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本发明公开了一种基板处理方法,包括以下步骤:S1:将已镀有第一金属层的基板从第一电镀腔室向第二电镀腔室进行传输;S2:将基板传输至第二电镀腔室后,在基板的正面形成水膜层;S3:在第一金属层之上电镀第二金属层。本发明通过在电镀腔室内进行电镀前...该专利属于盛美半导体设备(上海)股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过盛美半导体设备(上海)股份有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种基板处理方法,包括以下步骤:S1:将已镀有第一金属层的基板从第一电镀腔室向第二电镀腔室进行传输;S2:将基板传输至第二电镀腔室后,在基板的正面形成水膜层;S3:在第一金属层之上电镀第二金属层。本发明通过在电镀腔室内进行电镀前...