射频接收模组旁路模式下的无源电路及射频接收模组制造技术

技术编号:36843786 阅读:8 留言:0更新日期:2023-03-15 16:09
本实用新型专利技术公开了一种射频接收模组旁路模式下的无源电路,其包括依次连接的信号输入端、放大单元、输出匹配电路以及信号输出端;所述无源电路还包括连接至所述放大单元的输入端与所述输出匹配电路的输入端之间的衰减电路;所述衰减电路包括第一晶体管、第一通路、第二通路、第三通路以及第二晶体管;所述无源电路处于所述射频接收模组旁路模式时,所述信号输入端接收的信号经过所述衰减电路进行不同程度的衰减后输出至所述输出匹配电路的输入端。本实用新型专利技术的射频接收模组旁路模式下的无源电路实现了对大功率信号进行衰减的功能,进而可以使大功率信号衰减成所需的功率信号以输出至下一级电路。输出至下一级电路。输出至下一级电路。

【技术实现步骤摘要】
射频接收模组旁路模式下的无源电路及射频接收模组


[0001]本技术涉及信号处理
,尤其涉及一种射频接收模组旁路模式下的无源电路及射频接收模组。

技术介绍

[0002]低噪声放大器电路是一种应用于信号接收与发射器件的基本电路,其主要包括放大单元和输出匹配电路等。
[0003]现有的低噪声放大器电路在接收信号时,会存在接收到大功率信号的可能,此时的信号是不需要再次进行放大的,而是需要对信号进行一定程度上的衰减,以使大功率信号衰减成所需的功率信号,从而输出至下一级电路。
[0004]但现有的低噪声放大器电路只存在对信号进行放大的放大单元,其并不存在对接收到的大功率信号进行衰减的相关电路,即现有低噪声放大器电路并不能对大功率信号进行衰减,相应的则是现有的低噪声放大器的下一级电路低功率需求和射频接收模组接收到过大功率信号之间存在矛盾。
[0005]因此,有必要提供一种射频接收模组旁路模式下的无源电路以及射频接收模组来解决上述问题。

