基板处理方法技术

本发明专利技术公开了一种基板处理方法，包括以下步骤：S1：将已镀有第一金属层的基板从第一电镀腔室向第二电镀腔室进行传输；S2：将基板传输至第二电镀腔室后，在基板的正面形成水膜层；S3：在第一金属层之上电镀第二金属层。本发明专利技术通过在电镀腔室内进行电镀前形成水膜层的步骤，具有避免两金属层之间发生分层，解决产品凹陷异常的优点。品凹陷异常的优点。品凹陷异常的优点。

【技术实现步骤摘要】
基板处理方法


[0001]本专利技术涉及半导体电镀
，尤其涉及一种基板处理方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造领域，通常采用电镀制程制备金属层，例如晶圆在经过化学气相沉积、溅射等制程形成金属种子层后，进行光刻制程：涂布光刻胶、曝光、显影，形成显露金属种子层的图案，再进行电镀制程，以形成金属层，如依次形成铜层、镍层和金层。在电镀过程中，由于光刻胶的胶厚及开口大小因素，在电镀前有一道预湿润工艺，目的是让胶坑里面充满水，使基板在与电镀液接触时，电镀液能更顺利地进入胶坑，提高离子传输效率。
[0003]预湿润工艺通常是在镀铜之前进行，而封装电镀需在不同的电镀腔室电镀不同的金属层，因此基板要经过多次传输，在传输过程中，水分容易蒸发，损失。
[0004]例如在镀铜之后镀镍时，若基板表面和胶坑的水分蒸发干，会导致镀镍的电镀液很难进入胶坑，从而导致镍层和铜层之间发生分层现象，造成产品凹陷异常。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于解决现有技术中不同的电镀金属层之间发生分层，导致产品凹陷异常的问题。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：将已镀有第一金属层的基板从第一电镀腔室向第二电镀腔室进行传输；S2：将所述基板传输至所述第二电镀腔室后，在所述基板的正面形成水膜层；S3：在所述第一金属层之上电镀第二金属层。2.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述步骤S2包括：S21：采用基板卡盘夹持基板以带动基板旋转，以及采用第二电镀腔室内的喷射装置向基板正面喷射水膜形成液以形成所述水膜层，设置基板卡盘的转速、喷射装置的喷射时间和喷射流量；S22：使所述基板根据设定的转速进行旋转，同时所述第二电镀腔室内的喷射装置根据设定的喷射时间和喷射流量向所述基板的正面喷射水膜形成液，以形成所述水膜层。3.如权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，所述喷射装置喷射出的所述水膜形成液的形状为扇形，所述水膜形成液为去离子水。4.如权利要求1～3任一项所述的基板处理方法，其特征在于，所述步骤S1包括：S11：将所述基板置于所述第一电镀腔室内，以在所述基板的正面电镀所述第一金属层，其中，所述基板的正面朝下；S12：将所述基板从所述第一电镀腔室内移出，并保持所述基板的正面朝下，直至将所述基板传输至所述第二电镀腔室。5.如权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于，所述步骤S11包括：S101：将所述基板传输至所述第一电镀腔室后，选择是否需要由所述第一电镀腔室内的喷射装置向所述基板的正面喷射水膜形成液，若需要，则通过所述第一电镀腔室内的喷射装置向所述基板的正面...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴勐，陆陈华，贾照伟，操全，王坚，王晖，
申请(专利权)人：盛美半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：