基板处理方法技术

本发明专利技术公开了一种基板处理方法，包括以下步骤：S1：将已镀有第一金属层的基板从第一电镀腔室向第二电镀腔室进行传输；S2：将基板传输至第二电镀腔室后，在基板的正面形成水膜层；S3：在第一金属层之上电镀第二金属层。本发明专利技术通过在电镀腔室内进行电镀前形成水膜层的步骤，具有避免两金属层之间发生分层，解决产品凹陷异常的优点。品凹陷异常的优点。品凹陷异常的优点。

【技术实现步骤摘要】
基板处理方法


[0001]本专利技术涉及半导体电镀
，尤其涉及一种基板处理方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造领域，通常采用电镀制程制备金属层，例如晶圆在经过化学气相沉积、溅射等制程形成金属种子层后，进行光刻制程：涂布光刻胶、曝光、显影，形成显露金属种子层的图案，再进行电镀制程，以形成金属层，如依次形成铜层、镍层和金层。在电镀过程中，由于光刻胶的胶厚及开口大小因素，在电镀前有一道预湿润工艺，目的是让胶坑里面充满水，使基板在与电镀液接触时，电镀液能更顺利地进入胶坑，提高离子传输效率。
[0003]预湿润工艺通常是在镀铜之前进行，而封装电镀需在不同的电镀腔室电镀不同的金属层，因此基板要经过多次传输，在传输过程中，水分容易蒸发，损失。
[0004]例如在镀铜之后镀镍时，若基板表面和胶坑的水分蒸发干，会导致镀镍的电镀液很难进入胶坑，从而导致镍层和铜层之间发生分层现象，造成产品凹陷异常。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于解决现有技术中不同的电镀金属层之间发生分层，导致产品凹陷异常的问题。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提出的基板处理方法，包括以下步骤：
[0007]S1：将已镀有第一金属层的基板从第一电镀腔室向第二电镀腔室进行传输；
[0008]S2：将基板传输至第二电镀腔室后，在基板的正面形成水膜层；
[0009]S3：在第一金属层之上电镀第二金属层。
[0010]采用上述技术方案，基板进入第二电镀腔室后，先在已经镀有第一金属层的基板的正面形成水膜层，以消除基板表面的水分在传输过程中因蒸发对电镀工艺造成的不良影响，接着再在第一金属层的上表面电镀第二金属层，此时第二金属层的电镀液能够顺利进入胶坑，与第一金属层充分接触，能够避免第二金属层与第一金属层之间发生分层。因此，该基板处理方法通过电镀前形成水膜层的步骤，具有避免两金属层之间发生分层，解决产品凹陷异常的优点。
[0011]另外，上述技术方案中，是在基板进入第二电镀腔室后，在其正面形成水膜层，而无需在额外的预湿润腔室中预湿润，进而可以省略将基板从预湿润腔室传输至第二电镀腔室的工艺步骤，能够节约设备空间，缩短工艺等待时间，提高生产效率。
[0012]进一步地，本专利技术提出的基板处理方法中的步骤S2包括：
[0013]S21：采用基板卡盘夹持基板以带动基板旋转，以及采用第二电镀腔室内的喷射装置向基板正面喷射水膜形成液以形成所述水膜层，设置基板卡盘的转速、喷射装置的喷射时间和喷射流量；
[0014]S22：使所述基板根据设定的转速进行旋转，同时所述第二电镀腔室内的喷射装置根据设定的喷射时间和喷射流量向所述基板的正面喷射水膜形成液，以形成所述水膜层。
[0015]采用上述技术方案，利用第二电镀腔室内的喷射装置根据预先设置的喷射时间和流量，向基板的正面喷射水膜形成液，一方面能够清洗干净基板正面上的前一道电镀工序的电镀液残留，防止交叉污染，另一方面形成水膜层能够防止基板正面干燥，消除水分蒸发对电镀工艺造成的不良影响。通过设置相应的喷射流量，能够避免流量太小，导致清洗不干净基板表面电镀液残留，造成交叉污染；同时也避免流量太大，导致不容易形成均匀的水膜层。通过设置相应的转速，能够避免基板转速太小，造成落水量大；同时也避免转速太大，将基板表面水分甩干，不利于水膜层的形成。
[0016]进一步地，喷射装置喷射出的水膜形成液的形状为扇形，水膜形成液为去离子水。
[0017]采用上述技术方案，能够使水膜形成液均匀地覆盖在基板表面。
[0018]进一步地，本专利技术提出的基板处理方法中的步骤S1包括：
[0019]S11：将基板置于第一电镀腔室内，以在基板的正面电镀第一金属层，其中，基板的正面朝下；
[0020]S12：将基板从第一电镀腔室内移出，并保持基板的正面朝下，直至将基板传输至第二电镀腔室。
[0021]采用上述技术方案，对现有的基板传输方式进行改进，使基板从第一电镀腔室到第二电镀腔室内的传输过程中，始终保持基板的正面朝向方向不变，以此缩短基板从第一电镀腔室到第二电镀腔室所需的时间，具有节省时间，提高生产效率的优点。
