一种兼容2G至5G信号的低损耗水平极化漏泄电缆制造技术

技术编号:36849809 阅读:18 留言:0更新日期:2023-03-15 17:06
本发明专利技术公开了一种兼容2G至5G信号的低损耗水平极化漏泄电缆,包括同轴嵌套的内导体和外导体,所述外导体上具有周期性的I型槽孔组;每一周期的节距为P,所述I型槽孔在外导体圆周上具有相同的位置:所述I型槽孔组由多对关于过所述周期中心的横截面对称的I槽孔组成的槽孔对;在一个周期内包括8对I型槽孔对,周期两端向周期中心依次为第一至第八槽孔对,其中每一槽孔对由左槽和右槽构成。本发明专利技术提供的水平极化漏缆,针对2G至5G频段进行优化,在每个周期内设计了8对I型槽孔,实现了频段兼容覆盖,同时其主极化与交叉极化功率差异明显,综合损耗与现有的垂直极化漏缆配合,组建信道不相关性良好的多进多出通信系统。性良好的多进多出通信系统。性良好的多进多出通信系统。

【技术实现步骤摘要】
一种兼容2G至5G信号的低损耗水平极化漏泄电缆


[0001]本专利技术属于无线通信领域,更具体地,涉及一种兼容2G至5G信号的低损耗水平极化漏泄电缆。

技术介绍

[0002]敷设型漏泄同轴电缆的外导体上开得槽孔的间距与波长(或半波长)相当,其槽孔结构使得在槽孔处信号产生同相迭加。外导体上开着周期性变化的槽孔是典型的敷设型漏泄同轴电缆。敷设型漏泄同轴电缆是由外导体上开的槽孔直接敷设产生。槽孔的形状和尺寸严格依据所应用的频率范围而设计,因而敷设型漏泄同轴电缆是基于频率段优化的漏泄同轴电缆,在相关的频率段内具有非常优越的频率特性。而且漏泄的电磁能量具有方向性,相同的漏泄能量可在敷设方向上相对集中,并且不会随距离的增加而迅速减小。
[0003]为了兼容现有的2G~4G通信频段并拓展5G升级,中国专利文献CN113555159A提供了一种5G升级的敷设型漏缆,通过断点八字槽和分段耦合的损耗优化,实现了在2G至5G的宽高频区域的低损耗、长距离电信号通信。
[0004]但断点八字槽的设计,仅适用于垂直极化的漏泄电缆,当通信带宽需要进一步提高时,多组垂直极化的电信号相互之间会产生干扰,导致信噪比降低。通常为了减少多组信号之间的干扰,采用不同的极化类型的漏泄电缆分别进行信号的传输,既垂直极化和水平极化。目前水平极化的漏泄电缆,尚无法兼容2G到5G宽高频信号,同时其在5G频段的传输损耗较大,无法匹配现有的5G敷设区间,尤其是兼容4G通信的5G信号敷设区间。

