射频接收模组旁路模式下的无源电路及射频接收模组制造技术

技术编号:36843786 阅读:18 留言:0更新日期:2023-03-15 16:09
本实用新型专利技术公开了一种射频接收模组旁路模式下的无源电路,其包括依次连接的信号输入端、放大单元、输出匹配电路以及信号输出端;所述无源电路还包括连接至所述放大单元的输入端与所述输出匹配电路的输入端之间的衰减电路;所述衰减电路包括第一晶体管、第一通路、第二通路、第三通路以及第二晶体管;所述无源电路处于所述射频接收模组旁路模式时,所述信号输入端接收的信号经过所述衰减电路进行不同程度的衰减后输出至所述输出匹配电路的输入端。本实用新型专利技术的射频接收模组旁路模式下的无源电路实现了对大功率信号进行衰减的功能,进而可以使大功率信号衰减成所需的功率信号以输出至下一级电路。输出至下一级电路。输出至下一级电路。

【技术实现步骤摘要】
射频接收模组旁路模式下的无源电路及射频接收模组


[0001]本技术涉及信号处理
,尤其涉及一种射频接收模组旁路模式下的无源电路及射频接收模组。

技术介绍

[0002]低噪声放大器电路是一种应用于信号接收与发射器件的基本电路,其主要包括放大单元和输出匹配电路等。
[0003]现有的低噪声放大器电路在接收信号时,会存在接收到大功率信号的可能,此时的信号是不需要再次进行放大的,而是需要对信号进行一定程度上的衰减,以使大功率信号衰减成所需的功率信号,从而输出至下一级电路。
[0004]但现有的低噪声放大器电路只存在对信号进行放大的放大单元,其并不存在对接收到的大功率信号进行衰减的相关电路,即现有低噪声放大器电路并不能对大功率信号进行衰减,相应的则是现有的低噪声放大器的下一级电路低功率需求和射频接收模组接收到过大功率信号之间存在矛盾。
[0005]因此,有必要提供一种射频接收模组旁路模式下的无源电路以及射频接收模组来解决上述问题。

技术实现思路

[0006]本技术的目的在于提供一种射频接收模组旁路模式本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频接收模组旁路模式下的无源电路,包括依次连接的信号输入端、放大单元、输出匹配电路以及信号输出端;其特征在于,所述无源电路还包括连接至所述放大单元的输入端与所述输出匹配电路的输入端之间的衰减电路;所述衰减电路包括第一晶体管、第一通路、第二通路、第三通路以及第二晶体管;所述第一晶体管的栅极连接至第一控制极电压,所述第一晶体管的源极作为所述衰减电路的输入端与所述放大单元的输入端连接;所述第一通路的第一端、所述第二通路的第一端以及所述第三通路的第一端均与所述第一晶体管的漏极连接;所述第二晶体管的栅极连接至第二控制极电压,所述第二晶体管的源极分别与所述第一通路的第二端、所述第二通路的第二端以及所述第三通路的第二端连接,所述第二晶体管的漏极作为所述衰减电路的输出端与所述输出匹配电路的输入端连接;所述第一通路、所述第二通路以及所述第三通路分别用于对所述信号输入端输入的信号进行不同程度的衰减;所述无源电路处于所述射频接收模组旁路模式时,所述信号输入端接收的信号经过所述衰减电路进行不同程度的衰减后输出至所述输出匹配电路的输入端。2.如权利要求1所述的射频接收模组旁路模式下的无源电路,其特征在于,所述第一通路包括第三晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻以及第四晶体管;所述第三晶体管的栅极连接至第三控制极电压,所述第三晶体管的源极作为所述第一通路的第一端与所述第一晶体管的漏极连接;所述第一电阻的第一端与所述第三晶体管的漏极连接;所述第二电阻的第一端与所述第一电阻的第二端连接,所述第二电阻的第二端接地;所述第三电阻的第一端与所述第一电阻的第二端连接;所述第四晶体管的栅极连接至第四控制极电压,所述第四晶体管的源极与所述第三电阻的第二端连接,所述第四晶体管的漏极作为所述第一通路的第二端与所述第二晶体管的源极连接。3.如权利要求2所述的射频接收模组旁路模式下的无源电路,其特征在于,所述第二通路包括第五晶体管、第四电阻、第五电阻以及第第六晶体管;所述第五晶体管的栅极连接至第五控制极电压,所述第五晶体管的源极作为所述第二通路的第一端与所述第一晶体管的漏极连接;所述第四电阻的第一端与所述第五晶体管的漏极连接;所述第五电阻的第一端与所述第四电阻的第二端连接;所述第六晶体管的栅极连接至第六控制极电...

【专利技术属性】
技术研发人员:贾钧浩郭嘉帅
申请(专利权)人:深圳飞骧科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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