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实施方式提供一种特性良好的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：多个导电层，沿第1方向排列；半导体层，沿第1方向延伸，且与多个导电层对向；电荷蓄积层，设置在多个导电层与半导体层之间；第1构造，在与第1方向交叉的第2方向上与半导体层相...
该专利属于铠侠股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过铠侠股份有限公司授权不得商用。

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