半导体存储装置制造方法及图纸

实施方式提供一种特性良好的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：多个导电层，沿第1方向排列；半导体层，沿第1方向延伸，且与多个导电层对向；电荷蓄积层，设置在多个导电层与半导体层之间；第1构造，在与第1方向交叉的第2方向上与半导体层相隔配置，沿与第1方向及第2方向交叉的第3方向延伸，且与多个导电层对向；以及多个第1氮化膜，覆盖多个导电层的与第1构造的对向面，且包含氮(N)。且包含氮(N)。且包含氮(N)。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置
[0001][相关申请案][0002]本申请案享有以日本专利申请案2021
‑
146058号(申请日：2021年9月8日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。


[0003]本实施方式涉及一种半导体存储装置。

技术介绍

[0004]已知一种半导体存储装置，具备沿第1方向排列的多个导电层、沿第1方向延伸且与多个导电层对向的半导体层、以及设置在多个导电层与半导体层之间的电荷蓄积层。

技术实现思路

[0005]实施方式提供一种特性良好的半导体存储装置。
[0006]一实施方式的半导体存储装置具备：多个导电层，沿第1方向排列；半导体层，沿第1方向延伸，且与多个导电层对向；电荷蓄积层，设置在多个导电层与半导体层之间；第1构造，在与第1方向交叉的第2方向上与半导体层相隔配置，沿与第1方向及第2方向交叉的第3方向延伸，且与多个导电层对向；以及多个第1氮化膜，覆盖多个导电层的与第1构造的对向面，且包含氮(N)。
[0007]另外，多个导电层也可以包本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储装置，具备：多个导电层，沿第1方向排列；半导体层，沿所述第1方向延伸，且与所述多个导电层对向；电荷蓄积层，设置在所述多个导电层与所述半导体层之间；第1构造，在与所述第1方向交叉的第2方向上与所述半导体层相隔配置，沿与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向延伸，且与所述多个导电层对向；以及多个第1氮化膜，覆盖所述多个导电层的与所述第1构造的对向面，且包含氮(N)。2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述多个导电层包含钼(Mo)及钌(Ru)中的至少1种。3.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中所述多个第1氮化膜包含钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、硅(Si)、钛(Ti)及铝(Al)中的至少1种。4.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中所述多个导电层及所述多个第1氮化膜共通包含钼(Mo)及钌(Ru)中的至少1种。5.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，具备多个第2氮化膜，所述多个第2氮化膜覆盖所述多个导电层的在所述第1方向上的一侧及另一侧的面、以及与所述半导体层的对向面，且包含氮(N)。6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中所述多个第2氮化膜包含钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)...

【专利技术属性】
技术研发人员：福岛崇，酒井裕司，糸川宽志，矶贝达典，泽部亮介，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：