技术实现思路

[0006]本技术的目的在于提供一种射频接收模组旁路模式下的无源电路,以解决现有的低噪声放大器的下一级电路低功率需求和射频接收模组接收到过大功率信号之间存在矛盾的问题。
[0007]第一方面,本技术提供了一种射频接收模组旁路模式下的无源电路,其包括依次连接的信号输入端、放大单元、输出匹配电路以及信号输出端;所述无源电路还包括连接至所述放大单元的输入端与所述输出匹配电路的输入端之间的衰减电路;
[0008]所述衰减电路包括第一晶体管、第一通路、第二通路、第三通路以及第二晶体管;
[0009]所述第一晶体管的栅极连接至第一控制极电压,所述第一晶体管的源极作为所述衰减电路的输入端与所述放大单元的输入端连接;
[0010]所述第一通路的第一端、所述第二通路的第一端以及所述第三通路的第一端均与所述第一晶体管的漏极连接;
[0011]所述第二晶体管的栅极连接至第二控制极电压,所述第二晶体管的源极分别与所述第一通路的第二端、所述第二通路的第二端以及所述第三通路的第二端连接,所述第二晶体管的漏极作为所述衰减电路的输出端与所述输出匹配电路的输入端连接;
[0012]所述第一通路、所述第二通路以及所述第三通路分别用于对所述信号输入端输入的信号进行不同程度的衰减;所述无源电路处于所述射频接收模组旁路模式时,所述信号输入端接收的信号经过所述衰减电路进行不同程度的衰减后输出至所述输出匹配电路的输入端。
[0013]更优的,所述第一通路包括第三晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻以及第四晶体管;
[0014]所述第三晶体管的栅极连接至第三控制极电压,所述第三晶体管的源极作为所述第一通路的第一端与所述第一晶体管的漏极连接;
[0015]所述第一电阻的第一端与所述第三晶体管的漏极连接;
[0016]所述第二电阻的第一端与所述第一电阻的第二端连接,所述第二电阻的第二端接地;
[0017]所述第三电阻的第一端与所述第一电阻的第二端连接;
[0018]所述第四晶体管的栅极连接至第四控制极电压,所述第四晶体管的源极与所述第三电阻的第二端连接,所述第四晶体管的漏极作为所述第一通路的第二端与所述第二晶体管的源极连接。
[0019]更优的,所述第二通路包括第五晶体管、第四电阻、第五电阻以及第第六晶体管;
[0020]所述第五晶体管的栅极连接至第五控制极电压,所述第五晶体管的源极作为所述第二通路的第一端与所述第一晶体管的漏极连接;
[0021]所述第四电阻的第一端与所述第五晶体管的漏极连接;
[0022]所述第五电阻的第一端与所述第四电阻的第二端连接;
[0023]所述第六晶体管的栅极连接至第六控制极电压,所述第六晶体管的源极与所述第五电阻的第二端连接,所述第六晶体管的漏极作为第二通路的第二端与所述第二晶体管源极连接。
[0024]更优的,所述第三通路包括第七晶体管、第六电阻以及第八晶体管;
[0025]所述第七晶体管的栅极连接至第七控制极电压,所述第七晶体管的源极作为所述第三通路的第一端与所述第一晶体管的漏极连接;
[0026]所述第六电阻的第一端与所述第七晶体管的漏极连接;
[0027]所述第八晶体管的栅极连接至第八控制极电压,所述第八晶体管的源极与所述第六电阻的第二端连接,所述第八晶体管的漏极作为第三通路的第二端与所述第二晶体管的源极连接。
[0028]更优的,所述衰减电路还包括第一电容,所述第一电容串联至所述第二晶体管的漏极与所述输出匹配电路的输入端之间。
[0029]更优的,所述放大单元包括第九晶体管以及第十晶体管;
[0030]所述第九晶体管的栅极作为所述放大单元的输入端并与所述信号输入端连接,所述第九晶体管的源极接地;
[0031]所述第十晶体管的栅极连接至供电电压,所述第十晶体管的源极与所述第九晶体管的漏极连接,所述第十晶体管的漏极与所述输出匹配电路的输入端连接。
[0032]更优的,所述放大单元还包括反馈电感,所述反馈电感的第一端与所述第九晶体管的源极连接,所述反馈电感的第二端接地。
[0033]更优的,所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管、所述第七晶体管、所述第八晶体管、所述第九晶体管以及所述第十晶体管均为NMOS管。
[0034]更优的,所述输出匹配电路包括供电电感和第二电容;
[0035]所述供电电感的第一端连接至电源电压;
[0036]所述第二电容的第一端与所述供电电感的第二端连接并作为所述输出匹配电路的输入端,所述第二电容的第二端与所述信号输出端连接。
[0037]第二方面,本技术提供了一种射频接收模组,所述射频接收模组包括如上所述的射频接收模组旁路模式下的无源电路。
[0038]与现有技术相比,本技术的射频接收模组旁路模式下的无源电路通过在放大单元的输入端与输出匹配电路的输入端之间增设用于对信号输入端接收的信号进行不同程度衰减的衰减电路,并将衰减后的信号输出至输出匹配电路的输入端,从而实现了对大功率信号进行衰减后输出的功能,进而可以使大功率信号衰减成所需的功率信号以输出至下一级电路,即解决了现有低噪声放大器的下一级电路低功率需求和射频接收模组接收到过大功率信号之间存在的矛盾。
【附图说明】
[0039]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图,其中:
[0040]图1为本技术实施例提供的一种射频接收模组旁路模式下的无源电路的电路图。
【具体实施方式】
[0041]下面将结合本技术实施例中的附图,对本实本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频接收模组旁路模式下的无源电路,包括依次连接的信号输入端、放大单元、输出匹配电路以及信号输出端;其特征在于,所述无源电路还包括连接至所述放大单元的输入端与所述输出匹配电路的输入端之间的衰减电路;所述衰减电路包括第一晶体管、第一通路、第二通路、第三通路以及第二晶体管;所述第一晶体管的栅极连接至第一控制极电压,所述第一晶体管的源极作为所述衰减电路的输入端与所述放大单元的输入端连接;所述第一通路的第一端、所述第二通路的第一端以及所述第三通路的第一端均与所述第一晶体管的漏极连接;所述第二晶体管的栅极连接至第二控制极电压,所述第二晶体管的源极分别与所述第一通路的第二端、所述第二通路的第二端以及所述第三通路的第二端连接,所述第二晶体管的漏极作为所述衰减电路的输出端与所述输出匹配电路的输入端连接;所述第一通路、所述第二通路以及所述第三通路分别用于对所述信号输入端输入的信号进行不同程度的衰减;所述无源电路处于所述射频接收模组旁路模式时,所述信号输入端接收的信号经过所述衰减电路进行不同程度的衰减后输出至所述输出匹配电路的输入端。2.如权利要求1所述的射频接收模组旁路模式下的无源电路,其特征在于,所述第一通路包括第三晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻以及第四晶体管;所述第三晶体管的栅极连接至第三控制极电压,所述第三晶体管的源极作为所述第一通路的第一端与所述第一晶体管的漏极连接;所述第一电阻的第一端与所述第三晶体管的漏极连接;所述第二电阻的第一端与所述第一电阻的第二端连接,所述第二电阻的第二端接地;所述第三电阻的第一端与所述第一电阻的第二端连接;所述第四晶体管的栅极连接至第四控制极电压,所述第四晶体管的源极与所述第三电阻的第二端连接,所述第四晶体管的漏极作为所述第一通路的第二端与所述第二晶体管的源极连接。3.如权利要求2所述的射频接收模组旁路模式下的无源电路,其特征在于,所述第二通路包括第五晶体管、第四电阻、第五电阻以及第第六晶体管;所述第五晶体管的栅极连接至第五控制极电压,所述第五晶体管的源极作为所述第二通路的第一端与所述第一晶体管的漏极连接;所述第四电阻的第一端与所述第五晶体管的漏极连接;所述第五电阻的第一端与所述第四电阻的第二端连接;所述第六晶体管的栅极连接至第六控制极电...

【专利技术属性】
技术研发人员:贾钧浩郭嘉帅
申请(专利权)人:深圳飞骧科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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