所述P沟道逻辑电平场效应管的引脚3。
[0007]可选地，所述第一逻辑电平单元包括第一P沟道场效应管；
[0008]所述第一P沟道场效应管的栅极为所述P沟道逻辑电平场效应管的引脚1，所述第一P沟道场效应管的源极接入预设电源电压。
[0009]可选地，所述第一逻辑电平单元还包括第二P沟道场效应管；
[0010]所述第二P沟道场效应管的栅极与所述第一P沟道场效应管的第一漏极相接，所述第二P沟道场效应管的源极接入所述预设电源电压，所述第二P沟道场效应管的第一漏极与所述与非门电路的第一输入端相接。
[0011]可选地，所述第一P沟道场效应管的第二漏极为所述P沟道逻辑电平场效应管的引脚4，所述第二P沟道场效应管的第二漏极为所述P沟道逻辑电平场效应管的引脚5。
[0012]可选地，所述第二逻辑电平单元包括第三P沟道场效应管；
[0013]所述第三P沟道场效应管的栅极为所述P沟道逻辑电平场效应管的引脚1，所述第三P沟道场效应管的源极接入所述预设电源电压。
[0014]可选地，所述第二逻辑电平单元还包括第四P沟道场效应管；
[0015]所述第四P沟道场效应管的栅极与所述第三P沟道场效应管的第一漏极相接，所述
第四P沟道场效应管的源极接入所述预设电源电压，所述第四P沟道场效应管的第一漏极与所述与非门电路的第二输入端相接。
[0016]可选地，所述第三P沟道场效应管的第二漏极为所述P沟道逻辑电平场效应管的引脚6，所述第四P沟道场效应管的第二漏极为所述P沟道逻辑电平场效应管的引脚7。
[0017]可选地，所述P沟道逻辑电平场效应管还包括第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻；
[0018]所述第一P沟道场效应管的第二漏极经由所述第一电阻接地、所述第二P沟道场效应管的第二漏极经由所述第二电阻接地、所述第三P沟道场效应管的第二漏极经由所述第三电阻接地，所述第四P沟道场效应管的第二漏极经由所述第四电阻接地。
[0019]可选地，所述P沟道逻辑电平场效应管的封装结构的封装类型为COB封装。
[0020]本实施例还提出一种封装组件，所述封装组件包括如上所述的P沟道逻辑电平场效应管，所述P沟道逻辑电平场效应管包括第一逻辑电平单元、第二逻辑电平单元和与非门电路；
[0021]所述第一逻辑电平单元的栅极和所述第二逻辑电平单元的栅极相接形成所述P沟道逻辑电平场效应管的引脚1，所述第一逻辑电平单元的第一漏极和所述第二逻辑电平单元的第一漏极相接形成所述P沟道逻辑电平场效应管的引脚3。
[0022]本技术技术方案通过将原有的逻辑电平电路划分为逻辑电平单元，并在逻辑电平单元的第一漏极上新增与非门电路后，通过集成逻辑电平单元的栅极成为用于接收逻辑电平信号的引脚1和集成逻辑电平单元的第一漏极用于输出逻辑电平信号的引脚3，通过将现有的逻辑电平电路集成为逻辑电平场效应管，即实现了逻辑电平电路在电路板上所需面积的缩小，又能保证功能模块在管理模块重上电时的正常运行，避免了电路板面积利用率低的问题，同时集成的逻辑电平场效应管简化了生产流程，避免了不必要的生产安装流程增加的情况。
附图说明
[0023]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0024]图1为本技术P沟道逻辑电平场效应管的内部组件连接示意图；
[0025]图2为本技术P沟道逻辑电平场效应管的封装示意图。
[0026]附图标号说明：
[0027][0028][0029]本技术目的的实现、功能特点及可点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0030]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0031]需要说明，若本技术实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0032]另外，若本技术实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本技术要求的保护范围之内。
[0033]本技术提出一种P沟道逻辑电平场效应管。
[0034]在本技术一实施例中，如图1和图2所示，所述P沟道逻辑电平场效应管包括第一逻辑电平单元10、第二逻辑电平单元20和与非门电路&；
[0035]所述第一逻辑电平单元10的栅极和所述第二逻辑电平单元20的栅极相接形成所述P沟道逻辑电平场效应管的引脚1，所述第一逻辑电平单元10的第一漏极和所述第二逻辑电平单元20的第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种P沟道逻辑电平场效应管，其特征在于，所述P沟道逻辑电平场效应管包括第一逻辑电平单元、第二逻辑电平单元和与非门电路；所述第一逻辑电平单元的栅极和所述第二逻辑电平单元的栅极相接形成所述P沟道逻辑电平场效应管的引脚1，所述第一逻辑电平单元的第一漏极和所述第二逻辑电平单元的第一漏极相接形成所述P沟道逻辑电平场效应管的引脚3。2.如权利要求1所述的P沟道逻辑电平场效应管，其特征在于，所述第一逻辑电平单元包括第一P沟道场效应管；所述第一P沟道场效应管的栅极为所述P沟道逻辑电平场效应管的引脚1，所述第一P沟道场效应管的源极接入预设电源电压。3.如权利要求2所述的P沟道逻辑电平场效应管，其特征在于，所述第一逻辑电平单元还包括第二P沟道场效应管；所述第二P沟道场效应管的栅极与所述第一P沟道场效应管的第一漏极相接，所述第二P沟道场效应管的源极接入所述预设电源电压，所述第二P沟道场效应管的第一漏极与所述与非门电路的第一输入端相接。4.如权利要求3所述的P沟道逻辑电平场效应管，其特征在于，所述第一P沟道场效应管的第二漏极为所述P沟道逻辑电平场效应管的引脚4，所述第二P沟道场效应管的第二漏极为所述P沟道逻辑电平场效应管的引脚5。5.如权利要求4所述的P沟道逻辑电平场效应管，其特征在于，所述第二逻辑电平单元包括第三P沟道场效应管；所述第三P沟道场效应管的栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：周战波，曾学辉，
申请(专利权)人：佛山市尼博微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：