半导体制造装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

实施方式提供一种能够对衬底的端部上所设置的膜恰当地进行处理的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体制造装置具备对衬底的端部上所设置的膜进行处理的处理部。所述装置还具备检测所述衬底的端部形状相关的信息的检测部。所述装置还具备控制部，所述控制部基于所述衬底的端部的形状相关的所述信息，控制利用所述处理部对所述膜实施的处理。的处理。的处理。

【技术实现步骤摘要】
半导体制造装置及半导体装置的制造方法
[0001][相关申请的交叉参考][0002]本申请享有以日本专利申请2021
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146477号(申请日：2021年9月8日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。


[0003]本专利技术的实施方式涉及一种半导体制造装置及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0004]在对衬底上的膜进行处理(例如蚀刻)时，有时难以对衬底的端部上所设置的膜恰当地进行处理。

技术实现思路

[0005]本专利技术要解决的问题在于提供一种能够对衬底的端部上所设置的膜恰当地进行处理的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。
[0006]实施方式的半导体制造装置具备对衬底的端部上所设置的膜进行处理的处理部。所述装置还具备检测所述衬底的端部形状相关的信息的检测部。所述装置还具备控制部，所述控制部基于所述衬底的端部形状相关的所述信息，控制利用所述处理部对所述膜实施的处理。
附图说明
[0007]图1是示意性地表示第1实施方式的半导体制造装置的构造的剖视图。
[0008]图2(a)、图2(b)、图2(c)是用来说明第1实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图。
[0009]图3(a)、图3(b)是表示第1实施方式的检测部的示例的剖视图。
[0010]图4(a)、图4(b)是用来说明第1实施方式的药液供给部的动作的剖视图。
[0011]图5是表示第1实施方式的第1变化例的半导体制造装置的构造的剖视图。
[0012]图6(a)、图6(b)是表示第1实施方式的第2及第3变化例的半导体制造装置的构造的立体图。
[0013]图7(a)、图7(b)是表示第1实施方式的第4及第5变化例的半导体制造装置的构造的剖视图。
[0014]图8(a)、图8(b)、图8(c)是表示第2实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图。
具体实施方式
[0015]以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。图1至图8中，对相同的构成标注相同符号，并省略重复说明。
[0016](第1实施方式)
[0017]图1是示意性地表示第1实施方式的半导体制造装置的构造的剖视图。
[0018]本实施方式的半导体制造装置具备：作为收容部的示例的处理腔室11、载台12、旋转轴13、搬送部14、作为处理部的示例的药液供给部15、检测部16、及控制部17。本实施方式的半导体处理装置例如用于对被处理衬底1进行处理。
[0019]图1中示出了相互垂直的X方向、Y方向、及Z方向。该说明书中，将+Z方向处理成上方向，将
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Z方向处理成下方向。
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Z方向可与重力方向一致，也可以与重力方向不一致。
[0020]本实施方式的被处理衬底1包含衬底1a、及设置在衬底1a上的膜1b。衬底1a例如为硅晶圆等半导体晶圆。图1中示出了衬底1a的正面(上表面)S1、衬底1a的背面(下表面)S2、及衬底1a的中心轴C。衬底1a包含：中央部R1，具有大致平坦的正面S1及背面S2；以及斜面部(圆形部)R2，具有弯曲的正面S1及背面S2。图1中，中央部R1的正面S1及背面S2与X方向平行，且与Y方向平行，与Z方向垂直。本实施方式的膜1b形成在中央部R1及斜面部R2上。膜1b例如包含各种器件层、配线层、插塞层、电极层、层间绝缘膜等。本实施方式中，膜1b包含氧化硅膜作为层间绝缘膜，该氧化硅膜形成在中央部R1及斜面部R2上。斜面部R2是衬底1a的端部的示例。
[0021]本实施方式的半导体处理装置例如为湿式蚀刻装置，用来利用药液对膜1b进行蚀刻。本实施方式的药液(蚀刻液)只要能蚀刻膜1b，便可以是任何液体。关于该蚀刻的更详细内容，将在下文中叙述。
[0022]接下来，对本实施方式的半导体制造装置的各构成要素进行说明。
