本申请涉及抛光设备技术领域，尤其是涉及一种用于硅片抛光的下片结构，包括：抛头部，抛头部包括：抛头本体，抛头本体的底面具有一个凹面，抛头本体具有一气道；软基垫，软基垫用于连接待抛硅片，软基垫包覆于凹面，在软基垫和凹面之间形成一调节腔，调节腔与气道连通；接片部，接片部位于抛头部的正下方，接片部包括：座体；接片座，接片座固定连接于座体上，接片座的外圈具有沿边，沿边内侧形成容置空间，容置空间用于接收抛头下片的硅片；沿边的内侧面具有导向面，导向面由容置空间外向内的方向倾斜向下布置。解决了现有技术中的下片方式造成硅片品质下降的技术问题，达到了防止下片过程造成硅片品质下降的技术效果。成硅片品质下降的技术效果。成硅片品质下降的技术效果。
【技术实现步骤摘要】
一种用于硅片抛光的下片结构、抛光设备以及下片方法
[0001]本申请涉及抛光设备
，尤其是涉及一种用于硅片抛光的下片结构和抛光设备。
技术介绍
[0002]随着半导体行业的迅速发展，对于半导体晶圆的品质要求也越来越高。抛光是其制造过程中重要的一个环节。抛光主要包括有:双面抛、边缘抛、单面抛、以及最后的最终抛光，最终抛光的目的是为了得到表面质量更加好的晶圆，其表面粗糙度得到较大提高，对于后续硅片生产加工有着重大的意义。抛光设备的下片结构需要将硅片从贴附的抛头表面取下并安置于指定工位。硅片与抛头之间受贴敷张力影响贴合十分紧密，依靠硅片自重下落过于缓慢，往往需要人工干预加快硅片下片。
[0003]现有技术中，硅片在经过抛光之后，一般需要使用下片铲实现对硅片的下片，由人工翘起硅片实现下片，由于硅片与下片铲产生接触，会造成硅片出现翘曲、表面划伤和沾污的情况，严重影响硅片表面质量。
[0004]因此，现有技术的技术问题在于：下片方式造成硅片品质下降。
技术实现思路
[0005]本申请提供一种用于硅片抛光的下片结构、抛光设备以及下片方法，解决了现有技术中的下片方式造成硅片品质下降的技术问题，达到了防止下片过程造成硅片品质下降的技术效果。
[0006]第一方面，本申请提供的一种用于硅片抛光的下片结构，采用如下的技术方案：
[0007]一种用于硅片抛光的下片结构，包括：抛头部，所述抛头部包括：抛头本体，所述抛头本体的底面具有一个凹面，所述抛头本体具有一气道；软基垫，所述软基垫用于连接待抛硅片，所述软基垫包覆于所述凹面，在所述软基垫和所述凹面之间形成一调节腔，所述调节腔与所述气道连通；接片部，所述接片部位于所述抛头部的正下方，所述接片部包括：座体；接片座，所述接片座固定连接于所述座体上，所述接片座的外圈具有沿边，所述沿边内侧形成容置空间，所述容置空间用于接收所述抛头下片的硅片；所述沿边的内侧面具有导向面，所述导向面由容置空间外向内的方向倾斜向下布置；其中，所述抛头部具有竖直方向的移动自由度，所述抛头部在竖直方向移动时形成有下片工位，所述下片工位位于所述接片座的正上方，所述抛头部位于所述下片工位上进行下片，使得硅片转移至所述接片座上。
[0008]作为优选，还包括喷淋部，所述喷淋部包括：喷头，所述喷头布置于所述接片座的两侧，所述喷头用于向所述软基垫和硅片之间喷水。
[0009]作为优选，所述接片部还包括：顶升柱，所述顶升柱呈竖直方向布置，所述顶升柱至少具有三个，所述顶升柱包括：第一部，所述第一部设置于所述接片座的边缘，所述第一部具有竖直升降的移动自由度，所述第一部竖直升降而形成有第一状态和第一状态，在第一状态下，所述第一部下降至所述容置空间内，所述第一部的顶面低于所述容置空间内的
液面；在第二状态下，所述第一部上升至所述容置空间以上位置。
[0010]作为优选，所述第一部的顶面呈倾斜布置。
[0011]作为优选，所述沿边上具有缺口，所述顶升柱位于所述缺口内。
[0012]作为优选，所述顶升柱还包括：第二部，所述第二部连接于所述第一部的顶面，所述第二部上具有导向部，所述第二部随第一部升降，所述第一部在第一状态下，所述第二部容置于所述容置空间内，所述第二部的导向部与所述导向面之间处处齐平。
[0013]作为优选，所述第二部呈圆锥状设置，圆锥的侧面形成为所述第二部的导向部。
[0014]作为优选，所述接片部还包括：驱动组件，所述驱动组件用于驱动所述顶升柱在竖直方向上升降，所述驱动组件包括：顶升板，所述顶升板位于所述接片座的下方，所述顶升板上固定每个所述顶升柱；驱动件，所述驱动件固定连接于所述座体上，并作用于所述顶升板，使得所述顶升板具有竖直升降的移动自由度。
[0015]第二方面，本申请一种抛光设备，采用如下的技术方案：
[0016]一种抛光设备，包括所述的硅片抛光的下片结构。
[0017]第三方面，本申请一种用于硅片抛光的下片方法，采用如下的技术方案：
[0018]一种用于硅片抛光的下片方法，用于所述的硅片抛光的下片结构的硅片下片，包括：驱动抛头本体下降至下片工位，向调节腔中充压使得软基垫膨胀；硅片和软基垫之间形成喷淋空间，喷头向喷淋空间内喷水，硅片掉落至接片部；硅片沿导向面下落，硅片落入容置空间内的纯水中，直至架设于多个第一部的顶面之间；驱动抛头本体上升复位；驱动接片部至下料工位，驱动顶升柱上升，带动硅片上升并出水，取走硅片。
[0019]综上所述，本申请包括以下至少一种有益技术效果：
