一种高端电子浮法玻璃锡槽电加热装置布设方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种高端电子浮法玻璃锡槽电加热装置布设方法，涉及浮法玻璃绳技术领域，将玻璃锡槽分设为用于承接从流道流出的玻璃液的承接区、用于玻璃带进行平整化的摊平区、用于纵向拉薄玻璃带的纵拉薄区、用于横向拉薄玻璃带的横拉薄区、用于保证玻璃带定型后的翘曲冷却区、用于对玻璃进行降温的降温冷却区以及出口区；本发明专利技术的电加热装置所采用的硅碳棒的布设方法，其根据玻璃锡槽内不同区段对于温度的不同要对，对硅碳棒的位置布置和选型进行调整，不仅保证了玻璃带在锡槽内成型的需要，而且结合硅碳棒的性能特点的排布方式，也保证了硅碳棒的使用寿命，避免了统一使用高密度高功率硅碳棒带来的资金浪费。度高功率硅碳棒带来的资金浪费。度高功率硅碳棒带来的资金浪费。

【技术实现步骤摘要】
一种高端电子浮法玻璃锡槽电加热装置布设方法


[0001]本专利技术涉及浮法玻璃绳
，具体是一种高端电子浮法玻璃锡槽电加热装置布设方法。

技术介绍

[0002]浮法玻璃成型过程是首先将1100℃左右的熔化好的玻璃液通过流道、流槽进入锡槽，由于玻璃液与锡液的密度不同，玻璃液漂浮在锡液上，玻璃液在重力和表面张力的作用下开始进行摊开、抛光、均匀降温在拉边机的作用下，进行拉薄或积厚形成一定厚度玻璃带的过程，然后在锡槽内逐步降温冷却成玻璃板，到了锡槽出口玻璃带冷却到650℃左右时，被过渡辊台抬起，在退火窑输送辊道牵引力作用下，离开锡槽，进入退火窑退火，消除应力。再经过检验、切割、装箱、打包入库，浮法玻璃的锡槽是浮法玻璃成型的心脏，锡槽包括进口端、锡槽本体、锡槽出口端和锡槽附属设备组成。
[0003]普通浮法玻璃由于拉引量大，对玻璃厚薄差要求不高，因此在锡槽顶盖内的电加热布局和选型上要求不高，而高端电子浮法玻璃一般拉引量在30
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150吨比较小，特别是对玻璃的厚薄差要求非常高，厚薄差多数控制在0.02mm以内，因此对锡槽顶盖内的电加热布局和选型上的要求非常的高，多数的高端电子浮法玻璃锡槽都是因为电加热功率不足，或者长期使用硅碳棒功率衰减不够用，或者是电加热布局和选型上的不合理，造成高端电子浮法玻璃质量不能满足要求。
[0004]为了解决高端电子浮法玻璃电加热装置的功率不足和使用不当问题，我们根据当今硅碳棒的性能以及锡槽内成型原理，针对高端浮法玻璃的拉引量小和对玻璃的厚薄差要求高的特点，提出了一种浮法玻璃锡槽电加热装置布设方法。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种高端电子浮法玻璃锡槽电加热装置布设方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
[0007]一种高端电子浮法玻璃锡槽电加热装置布设方法，将玻璃锡槽沿玻璃移送方向依次划分为十一个贝区，其中第一贝区为用于承接从流道流出的玻璃液的承接区、第二贝区为用于玻璃带进行平整化的摊平区、第三至四贝区为纵向拉薄玻璃带的纵拉薄区、第五贝区为横向拉薄玻璃带的横拉薄区、第六贝区为用于保证玻璃带定型后的翘曲冷却区、第七至十贝区为玻璃带的降温冷却区、第十一贝区为出口区。
[0008]作为本专利技术进一步的方案：所述承接区内的中间位置采用中密度硅碳棒HDΦ19，所述承接区的两侧采用低密度硅碳棒SDΦ19。
[0009]作为本专利技术进一步的方案：所述摊平区内的温度保持在1065
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996℃，并在摊平区的中间位置采用高密度硅碳棒HDΦ25，所述摊平区的两侧采用低密度硅碳棒HDΦ19。
[0010]作为本专利技术进一步的方案：所述纵拉薄区的温度保持在996
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883℃，并在纵拉薄区
的中间位置采用高密度硅碳棒HDΦ25，所述纵拉薄区的两侧采用低密度硅碳棒SDΦ19。
[0011]作为本专利技术进一步的方案：所述横拉薄区中的温度保持在883
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769℃，并在横拉薄区的中间位置采用高密度硅碳棒HDΦ25，所述横拉薄区的两侧采用中密度硅碳棒HDΦ19。
[0012]作为本专利技术进一步的方案：所述翘曲冷却区中的温度保持在769
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681℃，并在翘曲冷却区的中间位置采用高密度的硅碳棒HDΦ25，所述翘曲冷却区的两侧采用低密度的硅碳棒SDΦ19。
[0013]作为本专利技术进一步的方案：所述降温冷却区的温度保持在681
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600℃，并且降温冷却区的两侧采用低密度硅碳棒SDΦ19，所述降温冷却区中的第八至十贝区的中间区域不设置硅碳棒。
