一种基于电磁场的芯片检测方法技术

本发明专利技术提供一种基于电磁场的芯片检测方法，涉及芯片检测技术领域。该基于电磁场的芯片检测方法包括：S1：外观检测，将芯片采用检测设备对芯片外观表面上有污染、腐蚀和爆板痕迹的位置进行检测，外观表面检测完毕之后，然后对芯片表面的电路布线规律性进行检测；S2：焊点检测，将芯片采用X射线透视设备对芯片内部焊点以及焊点内部进行检测，然后对芯片通孔内部缺陷和高密度封装的BGA或CSP器件的缺陷焊点进行定位。通过外观检测、焊点检测、内部检测、晶圆检测和封装检测等一系列检测流程，对芯片进行系统的各项检测，将芯片中可能存在质量和功能问题的部位均进行检测排除，对芯片的检测比较全面。检测比较全面。检测比较全面。

【技术实现步骤摘要】
一种基于电磁场的芯片检测方法


[0001]本专利技术涉及芯片检测
，具体为一种基于电磁场的芯片检测方法。

技术介绍

[0002]芯片属于半导体行业，芯片在电路字母中用IC表示，在硅片或者其他半导体材料上，我们都可以看到类似黑色的块状元件，黑的里面就是芯片，黑的就是树脂等塑封材料，一般起到保护电路和导热的作用，芯片是半导体元件的统称，也是大众常说的IC，芯片是指内含集成电路的硅片，是计算机和电子设备的一部分，芯片在电子学中是一种将电路小型化的方式，芯片时常制造在半导体晶圆的表面上。
[0003]随着集成电路芯片技术的发展与普及，集成电路芯片已经广泛运用计算机的各个组成设备之上，当集成电路芯片制造完成之后，就必须经过各项的功能质量检测，各项功能质量均符合要求的集成电路芯片才可以正常投入产品之中进行使用，一般对于集成电路芯片的检测采用的是对集成电路芯片逻辑单元进行检测，然后根据检测结果从而判断芯片是否正常达标，但是上述的检测方式对芯片的检测并不全面，因此，本领域技术人员提出了一种基于电磁场的芯片检测方法，用来解决上述所存在的技术问题。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于电磁场的芯片检测方法，其特征在于，包括：S1：外观检测采用检测设备对芯片外观表面上有污染、腐蚀和爆板痕迹的位置进行检测，外观表面检测完毕之后，对芯片表面的电路布线规律性进行检测；S2：焊点检测采用X射线透视设备对芯片内部焊点以及焊点内部进行检测，焊点检测完毕之后，对芯片通孔内部缺陷和高密度封装的BGA或CSP器件的缺陷焊点进行定位；S3：内部检测采用超声扫描设备的普通频率对芯片内部的裂纹、分层、夹杂物以及空洞进行检测，检测完毕之后，加宽超声扫描设备的频率宽度，对芯片内部焊点的连接处进行检测；S4：晶圆检测将芯片放置于测试平台之上，然后采用探针探到芯片事先确定的测试点之上，然后对探针进行接通，通过探针上的直流电流和交流信号对芯片的电气参数进行测试；S5：封装检测对封装之后的芯片从管脚上进行连线测试，从而完成对封装之后的芯片功能检测。2.根据权利要求1所述的一种基于电磁场的芯片检测方法，其特征在于：所述S1步骤中,对芯片检测之前采用人工目测的检测方式对表面存在明显瑕疵的芯片进行剔除或者收集，然后对剔除之后的瑕疵芯片进行统一检测。3.根据权利要求1所述的一种基于电磁场的芯片检测方法，其特征在于：所述S1步骤中，采用的检测设备为立体显微镜、金相显微镜或放大镜中的其中一种或多种。4.根据权利要求1所述的一种基于电磁场的芯片检测方法，其特征在于：所述X射线透视设备为工业X光透视仪、五...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒙恩，周柯，金庆忍，奉斌，卢柏桦，莫枝阅，姚知洋，
申请(专利权)人：广西电网有限责任公司电力科学研究院，
类型：发明
国别省市：