[0020]1、本申请通过向调节腔内充压，软基垫膨胀而使硅片脱离于软基垫，硅片下落通过接片座上的导向面准确落入容置空间内，从而暂存于容置空间的纯水中，减小硅片沾污的可能，解决了现有技术中的下片方式造成硅片品质下降的技术问题，达到了防止下片过程造成硅片品质下降的技术效果。
[0021]2、本申请在接片座的两侧设置喷头，通过喷头向硅片和软基垫之间喷水，破坏硅片与软基垫之间水的张力，有利于硅片快速脱离，提高硅片下片速率，且不会与硅片直接接触，防止造成硅片的损伤和沾污，进一步提高硅片品质。
[0022]3、本申请中硅片浸没于纯水中时，硅片架设于顶升柱的第一部的顶面，第一部的顶面呈倾斜设置，硅片与第一部的顶面之间为线接触，减小与硅片之间的接触面积，进一步防止硅片的沾污。
附图说明
[0023]图1是本申请所述用于硅片抛光的下片结构工位变换示意图；
[0024]图2是本申请所述用于硅片抛光的下片结构中顶升柱的第二状态示意图；
[0025]图3是本申请所述用于硅片抛光的下片结构中顶升柱的第一状态示意图；
[0026]图4是图3中A的放大图；
[0027]图5是本申请所述用于硅片抛光的下片结构的驱动组件示意图；
[0028]图6
‑
7是本申请所述用于硅片抛光的下片过程示意图；
[0029]图8是是本申请所述用于硅片抛光的另一种下片过程示意图；
[0030]附图标记说明：100、抛头部；110、下片工位；120、软基垫；130、抛头本体；200、喷淋部；210、喷头；220、喷淋空间；300、接片部；310、座体；320、接片座；321、沿边；322、导向面；323、容置空间；330、顶升柱；331、第一部；3311、第一部的顶面；332、第二部；3321、导向部；340、顶升板；350、驱动件；W、硅片。
具体实施方式
[0031]本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于区分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本申请所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接(联接)。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于硅片抛光的下片结构，其特征在于，包括：抛头部(100)；接片部(300)，所述接片部(300)位于所述抛头部(100)的正下方，所述接片部(300)包括：座体(310)；接片座(320)，所述接片座(320)固定连接于所述座体(310)上，所述接片座(320)的外圈具有沿边(321)，所述沿边(321)内侧形成容置空间(323)，所述容置空间(323)用于接收所述抛头下片的硅片(W)；所述沿边(321)的内侧面具有导向面(322)，所述导向面(322)由容置空间(323)外向内的方向倾斜向下布置；其中，所述抛头部(100)具有竖直方向的移动自由度，所述抛头部(100)在竖直方向移动时形成有下片工位(110)，所述下片工位(110)位于所述接片座(320)的正上方，所述抛头部(100)位于所述下片工位(110)上进行下片，使得硅片(W)转移至所述接片座(320)上。2.根据权利要求1所述的一种用于硅片抛光的下片结构，其特征在于，还包括喷淋部(200)，所述喷淋部(200)包括：喷头(210)，所述喷头(210)布置于所述接片座(320)的两侧，所述喷头(210)用于向所述软基垫(120)和硅片(W)之间喷水。3.根据权利要求1所述的一种用于硅片抛光的下片结构，其特征在于，所述抛头部包括：：抛头本体(130)，所述抛头本体(130)的底面具有一个凹面，所述抛头本体(130)具有一气道；软基垫(120)，所述软基垫(120)用于连接待抛硅片(W)，所述软基垫(120)包覆于所述凹面，在所述软基垫(120)和所述凹面之间形成一调节腔，所述调节腔与所述气道连通；所述接片部(300)还包括：顶升柱(330)，所述顶升柱(330)呈竖直方向布置，所述顶升柱(330)至少具有三个，所述顶升柱(330)包括：第一部(331)，所述第一部(331)设置于所述接片座(320)的边缘，所述第一部(331)具有竖直升降的移动自由度，所述第一部(331)竖直升降而形成有第一状态和第一状态，在第一状态下，所述第一部(331)下降至所述容置空间(323)内，所述第一部的顶面(3311)低于所述容置空间(323)内的液面；在第二状态下，所述第一部(331)上升至所述容置空间(323)以上位置。4.根据权利要求3所述的一种用于硅片抛光的下片结构，其特征在于，所述第一部的顶面(331...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱亮，曹建伟，李阳健，郑猛，刘忠泽，黄金涛，
申请(专利权)人：浙江晶盛机电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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