技术实现思路

[0005]针对现有技术的以上缺陷或改进需求,本专利技术提供了一种水平极化漏泄电缆,其目的在于提供一种使用频宽满足2G至5G频率范围的水平极化漏缆,使之整体辐射性能与现有垂直极化漏缆相匹配,并在5GMIMO频段上与垂直极化漏缆形成极化分集,增加MIMO系统的抗衰落性能,由此解决现有的水平极化漏缆,无法与现有的2G至5G兼容的垂直极化漏缆匹配,采用相同的垂直极化漏缆的MIMO系统,不同信道之间信号互相干扰的技术问题。
[0006]为实现上述目的,按照本专利技术的一个方面,提供了一种水平极化漏泄电缆,其包括同轴嵌套的内导体和外导体,所述外导体上具有周期性的I型槽孔组;每一周期的节距为P,所述I型槽孔在外导体圆周上具有相同的位置:所述I型槽孔组由多对关于过所述周期中心的横截面对称的I槽孔组成的槽孔对;
[0007]在一个周期内包括8对I型槽孔对,周期两端向周期中心依次为第一至第八槽孔对,其中每一槽孔对由左槽和右槽构成;对于左槽或右槽其中一侧的槽孔,第一与第二槽孔之间轴向距离为P/10,第二与第三槽孔之间轴向距离为P/40,第三与第四槽孔之间轴向距离为P/24,第四与第五槽孔之间轴向距离为7P/120,第五与第六槽孔之间轴向距离为P/40,第六与第七槽孔之间轴向距离为P/60,第七与第八槽孔之间轴向距离为P/40。
[0008]优选地,所述水平极化漏泄电缆,其其中最靠近周期中心的第八槽孔对的左槽和
右槽之间的距离在P/20~P/8之间。
[0009]优选地,所述水平极化漏泄电缆,其所述I型槽孔,开孔面积在12mm2至30mm2之间,其沿外导体圆周方向为长度方向,其长度在7~20mm之间;其沿漏泄电缆轴向为宽度方向,其宽度在1.4~3mm之间。
[0010]优选地,所述水平极化漏泄电缆,其在一个敷设区间内,依次首尾连接的长度在140~270米之间的正向第一区段、长度在50~80米之间的正向第二区段、长度在30~60米之间的中间区段、长度在50~80米之间的负向第二区段、以及长度在140~270米之间的负向第一区段。
[0011]优选地,所述水平极化漏泄电缆,其在一个敷设区间内,依次首尾连接的长度在265米之间的正向第一区段、长度在60米之间的正向第二区段、长度在50米之间的中间区段、长度在60米之间的负向第二区段、以及长度在265米之间的负向第一区段。
[0012]优选地,所述水平极化漏泄电缆,其所述正向第一、第二区段分别与负向第一、第二区段具有相同的槽孔。
[0013]优选地,所述水平极化漏泄电缆,其每个区段之间通过调整槽长和槽宽,使得由两端向中间各区段的耦合损耗逐渐减小。
[0014]优选地,所述水平极化漏泄电缆,其正向与负向第一区段的I型槽孔长度在8.2~9.4mm之间,宽度在1.4~1.7mm之间。
[0015]优选地,所述水平极化漏泄电缆,其正向与负向第二区段的I性槽孔长度在10.5~11.2mm之间,宽度在1.7~1.9mm之间。
[0016]优选地,所述水平极化漏泄电缆,其中间区段的槽孔长度在12~13mm之间,宽度在1.9~2.2mm之间。
[0017]总体而言,通过本专利技术所构思的以上技术方案与现有技术相比,能够取得下列有益效果:
[0018]本专利技术提供的水平极化漏缆,针对2G至5G频段进行优化,在每个周期内设计了8对I型槽孔,实现了频段兼容覆盖,同时其主极化与交叉极化功率差异明显,综合损耗与现有的垂直极化漏缆配合,组建信道不相关性良好的多进多出通信系统。
[0019]优选方案,配合分段耦合设计,综合损耗性能优良,能覆盖500米甚至700米的信号传输区间。
附图说明
[0020]图1是本专利技术提供的低损耗水平极化漏泄电缆外导体一个周期内槽孔结构示意图;
[0021]图2是实施例1提供的水平极化漏缆在2600MHz各方向综合损耗对比结果图;
[0022]图3是实施例1提供的水平极化漏缆在运营商2G至5G其他频段上具体特性测试结果。
具体实施方式
[0023]为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合实施例,对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术,并不用于
限定本专利技术。此外,下面所描述的本专利技术各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
[0024]本专利技术提供了一种兼容2G至5G信号的低损耗水平极化漏泄电缆,为1

1/4尺寸规格的漏泄电缆,如图1所示,包括同轴嵌套的内导体和外导体,所述外导体上具有周期性的I型槽孔组;所述I型槽孔在外导体圆周上具有相同的位置,其每一周期的节距为P,根据目前所目标的2G~5G的频段范围,需要槽孔辐射频率范围至少从700~3700Mhz,针对水平极化漏缆P的范围以经验取值确定,在170~270mm的范围内;在一个周期内:
[0025]所述I型槽孔组由多对关于过所述周期中心的横截面对称的I槽孔组成的槽孔对;
[0026]优选方案,在一个周期内包括8对I型槽孔对,周期两端向周期中心依次为第一至第八槽孔对,其中每一槽孔对由左槽和右槽构成;对于左槽或右槽其中一侧的槽孔,第一与第二槽孔之间轴向距离为P/10,第二与第三槽孔之间轴向距离为P/40,第三与第四槽孔之间轴向距离为P/24,第四与第五槽孔之间轴向距离为7P/120,第五与第六槽孔之间轴向距离为P/40,第六与第本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种水平极化漏泄电缆,其特征在于,包括同轴嵌套的内导体和外导体,所述外导体上具有周期性的I型槽孔组;每一周期的节距为P,所述I型槽孔在外导体圆周上具有相同的位置:所述I型槽孔组由多对关于过所述周期中心的横截面对称的I槽孔组成的槽孔对;在一个周期内包括8对I型槽孔对,周期两端向周期中心依次为第一至第八槽孔对,其中每一槽孔对由左槽和右槽构成;对于左槽或右槽其中一侧的槽孔,第一与第二槽孔之间轴向距离为P/10,第二与第三槽孔之间轴向距离为P/40,第三与第四槽孔之间轴向距离为P/24,第四与第五槽孔之间轴向距离为7P/120,第五与第六槽孔之间轴向距离为P/40,第六与第七槽孔之间轴向距离为P/60,第七与第八槽孔之间轴向距离为P/40。2.如权利要求1所述的水平极化漏泄电缆,其特征在于,其中最靠近周期中心的第八槽孔对的左槽和右槽之间的距离在P/20~P/8之间。3.如权利要求1所述的水平极化漏泄电缆,其特征在于,所述I型槽孔,开孔面积在12mm2至30mm2之间,其沿外导体圆周方向为长度方向,其长度在7~20mm之间;其沿漏泄电缆轴向为宽度方向,其宽度在1.4~3mm之间。4.如权利要求1所述的水平极化漏泄电缆,其特征在于,在一个敷设区间内,依次首尾连接的长度在140~270米...

【专利技术属性】
技术研发人员:邱石王念立马国威张乐
申请(专利权)人:武汉长飞通用电缆有限公司
类型:发明
国别省市:

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