一种基于电磁场的芯片检测方法技术

本发明专利技术提供一种基于电磁场的芯片检测方法，涉及芯片检测技术领域。该基于电磁场的芯片检测方法包括：S1：外观检测，将芯片采用检测设备对芯片外观表面上有污染、腐蚀和爆板痕迹的位置进行检测，外观表面检测完毕之后，然后对芯片表面的电路布线规律性进行检测；S2：焊点检测，将芯片采用X射线透视设备对芯片内部焊点以及焊点内部进行检测，然后对芯片通孔内部缺陷和高密度封装的BGA或CSP器件的缺陷焊点进行定位。通过外观检测、焊点检测、内部检测、晶圆检测和封装检测等一系列检测流程，对芯片进行系统的各项检测，将芯片中可能存在质量和功能问题的部位均进行检测排除，对芯片的检测比较全面。检测比较全面。检测比较全面。

【技术实现步骤摘要】
一种基于电磁场的芯片检测方法


[0001]本专利技术涉及芯片检测
，具体为一种基于电磁场的芯片检测方法。

技术介绍

[0002]芯片属于半导体行业，芯片在电路字母中用IC表示，在硅片或者其他半导体材料上，我们都可以看到类似黑色的块状元件，黑的里面就是芯片，黑的就是树脂等塑封材料，一般起到保护电路和导热的作用，芯片是半导体元件的统称，也是大众常说的IC，芯片是指内含集成电路的硅片，是计算机和电子设备的一部分，芯片在电子学中是一种将电路小型化的方式，芯片时常制造在半导体晶圆的表面上。
[0003]随着集成电路芯片技术的发展与普及，集成电路芯片已经广泛运用计算机的各个组成设备之上，当集成电路芯片制造完成之后，就必须经过各项的功能质量检测，各项功能质量均符合要求的集成电路芯片才可以正常投入产品之中进行使用，一般对于集成电路芯片的检测采用的是对集成电路芯片逻辑单元进行检测，然后根据检测结果从而判断芯片是否正常达标，但是上述的检测方式对芯片的检测并不全面，因此，本领域技术人员提出了一种基于电磁场的芯片检测方法，用来解决上述所存在的技术问题。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种基于电磁场的芯片检测方法，解决了现有芯片在进行质量检测时检测不全面的问题。
[0005]为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现：一种基于电磁场的芯片检测方法，包括以下检测步骤：S1：外观检测采用检测设备对芯片外观表面上有污染、腐蚀和爆板痕迹的位置进行检测，外观表面检测完毕之后，对芯片表面的电路布线规律性进行检测；S2：焊点检测采用X射线透视设备对芯片内部焊点以及焊点内部进行检测，焊点检测完毕之后，对芯片通孔内部缺陷和高密度封装的BGA或CSP器件的缺陷焊点进行定位；S3：内部检测采用超声扫描设备的普通频率对芯片内部的裂纹、分层、夹杂物以及空洞进行检测，检测完毕之后，加宽超声扫描设备的频率宽度，对芯片内部焊点的连接处进行检测；S4：晶圆检测将芯片放置于测试平台之上，然后采用探针探到芯片事先确定的测试点之上，然后对探针进行接通，通过探针上的直流电流和交流信号对芯片的电气参数进行测试；S5：封装检测对封装之后的芯片从管脚上进行连线测试，从而完成对封装之后的芯片功能检测。
[0006]优选地，所述S1步骤中,对芯片检测之前采用人工目测的检测方式对表面存在明显瑕疵的芯片进行剔除或者收集，然后对剔除之后的瑕疵芯片进行统一检测。
[0007]优选地，所述S1步骤中，采用的检测设备为立体显微镜、金相显微镜或放大镜中的其中一种或多种。
[0008]优选地，所述X射线透视设备为工业X光透视仪、五维X光透视仪中的其中一种或者多种。
[0009]优选地，所述工业X光透视仪的分辨率为1微米，所述五维X光透视仪的分辨率为0.3
‑
0.5微米。
[0010]优选地，所述超声扫描设备为C模式的超声扫描声学显微镜、扫描电子显微镜中的其中一种或者多种。
[0011]优选地，所述C模式的超声扫描声学显微镜扫描方式为沿着Z轴三秒X
‑
Y平面的方式，所述扫描电子显微镜在扫描线圈的偏转作用下，激发的二次电磁产生，范围为芯片表面5
‑
10微米范围内。
[0012]优选地，所述S4步骤在对芯片的电气参数进行测试时，在存在天然电磁场的无尘室中进行测试；对于光学芯片，在定光条件下进行电气参数的测试。
[0013]优选地，所述S5步骤中的封装检测要求包括单量芯片检测要求和批次芯片检测要求。
[0014]优选地，所述单量芯片检测要求为：有单一项错误则判定此芯片质量功能不符合要求；所述批次芯片检测要求为：有不超过设定的概率错误则判定批次芯片质量功能不符合要求。
[0015]本专利技术提供了一种基于电磁场的芯片检测方法。具备以下有益效果：1、本专利技术通过外观检测、焊点检测、内部检测、晶圆检测和封装检测等一系列检测流程，对芯片在制造完毕之后进行系统的各项检测，将芯片中可能存在质量和功能问题的部位均进行检测排除，对芯片的检测比较全面，便于芯片后续的装载使用。
