用以制备电容式硅微麦克风的晶片的无切割制造方法技术

本发明专利技术涉及用以制备电容式硅微麦克风的晶片的无切割制造方法。本发明专利技术是先在基材上依序形成具有多数穿孔的多个第一电极膜、多个牺牲板块、多个振膜与多个第二电极膜，接着在基材底面对应该多个第一电极膜形成多数遮覆图像，每一遮图像具有对应于多个穿孔的穿孔，及将第一电极膜圈限的蚀刻道，然后自遮覆图像的穿孔向内蚀刻移除基材对应于穿孔的区域，及牺牲板块的中央区域，同时自蚀刻道向内蚀刻移除基材对应于蚀刻道的区域，最后，移除这些遮覆图像即制得多个相分离的电容式硅微麦克风的晶片。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种用以制备电容式硅微麦克风的晶片的无切割制造方法，其特征在于，该无切割制造方法包含：　　　　（ａ）在一基材上以导体材料定义多个彼此相间隔的第一电极膜，且该每一第一电极膜分别具有多个穿通其上、下表面的穿孔；　　　　（ｂ）在该步骤（ａ）所制得的半成品中的每一第一电极膜上形成一对应的牺牲板块；　　　　（ｃ）在该步骤（ｂ）所制得的半成品中的每一牺牲板块上形成一对应的振膜；　　　　（ｄ）在该步骤（ｃ）所制得的半成品中的每一振膜上，以导体材料形成一对应的第二电极膜；　　　　（ｅ）在该步骤（ｄ）所制得的半成品的该基材上，对应该多个第一电极膜形成多个可保护该基材的对应区域不被蚀刻的遮覆图像，该每一遮覆图像具有多个对应于该第一电极膜的多个穿孔而使该基材的对应区域裸露的穿孔，及一贯穿其上、下表面而使该基材的对应区域裸露且将对应的第一电极膜圈限其中的蚀刻道；　　　　（ｆ）自该步骤（ｅ）所制得的半成品中的每一遮覆图像的多个穿孔向内蚀刻移除该基材对应于这些穿孔的区域，及自蚀刻道向内蚀刻移除该基材对应于该蚀刻道的区域而将该基材切割分离，而制得多个相分离的晶片半成品；　　　　（ｇ）自该步骤（ｆ）所制得的多个晶片半成品中的每一遮覆图像的多个穿孔与该基材对应于这些穿孔的被移除区域更向内将该牺牲板块对应这些穿孔的一中央区域蚀刻移除；及　　　　（ｈ）将该步骤（ｇ）所制得的半成品的每一遮覆图像移除，制得多个相分离的晶片。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：洪瑞华，张昭智，林宗颖，蔡圳益，
申请(专利权)人：佳乐电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]