上电缓启动电路、芯片及激光雷达制造技术

本实用新型专利技术提供一种上电缓启动电路、芯片及激光雷达，其中，所述电路包括：开关模块、缓启动模块和负反馈模块，其中：所述开关模块，耦接于电源输入端与电源输出端之间，适于控制电源输入端与电源输出端之间的通路；所述缓启动模块，耦接于所述电源输入端与所述开关模块的控制端之间；所述负反馈模块，耦接于所述电源输出端与所述开关模块的控制端之间；所述缓启动模块和所述负反馈模块通过控制所述开关模块的导通程度，控制电源输出端电压的变化速率。采用上述方案，能够控制电源输出端电压的变化速率，防止电路中产生较大的冲击电流，损坏元器件。坏元器件。坏元器件。

【技术实现步骤摘要】
上电缓启动电路、芯片及激光雷达


[0001]本技术实施例涉及电子电路
，尤其涉及一种上电缓启动电路、芯片及激光雷达。

技术介绍

[0002]在上电电路中通常耦接有用于稳压的电容，且电容的容值较大，然而，电源上电瞬间跳变时，由于电容的充电，会产生较大的冲击电流，该冲击电流会引起较大的功耗，甚至会引起电路中元器件的损坏。
[0003]因此，亟需一种上电缓启动电路，能够控制电源输出端电压的变化速率，防止电路中产生较大的冲击电流，损坏元器件。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本技术实施例提供一种上电缓启动电路，能够有效控制电源输出端电压的变化速率。
[0005]本技术实施例提供了一种上电缓启动电路，包括：开关模块、缓启动模块和负反馈模块，其中：
[0006]所述开关模块，耦接于电源输入端与电源输出端之间，适于控制电源输入端与电源输出端之间的通路；
[0007]所述缓启动模块，耦接于所述电源输入端与所述开关模块的控制端之间；
[0008]所述负反馈模块，耦接于所述电源输出端与所述开关模块的控制端之间；
[0009]所述缓启动模块和所述负反馈模块通过控制所述开关模块的导通程度，控制电源输出端电压的变化速率。
[0010]可选地，所述开关模块包括：第一场效应管，其第一端耦接于所述电源输入端，其第二端耦接于所述电源输出端，其控制端与所述缓启动模块和所述负反馈模块分别耦接。
[0011]可选地，所述缓启动模块包括：主控单元和协控单元，其中：
[0012]所述主控单元，耦接于所述电源输入端与所述开关模块的控制端之间；
[0013]所述协控单元，与所述开关模块的控制端耦接，适于基于所述主控单元的控制信号控制所述开关模块的控制端的电压；
[0014]所述主控单元和所述协控单元适于控制所述开关模块的导通程度。
[0015]可选地，所述主控单元包括：第一电容；所述协控单元包括：第一电阻，其中：
[0016]所述第一电容，其第一端耦接于电源输入端，其第二端分别耦接所述第一电阻和所述开关模块的控制端。
[0017]可选地，所述负反馈模块包括：第二电容和第二电阻，其中：
[0018]所述第二电容，其第一端耦接于所述电源输出端，其第二端分别耦接于所述第二电阻和所述开关模块的控制端。
[0019]可选地，所述主控单元包括：第一电容；所述协控单元包括：第二电阻，其中：
[0020]所述第一电容，其第一端耦接于电源输入端，其第二端分别耦接于所述第二电阻和所述开关模块的控制端；
[0021]所述负反馈模块包括：第二电容和第二电阻，其中：
[0022]所述第二电容，其第一端耦接于所述电源输出端，其第二端分别耦接于所述第二电阻和所述开关模块的控制端。
[0023]可选地，所述第一电容的容值大于所述第二电容的容值。
[0024]可选地，所述负反馈模块还包括：第三电阻，耦接于所述第二电容与所述第二电阻之间；
[0025]所述第三电阻的第一端耦接所述第二电容，所述第三电阻的第二端分别耦接所述第二电阻和所述开关模块的控制端；
[0026]所述第二电容与所述第三电阻的阻抗之和大于所述第一电容的阻抗。
[0027]可选地，所述主控单元包括：检测单元、开关单元；所述协控单元包括：第四电阻，其中：
[0028]所述检测单元，耦接于所述电源输入端和地端之间，且与所述开关单元耦接，适于基于所述电源输入端的电压变化控制所述开关单元的导通和关闭；
[0029]所述开关单元，其第一端耦接于所述电源输入端，其第二端耦接于所述开关模块的控制端，其控制端耦接于所述检测单元；
[0030]所述第四电阻，其第一端分别耦接所述开关单元的第二端和所述开关模块的控制端，其第二端耦接所述检测单元；
[0031]所述检测单元、开关单元和所述第四电阻适于根据所述电源输入端电压的改变及所述电源输入端电压的变化速率控制所述开关模块的导通程度。
[0032]可选地，所述检测单元包括：第五电阻和第三电容，其中：
[0033]所述第五电阻，其第一端耦接于电源输入端，其第二端耦接于所述第三电容的第一端；
[0034]所述第三电容，其第一端分别耦接所述第五电阻的第二端和所述开关单元的控制端。
[0035]可选地，所述开关单元包括：第二场效应管或三极管。
[0036]可选地，所述负反馈模块包括：第四电容和所述第四电阻，其中：