[0023]处理腔室11能够收容被处理衬底1。本实施方式的被处理衬底1在处理腔室11内载置于载台12上，利用旋转轴13而以旋转轴C为中心进行旋转。载台12设置在处理腔室11内，旋转轴13在处理腔室11内安装在载台12的下表面。旋转轴13通过使载台12旋转，可使载台12上的被处理衬底1旋转。
[0024]搬送部14在本实施方式的半导体制造装置内搬送被处理衬底1。搬送部14例如能够将被处理衬底1搬入处理腔室11内，或从处理腔室11中搬出被处理衬底1。
[0025]药液供给部15对载台12上的被处理衬底1供给药液，利用药液对膜1b进行处理(蚀刻)。进行该蚀刻是为了例如通过蚀刻将衬底1a的斜面部R2上所形成的膜1b去除。本实施方式的药液供给部15具备对膜1b喷出药液的喷嘴，图1中示出了药液供给部15的喷嘴的一例。
[0026]检测部16检测被处理衬底1相关的信息，例如检测衬底1a的斜面部R2的形状相关的信息(斜面信息)。检测部16也可以从处理腔室11外的被处理衬底1检测斜面信息等信息，但在本实施方式中是从处理腔室11内的被处理衬底1检测斜面信息等信息。由此，能够在即将对被处理衬底1进行处理之前识别被处理衬底1的状态。图1中示出了在被处理衬底1载置于载台12上的状态下从被处理衬底1检测斜面信息的情况。检测部16也可以如下所述那样以图像数据或光学测定数据的形式检测斜面信息。检测部16也可以进而检测衬底1a的翘曲相关的信息(翘曲信息)、衬底1a的凹口相关的信息(凹口信息)、衬底1a的偏心量相关的信息(偏心量信息)。
[0027]控制部17对半导体制造装置的各种动作进行控制。控制部17例如对利用旋转轴13实现的被处理衬底1的旋转、利用搬送部14对被处理衬底1进行的搬送、利用药液供给部15进行的药液供给、利用检测部16进行的信息检测等进行控制。本实施方式中，检测部16输出被处理衬底1相关的信息的检测结果，控制部17基于该检测结果，控制利用药液供给部15对
膜1b实施的处理(蚀刻)。例如，控制部17基于斜面信息、翘曲信息、凹口信息、及偏心量信息，对斜面部R2上的膜1b的蚀刻进行控制。关于该控制的更详细内容，将在下文中叙述。
[0028]图2是用来说明第1实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图。
[0029]图2(a)与图1同样，示出了蚀刻前的被处理衬底1。图2(a)进而示出了衬底1a的中央部R1与斜面部R2的交界面L。本实施方式的交界面L的形状例如为圆筒形的侧面形状。俯视下斜面部R2的宽度、也就是斜面部R2的外径与内径的差例如为0.1～1.0mm。被处理衬底1的形状通过药液供给部15所进行的蚀刻而变为例如图2(b)或图2(c)所示的形状。
[0030]图2(b)中示出了蚀刻后的被处理衬底1的示例。图2(b)中，中央部R1上的膜1b的一部分被去除，且斜面部R2上的膜1b全部被去除。图2(b)中，膜1b的切割位置位于中央部R1上。
[0031]图2(c)中示出了蚀刻后的被处理衬底1的另一例。图2(c)中，中央部R1上的膜1b未被去除，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体制造装置，具备：处理部，对衬底的端部上所设置的膜进行处理；检测部，检测所述衬底的端部形状相关的信息；以及控制部，基于所述衬底的端部形状相关的所述信息，控制利用所述处理部对所述膜实施的处理。2.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其中所述处理部利用液体对所述膜进行蚀刻，所述控制部控制利用所述处理部对所述膜实施的蚀刻。3.根据权利要求2所述的半导体制造装置，其中所述控制部以所述膜残留在所述衬底的端部上的方式，控制利用所述处理部对所述膜实施的蚀刻。4.根据权利要求2所述的半导体制造装置，其中所述处理部包含对所述膜喷出所述液体的喷嘴。5.根据权利要求4所述的半导体制造装置，其中所述控制部通过控制所述喷嘴相对于所述衬底的位置或角度，而对所述膜的蚀刻进行控制。6.根据权利要求4所述的半导体制造装置，其中所述喷嘴在所述衬底的上方边旋转边喷出所述液体。7.根据权利要求2所述的半导体制造装置，其中所述处理部包含：第1喷嘴，相对于所述衬底具有第1角度，对所述膜喷出所述液体；以及第2喷嘴，相对于所述衬底具有不同于所述第1角度的第2角度，对所述膜喷出所述液体；所述控制部基于所述衬底的端部形状相关的所述信息来选择所述第1或第2喷嘴，并控制利用所选择的喷嘴对所述膜实施的蚀刻。8.根据权利要求2所述的半导体制造装置，其还具备对所述膜供给气体的气体供给部。9.根据权利要求8所述的半导体制造装置，其中所述气体供给部包含对所述膜喷出所述气体的气体喷嘴，所述控制部通过控制所述气体喷嘴相对于所述衬底的位置或角度，而对所述膜的蚀刻进行控制。10.根据权利要求8所述的半导体制造装置，其中所述膜设置在所述衬底的第1面侧，所述处理部将所述液体供给到所述衬底的第2面侧，所述气体供给部将所述气体供给到所述衬底的第1面侧。11.根据权利要求2所述的半导体制造装置，其还具备将对所述膜供给的所述液体...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤冬马，饭森弘恭，村木信介，明星裕也，圆山洋介，中冈聡，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：