扇出型芯片封装方法技术

本公开实施例提供一种扇出型芯片封装方法，包括：提供载板、多个硅片和多个芯片；分别在多个硅片上形成导电连接结构，以形成多个硅中介板；至少一个硅中介板上的导电连接结构与其它硅中介板上的导电连接结构不同；将每个硅中介板进行切割得到多个硅中介块；从多个硅中介块中选取多个目标硅中介块并将多个目标硅中介块的正面固定于载板；至少一个目标硅中介块的高度与其他目标硅中介块不同；在多个目标硅中介块的背面形成第一塑封体；将多个芯片互连至多个目标硅中介块上。该方法可避免多个芯片互连至多个目标硅中介块上时，目标硅中介块产生翘曲或者破裂；多个目标硅中介块可与多个芯片一次成型，提高了芯片封装的集成度。提高了芯片封装的集成度。提高了芯片封装的集成度。

【技术实现步骤摘要】
扇出型芯片封装方法


[0001]本公开实施例属于半导体封装
，具体涉及一种扇出型芯片封装方法。

技术介绍

[0002]现有的2.5D扇出型封装中的硅中介层主要是连接在芯片与基板之间，将芯片的信号放大并连接到基板上。目前的硅中介层集成度较低，需要提高集成度。但是目前封装越做越薄，且硅中介层上可能会连接多颗芯片。所以当芯片装在硅中介层上后对硅中介层进行减薄的时候，很容易产生翘曲或者硅中介层的破裂。
[0003]针对上述问题，有必要提出一种设计合理且有效解决上述问题的扇出型芯片封装方法。