[0014]作为本专利技术进一步的方案：所述出口区内硅碳棒的功率在20％以内并使用低密度硅碳棒SDΦ19。
[0015]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术的电加热装置所采用的硅碳棒的布设方法，其根据玻璃锡槽内不同区段对于温度的不同要对，对硅碳棒的位置布置和选型进行调整，不仅保证了玻璃带在锡槽内成型的需要，而且结合硅碳棒的性能特点的排布方式，也保证了硅碳棒的使用寿命，避免了统一使用高密度高功率硅碳棒带来的资金浪费。
附图说明
[0016]图1为本专利技术锡槽的分区结构示意图。
[0017]图中：1、承接区；2、摊平区；3、纵拉薄区；301、第三贝区；302、第四贝区；4、横拉薄区；5、翘曲冷却区；6、降温冷却区；601、第七贝区；602、第八贝区；603、第九贝区；604、第十贝区；7、出口区。
具体实施方式
[0018]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0019]请参阅图1，本专利技术实施例中，本方法就是在锡槽承接区1，即第一贝区，玻璃液刚刚从流道下来，玻璃液温度很高，我们采用中间使用中密度的硅碳棒HDΦ19,两侧使用低密度的硅碳棒SDΦ19。
[0020]在锡槽的第二贝区玻璃带的摊平区2，这个位置的温度在1065
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996℃，需要保证玻璃液的平整化，中间和两侧需要足够的热量，需要玻璃带的温度满足摊平抛光，玻璃带两侧的锡液温度略低，我们采用中间使用高密度的硅碳棒HDΦ25,两侧使用低密度的硅碳棒HDΦ19。
[0021]在锡槽的第三贝区301和第四贝区302是玻璃带的纵拉薄区3，这个位置的温度在996
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883℃，是玻璃带以纵向拉薄为主的区域，我们采用中间使用高密度的硅碳棒HDΦ25,两侧使用低密度的硅碳棒SDΦ19。
[0022]在锡槽的第五贝区是玻璃带的横拉薄区4，这个位置的温度在883
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769℃，是玻璃带以横向拉薄为主的区域，我们采用中间使用高密度的硅碳棒HDΦ25,两侧使用中密度的
硅碳棒HDΦ19。
[0023]在锡槽的第六贝区是玻璃带的翘曲冷却区5，这个位置的温度在769
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681℃，是玻璃带不必展薄定型的区域，这个位置需要有足够的热量保证玻璃带定型后的翘曲，而两侧不必太高的热量，我们采用中间使用高密度的硅碳棒HDΦ25,两侧使用低密度的硅碳棒SDΦ19。
[0024]在锡槽的第七贝区601、第八贝区602、第九贝区603以及第十贝区604是玻璃带的降温冷却区6，这个位置的温度在681
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600℃，是玻璃带的降温区域，中间不需要太多热量，我们统一使用低密度的硅碳棒SDΦ19，并且在第八贝区602第九贝区603以及第十贝区604的中间区域不必使用硅碳棒，在锡槽最后的出口区7，即第十一贝区，需要调整出口温度，但是使用热量不多，硅碳棒的功率开度在20％以内，所以我们使用低密度的硅碳棒SDΦ19就足够了；此种硅碳棒的布局使用方法不仅保证了玻璃本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高端电子浮法玻璃锡槽电加热装置布设方法，将玻璃锡槽分设为用于承接从流道流出的玻璃液的承接区(1)、用于玻璃带进行平整化的摊平区(2)、用于纵向拉薄玻璃带的纵拉薄区(3)、用于横向拉薄玻璃带的横拉薄区(4)、用于保证玻璃带定型后的翘曲冷却区(5)、用于对玻璃进行降温的降温冷却区(6)以及出口区(7)；其特征在于，所述承接区(1)内的中间位置采用中密度硅碳棒，所述承接区(1)的两侧采用低密度硅碳棒；所述摊平区(2)的中间位置采用高密度硅碳棒，所述摊平区(2)的两侧采用低密度硅碳棒；所述纵拉薄区(3)的中间位置采用高密度硅碳棒，所述纵拉薄区(3)的两侧采用低密度硅碳棒；所述横拉薄区(4)的中间位置采用高密度硅碳棒，所述横拉薄区(4)的两侧采用中密度硅碳棒；所述翘曲冷却区(5)的中间位置采用高密度硅碳棒，所述翘曲冷却区(5)的两侧采用低密度硅碳棒；所述降温冷却区(6)的两侧采用低密度硅碳棒，所述出口区(7)采用低密度硅碳棒。2.根据权利要求1所述的一种高端电子浮法玻璃锡槽电加热装置布设方法，其特征在于，将玻璃锡槽沿玻璃移送方向依次划分为十一个贝区，其中第一贝...

【专利技术属性】
技术研发人员：江龙跃，于龙光，张迪迪，吴星达，孙继臣，
申请(专利权)人：蚌埠中光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：