一种自适应耗尽空穴路径的新型IGBT结构制造技术

本发明专利技术提供了一种自适应耗尽空穴路径的新型IGBT结构，该结构在常规IGBT结构的基础上，在P型浮空区上方引入低掺杂的P

【技术实现步骤摘要】
一种自适应耗尽空穴路径的新型IGBT结构


[0001]本专利技术涉及半导体领域，具体涉及一种自适应耗尽空穴路径的新型IGBT结构。

技术介绍

[0002]半导体功率器件是电力电子系统进行功率控制和转换的基本电子元件。大量实践证明，半导体功率器件的发展是电力电子系统技术更新换代的关键。如今，能源消耗日益增长，尤其是电力需求矛盾日益尖锐。大力发展新型电力电子器件的设计制造和模块的开发应用是一个重要课题。因此，兼具MOSFET栅极电压控制特性和BJT低导通电阻特性的IGBT正成为电力电子系统的关键功率半导体器件。IGBT与MOSFET一样具有电压控制、大输入阻抗、低驱动功率、低导通电阻、低开关损耗、高工作频率和宽SOA特性等优点。IGBT是低噪声、智能化、高性能中小容量电力电子设备的首选器件。为了进一步提高IGBT的导通特性具有P型浮空区结构的IGBT结构被提出。
[0003]众所周知，具有P型浮空区结构的IGBT由于具有高载流子注入增强(IE)效应，可以改善Von和Eoff之间的权衡关系，因此，P型浮空区结构已成为当前IGBT器件的常规结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自适应耗尽空穴路径的新型IGBT结构，其元胞结构从下往上依次为：P+集电区(1)、N型缓冲层(2)和N型缓冲层(2)上方的N型漂移区(3)，正面结构包含由P型基区(4)、P+型发射区(5)和N+型发射区(6)所组成的主流区，以及由P型浮空区(7)、P
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掺杂区(8)所构成的自适应耗尽空穴路径区；发射区间有SiO2氧化层(9)和多晶硅(10)构成的栅极。2.根据权利要求1所述的自适应耗尽空穴路径的新型IGBT结构，其特征在于，相比常规IGBT器件，在P型浮空区(7)上方引入P
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掺杂区(8)，并使P
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掺杂区(8)与发射极相连；P
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掺杂区(8)深度不宜太浅，以确保空穴不会穿过完全耗尽的P
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掺杂区(8)。3.根据权利要求1所述的自适应耗尽空穴路...

【专利技术属性】
技术研发人员：伍伟，喻明康，高崇兵，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
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