[0022]进一步地，上述步骤S11包括：
[0023]S101：将基板传输至第一电镀腔室后，选择是否需要由第一电镀腔室内的喷射装置向基板的正面喷射水膜形成液，若需要，则通过第一电镀腔室内的喷射装置向基板的正面喷射水膜形成液，然后进入步骤S102，若不需要，则直接进入步骤S102；
[0024]S102：在基板的正面电镀第一金属层。
[0025]采用上述技术方案，通过根据实际工艺需求来选择是否需要由第一电镀腔室内的喷射装置向基板的正面喷射水膜形成液，能够确保更好的电镀效果。
[0026]进一步地，本专利技术提出的基板处理方法，在步骤S1之前还包括：
[0027]S01：将基板从临时放置区移出，基板的正面朝上；
[0028]S02：将基板向第一电镀腔室进行传输，并在传输过程中使基板的正面由朝上改变为朝下。
[0029]采用上述技术方案，在基板从临时放置区传输至第一电镀腔室的传输过程中，采用边传输边翻转的传输方式，有效缩短了基板从临时放置区到第一电镀腔室所需的时间(Q
‑
time)。
[0030]进一步地，本专利技术提出的基板处理方法，还包括以下步骤：
[0031]S4：将基板从第二电镀腔室内移出，并保持基板的正面朝下，直至将基板传输至第三电镀腔室；
[0032]S5：将基板传输至第三电镀腔室后，在第二金属层之上电镀第三金属层。
[0033]采用上述技术方案，对现有的基板传输方式进行改进，使基板从第二电镀腔室到第三电镀腔室内的传输过程中，始终保持基板的正面朝向方向不变，使得基板从第二电镀腔室到第三电镀腔室所需的时间(Q
‑
time)时间有效缩短。
[0034]进一步地，上述步骤S5包括：
[0035]S501：将基板传输至第三电镀腔室后，选择是否需要由第三电镀腔室内的喷射装置向基板的正面喷射水膜形成液，若需要，则通过第三电镀腔室内的喷射装置向基板的正面喷射水膜形成液，然后进入步骤S502，若不需要，则直接进入步骤S502；
[0036]S502：在第二金属层之上电镀第三金属层。
[0037]进一步地，本专利技术提出的基板处理方法，还包括以下步骤：
[0038]S6：将基板从第三电镀腔室中移出，基板的正面朝下；
[0039]S7：将基板向清洗腔室进行传输，并在传输过程中使基板的正面由朝下改变为朝上；
[0040]S8：对进入清洗腔室内的基板进行清洗和干燥。
[0041]采用上述技术方案，在基板从第三电镀腔室向清洗腔室传输的传输过程中，采用边传输边翻转的传输方式，有效缩短了基板从从第三电镀腔室到清洗腔室所需的时间(Q
‑
time)，具有提高产能的优本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：将已镀有第一金属层的基板从第一电镀腔室向第二电镀腔室进行传输；S2：将所述基板传输至所述第二电镀腔室后，在所述基板的正面形成水膜层；S3：在所述第一金属层之上电镀第二金属层。2.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述步骤S2包括：S21：采用基板卡盘夹持基板以带动基板旋转，以及采用第二电镀腔室内的喷射装置向基板正面喷射水膜形成液以形成所述水膜层，设置基板卡盘的转速、喷射装置的喷射时间和喷射流量；S22：使所述基板根据设定的转速进行旋转，同时所述第二电镀腔室内的喷射装置根据设定的喷射时间和喷射流量向所述基板的正面喷射水膜形成液，以形成所述水膜层。3.如权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，所述喷射装置喷射出的所述水膜形成液的形状为扇形，所述水膜形成液为去离子水。4.如权利要求1～3任一项所述的基板处理方法，其特征在于，所述步骤S1包括：S11：将所述基板置于所述第一电镀腔室内，以在所述基板的正面电镀所述第一金属层，其中，所述基板的正面朝下；S12：将所述基板从所述第一电镀腔室内移出，并保持所述基板的正面朝下，直至将所述基板传输至所述第二电镀腔室。5.如权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于，所述步骤S11包括：S101：将所述基板传输至所述第一电镀腔室后，选择是否需要由所述第一电镀腔室内的喷射装置向所述基板的正面喷射水膜形成液，若需要，则通过所述第一电镀腔室内的喷射装置向所述基板的正面...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴勐，陆陈华，贾照伟，操全，王坚，王晖，
申请(专利权)人：盛美半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：