[0037]所述第四电容，其第一端耦接于所述电源输出端，其第二端分别耦接于所述开关模块的控制端和所述第四电阻的第一端。
[0038]本技术实施例还提供了一种芯片，所述芯片包括上述任一实施例所述的上电缓启动电路。
[0039]本技术实施例还提供了一种激光雷达，所述激光雷达采用上述任一实施例所述的上电缓启动电路。
[0040]采用本技术实施例中的上电缓启动电路，通过耦接于所述电源输入端与所述开关模块的控制端之间的缓启动模块，以及耦接于所述电源输出端与所述开关模块的控制端之间的负反馈模块，控制耦接于电源输入端与电源输出端之间的开关模块的导通程度，从而实现控制所述电源输出端电压的变化速率，即缓启动模块和负反馈模块控制开关模块缓慢导通，进而实现电源输出端的电压缓慢上升，从而降低电路启动时产生的冲击电流的
大小，防止电路中的元器件损坏，尤其是防止开关模块的损坏。
[0041]进一步地，所述开关模块可以包括第一场效应管，其第一端耦接于所述电源输入端，其第二端耦接于所述电源输出端，其控制端与所述缓启动模块和所述负反馈模块分别耦接，由于场效应管的成本较低且使用寿命较长，不仅有利于电路的稳定工作，同时能够降低整个电路的成本，利于批量生产。
[0042]进一步地，所述缓启动模块可以包括主控单元和协控单元，通过耦接于所述电源输入端与所述开关模块的控制端之间的主控单元以及与所述开关模块的控制端耦接的协控单元，控制所述开关模块的导通程度，从而实现控制所述电源输出端电压的变化速率，进而降低电路启动时产生的冲击电流的大小，防止电路中的元器件损坏。
[0043]进一步地，所述主控单元可以包括第一电容，所述协控单元可以包括第一电阻，其中所述第一电容，其第一端耦接于电源输入端，其第二端耦接于所述第一电阻的第一端；所述第一电阻，其第二端耦接于接地端，在上电过程中，通过所述第一电阻对所述第一电容进行充电，能够有效延缓所述开关模块的导通时间，进而减缓电源输出端电压的上升速度。
[0044]进一步地，所述负反馈模块可以包括第二电容和第二电阻，其中所述第二电容，其第一端耦接于所述电源输出端，其第二端耦接于所述第二电阻的第一端；所述第二电阻，其第一端耦接于所述第二电容的第二端，其第二端耦接于接地端，在上电过程中，对所述第二电容充电，可以控制所述开关模块的导通程度，即降低开关模块完全导通的速率，从而进一步本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种上电缓启动电路，其特征在于，包括：开关模块、缓启动模块和负反馈模块，其中：所述开关模块，耦接于电源输入端与电源输出端之间，适于控制电源输入端与电源输出端之间的通路；所述缓启动模块，耦接于所述电源输入端与所述开关模块的控制端之间；所述负反馈模块，耦接于所述电源输出端与所述开关模块的控制端之间；所述缓启动模块和所述负反馈模块通过控制所述开关模块的导通程度，控制电源输出端电压的变化速率。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述开关模块包括：第一场效应管，其第一端耦接于所述电源输入端，其第二端耦接于所述电源输出端，其控制端与所述缓启动模块和所述负反馈模块分别耦接。3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述缓启动模块包括：主控单元和协控单元，其中：所述主控单元，耦接于所述电源输入端与所述开关模块的控制端之间；所述协控单元，与所述开关模块的控制端耦接，适于基于所述主控单元的控制信号控制所述开关模块的控制端的电压；所述主控单元和所述协控单元适于控制所述开关模块的导通程度。4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述主控单元包括：第一电容；所述协控单元包括：第一电阻，其中：所述第一电容，其第一端耦接于电源输入端，其第二端分别耦接所述第一电阻和所述开关模块的控制端。5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述负反馈模块包括：第二电容和第二电阻，其中：所述第二电容，其第一端耦接于所述电源输出端，其第二端分别耦接于所述第二电阻和所述开关模块的控制端。6.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述主控单元包括：第一电容；所述协控单元包括：第二电阻，其中：所述第一电容，其第一端耦接于电源输入端，其第二端分别耦接于所述第二电阻和所述开关模块的控制端；所述负反馈模块包括：第二电容和第二电阻，其中：所述第二电容，其第一端耦接于所述电源输出端，其第二端分别耦接于所述第二电阻和所述开关模块的控制端。7.根据权利要求5或6所述的电路，其特征在于，所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓荻秋，田津铭，向少卿，
申请(专利权)人：上海禾赛科技有限公司，
类型：新型
国别省市：