[0016]2、本专利技术通过对加工完毕的芯片由内到外的全方位检测，在提高芯片良品率的同时，降低了因遗漏检测步骤而造成的瑕疵品概率的出现，并且系统流程化的检测也可以节省质检部门对芯片的检测时间，有利于提高对芯片的检测效率。
[0017]3、本专利技术通过在存在电磁场的环境之中对芯片的电气参数进行检测，由于天然电磁场的电磁强度较低，因而可以检测芯片抗电磁干扰能力的同时也不会因电磁场的电磁干扰对芯片内部造成损坏。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本专利技术的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一个实施例，对于本领域普通技术人员来说，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1是根据本专利技术的一种基于电磁场的芯片检测方法的流程图。
具体实施方式
[0020]下面将结合本专利技术实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，
显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0021]实施例：如图1所示，本专利技术实施例提供一种基于电磁场的芯片检测方法，包括以下检测步骤：S1：外观检测将芯片采用检测设备对芯片外观表面上有污染、腐蚀和爆板痕迹的位置进行检测，外观表面检测完毕之后，然后对芯片表面的电路布线规律性进行检测；S2：焊点检测将芯片采用X射线透视设备对芯片内部焊点以及焊点内部进行检测，焊点检测完毕之后，然后对芯片通孔内部缺陷和高密度封装的BGA或CSP器件的缺陷焊点进行定位；S3：内部检测将芯片采用超声扫描设备的普通频率对芯片内部的裂纹、分层、夹杂物以及空洞进行检测，检测完毕之后，加宽超声扫描设备的频率宽度，对芯片内部焊点的连接处进行检测；S4：晶圆检测将芯片放置于测试平台之上，然后采用探针探到芯片事先确定的测试点之上，然后对探针进行接通，通过探针上的直流电流和交流信号对芯片的电气参数进行测试；S5：封装检测将封装之后的芯片从管脚上进行连线测试，从而完成对封装之后的芯片功能检测。
[0022]S1步骤中对芯片检测之前可以采用人工目测的检测方式对表面存在明显瑕疵的芯片进行剔除或者收集，然后对剔除之后的瑕疵芯片进行统一检测。
[0023]在对芯片进行检测之前，工作人员在接到检测芯片之后，首先可以通过目测的方式对表面存在明显瑕疵的芯片进行剔除，然后将剔除出来有瑕疵的芯片进行统一收集，之后将这些有瑕疵的芯片采用其他检测设备进行再次检测，从检测之前就降低检测芯片的整体基数，可以提高芯片检测效率的同时还可以降低质检部门的工作劳动强度。
[0024]S1步骤中采用的检测设备为立体显微镜、金相显微镜或放本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于电磁场的芯片检测方法，其特征在于，包括：S1：外观检测采用检测设备对芯片外观表面上有污染、腐蚀和爆板痕迹的位置进行检测，外观表面检测完毕之后，对芯片表面的电路布线规律性进行检测；S2：焊点检测采用X射线透视设备对芯片内部焊点以及焊点内部进行检测，焊点检测完毕之后，对芯片通孔内部缺陷和高密度封装的BGA或CSP器件的缺陷焊点进行定位；S3：内部检测采用超声扫描设备的普通频率对芯片内部的裂纹、分层、夹杂物以及空洞进行检测，检测完毕之后，加宽超声扫描设备的频率宽度，对芯片内部焊点的连接处进行检测；S4：晶圆检测将芯片放置于测试平台之上，然后采用探针探到芯片事先确定的测试点之上，然后对探针进行接通，通过探针上的直流电流和交流信号对芯片的电气参数进行测试；S5：封装检测对封装之后的芯片从管脚上进行连线测试，从而完成对封装之后的芯片功能检测。2.根据权利要求1所述的一种基于电磁场的芯片检测方法，其特征在于：所述S1步骤中,对芯片检测之前采用人工目测的检测方式对表面存在明显瑕疵的芯片进行剔除或者收集，然后对剔除之后的瑕疵芯片进行统一检测。3.根据权利要求1所述的一种基于电磁场的芯片检测方法，其特征在于：所述S1步骤中，采用的检测设备为立体显微镜、金相显微镜或放大镜中的其中一种或多种。4.根据权利要求1所述的一种基于电磁场的芯片检测方法，其特征在于：所述X射线透视设备为工业X光透视仪、五...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒙恩，周柯，金庆忍，奉斌，卢柏桦，莫枝阅，姚知洋，
申请(专利权)人：广西电网有限责任公司电力科学研究院，
类型：发明
国别省市：