技术实现思路

[0004]本公开实施例旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种扇出型芯片封装方法。
[0005]本公开实施例提供一种扇出型芯片封装方法，封装方法包括：
[0006]分别提供载板、多个硅片和多个芯片；
[0007]分别在所述多个硅片上形成导电连接结构，以形成多个硅中介板；其中，至少一个所述硅中介板上的所述导电连接结构与其它所述硅中介板上的所述导电连接结构不同；
[0008]将每个所述硅中介板进行切割，以得到多个硅中介块；
[0009]从所述多个硅中介块中选取多个目标硅中介块，并将所述多个目标硅中介块的正面固定于载板；其中，至少一个所述目标硅中介块的高度与其他所述目标硅中介块的高度不同；
[0010]在所述多个目标硅中介块的背面形成第一塑封体；
[0011]将所述多个芯片互连至所述多个目标硅中介块上。
[0012]可选的，所述从所述多个硅中介块中选取所述多个目标硅中介块，并将所述多个目标硅中介块的正面固定于所述载板，包括：
[0013]至少一个所述目标硅中介块的所述导电连接结构与其它目所述目标硅中介块的所述导电连接结构不同。
[0014]可选的，所述分别在所述多个硅片上形成导电连接结构，包括：
[0015]在至少一个所述硅片的正面形成多个盲孔；其中，至少一个所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔与其余所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔不同；
[0016]在所述多个盲孔内填充导电材料，形成所述导电连接结构。
[0017]可选的，所述分别在所述多个硅片上形成导电连接结构，还包括：
[0018]在至少一个所述硅片的正面形成多个盲孔；其中，至少一个所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔与其余所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔不同；
[0019]在所述多个盲孔内填充导电材料；
[0020]将硅片的背面减薄至露出所述多个盲孔，形成所述导电连接结构。
[0021]可选的，所述分别在所述多个硅片上形成导电连接结构，还包括：
[0022]在至少一个所述硅片的正面形成多个盲孔；其中，至少一个所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔与其余所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔不同；
[0023]在所述多个盲孔内填充导电材料；
[0024]在所述多个盲孔上形成重布线层；
[0025]将所述硅片的背面减薄至露出所述个盲孔，形成所述导电连接结构；或者，
[0026]所述分别在所述多个硅片上形成导电连接结构，还包括：
[0027]在至少一个所述硅片的正面形成多个盲孔；其中，至少一个所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔与其余所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔不同；
[0028]在所述多个盲孔内填充导电材料；
[0029]在所述多个盲孔上形成重布线层；
[0030]在所述重布线层上形成多个焊球；
[0031]将所述硅片的背面减薄至露出所述多个盲孔，形成所述导电连接结构。
[0032]可选的，所述在所述多个目标硅中介块的背面形成第一塑封体之后，或者，所述将所述多个芯片互连至所述多个目标硅中介块上之后，还包括：
[0033]在所述第一塑封体沿其厚度方向形成多个第一通孔，并在所述多个第一通孔内填充导电材料形成多个第一导电柱。
[0034]可选的，至少一个所述目标硅中介块的高度低于其他所述目标硅中介块的高度；
[0035]所述将所述多个芯片互连至所述多个目标硅中介块上，包括：
[0036]将所述多个芯片背离所述多个目标硅中介块的一侧形成第二塑封体；
[0037]去除所述载板，通过键合结构，将所述多个芯片和所述第二塑封体朝向所述多个目标硅中介块的一侧与所述多个目标硅中介块的正面进行键合；
[0038]所述将所述多个芯片互连至所述多个目标硅中介块上之后，还包括：
[0039]将所述第一塑封体背离所述多个芯片的一侧进行减薄，以露出所述多个目标硅中介块背面的所述导电连接结构；其中，
[0040]减薄后的高度底的所述目标硅中介块的背面与其他高度的所述目标硅中介块的背面齐平；
[0041]在减薄后的所述多个目标硅中介块的背面形成第一线路层。
[0042]可选的，至少一个所述目标硅中介块的高度低于其他所述目标硅中介块的高度；
[0043]所述将所述多个芯片互连至所述多个目标硅中介块上，还包括：
[0044]将所述多个芯片背离所述多个目标硅中介块的一侧形成第二塑封体；
[0045]将所述第一塑封体背离所述多个目标硅中介块的一侧进行减薄，以露出所述多个目标硅中介块背面的所述导电连接结构；其中，
[0046]减薄后的高度底的所述目标硅中介块的背面与其他高度的所述目标硅中介块的背面齐平；
[0047]通过键合结构，将所述多个芯片和所述第二塑封体朝向所述多个目标硅中介块的一侧与减薄后的所述多个目标硅中介块的背面进行键合；
[0048]所述将所述多个芯片互连至所述多个目标硅中介块上之后，还包括：
[0049]去除所述载板，并在所述多个目标硅中介块的正面形成第一线路层。
[0050]可选的，至少一个所述目标硅中介块的高度低于其他所述目标硅中介块的高度；
[0051]所述将所述多个芯片互连至所述多个目标硅中介块上，还包括：
[0052]将所述多个芯片背离所述多个目标硅中介块的一侧形成第二塑封体；
[0053]将所述第一塑封体背离所述多个目标硅中介块的一侧进行减薄，以露出高度高的所述多个目标硅中介块背面的所述导电连接结构；
[0054]通过第一键合结构，将所述多个芯片和所述第二塑封体朝向所述多个目标硅中介块的一侧与减薄后的所述多个目标硅中介块中高度底的所述目标硅中介块的背面进行键合；
[0055]通过第二键合结构，将所述多个芯片和所述第二塑封体朝向所述多个目标硅中介块的一侧与减薄后的所述多个目标硅中介块中高度高的所述目标硅中介块的背面进行键合；其中，所述第一键合结构的高度大于所述第二键合结构的高度；
[0056]所述将所述多个芯片互连至所述多个目标硅中介块上之后，还包括：
[0057]去除所述载板，并在所述多个目标硅中介块的正面形成第一线路层。
[0058]可选的，在所述多个目标硅中介块本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种扇出型芯片封装方法，其特征在于，封装方法包括：分别提供载板、多个硅片和多个芯片；分别在所述多个硅片上形成导电连接结构，以形成多个硅中介板；其中，至少一个所述硅中介板上的所述导电连接结构与其它所述硅中介板上的所述导电连接结构不同；将每个所述硅中介板进行切割，以得到多个硅中介块；从所述多个硅中介块中选取多个目标硅中介块，并将所述多个目标硅中介块的正面固定于载板；其中，至少一个所述目标硅中介块的高度与其他所述目标硅中介块的高度不同；在所述多个目标硅中介块的背面形成第一塑封体；将所述多个芯片互连至所述多个目标硅中介块上。2.根据权利要求1所述的扇出型芯片封装方法，其特征在于，所述从所述多个硅中介块中选取所述多个目标硅中介块，并将所述多个目标硅中介块的正面固定于所述载板，包括：至少一个所述目标硅中介块的所述导电连接结构与其它目所述目标硅中介块的所述导电连接结构不同。3.根据权利要求1的扇出型芯片封装方法，其特征在于，所述分别在所述多个硅片上形成导电连接结构，包括：在至少一个所述硅片的正面形成多个盲孔；其中，至少一个所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔与其余所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔不同；在所述多个盲孔内填充导电材料，形成所述导电连接结构。4.根据权利要求1所述的扇出型芯片封装方法，其特征在于，所述分别在所述多个硅片上形成导电连接结构，还包括：在至少一个所述硅片的正面形成多个盲孔；其中，至少一个所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔与其余所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔不同；在所述多个盲孔内填充导电材料；将硅片的背面减薄至露出所述多个盲孔，形成所述导电连接结构。5.根据权利要求1所述的扇出型芯片封装方法，其特征在于，所述分别在所述多个硅片上形成导电连接结构，还包括：在至少一个所述硅片的正面形成多个盲孔；其中，至少一个所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔与其余所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔不同；在所述多个盲孔内填充导电材料；在所述多个盲孔上形成重布线层；将所述硅片的背面减薄至露出所述个盲孔，形成所述导电连接结构；或者，所述分别在所述多个硅片上形成导电连接结构，还包括：在至少一个所述硅片的正面形成多个盲孔；其中，至少一个所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔与其余所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔不同；在所述多个盲孔内填充导电材料；在所述多个盲孔上形成重布线层；在所述重布线层上形成多个焊球；将所述硅片的背面减薄至露出所述多个盲孔，形成所述导电连接结构。6.根据权利要求1至5任一项所述的扇出型芯片封装方法，其特征在于，所述在所述多
个目标硅中介块的背面形成第一塑封体之后，或者，所述将所述多个芯片互连至所述多个目标硅中介块上之后，还包括：在所述第一塑封体沿其厚度方向形成多个第一通孔，并在所述多个第一通孔内填充导电材料形成多个第一导电柱。7.根据权利要求1至5任一项所述的扇出型芯片封装方法，其特征在于，至少一个所述目标硅中介块的高度低...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜艳，陶玉娟，石磊，夏鑫，
申请(专利权)人：通富微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：