基于深沟槽隔离的NLDMOS器件制作方法技术

本申请公开了一种基于深沟槽隔离的NLDMOS器件制作方法，属于半导体器件及制造领域。该方法包括：对深沟槽进行倾斜角度的N+型注入，满足器件不同电压规格的需求；NBL和DTI侧壁N+相连等电位，使器件满足High side应用，深槽隔离DTI工艺可以满足功率集成电路高压区域和低压区域的隔离需求；加入CFP结构，CT Plate接在SAB上，场氧厚度增加，在不新增mask的基础上，BV提升约15％。BV提升约15％。BV提升约15％。

【技术实现步骤摘要】
基于深沟槽隔离的NLDMOS器件制作方法


[0001]本申请涉及半导体器件及制造领域，具体涉及一种基于深沟槽隔离的NLDMOS器件制作方法。

技术介绍

[0002]随着大功率器件的模块化和工艺兼容性的发展，相较于其他类型器件，大功率器件在成本和设计效率方面越来越占据优势。大功率集成电路被广泛应用在汽车行业，如减排、节能、先进驾驶辅助系统以及增强个性化和舒适性等领域，同时也应用于医疗，如超声波成像和高级电源管理控制等。
[0003]为了实现高密度的逻辑电路与大功率定制电路间的整合，芯片中的高电压和低电域之间需要适当的隔离，在相关技术中这种隔离通过多层外延的堆叠并引入深沟隔离工艺来实现，不仅增加了工艺流程也提高了工艺成本。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种基于深沟槽隔离的NLDMOS器件制作方法，可以解决相关技术中为实现高电压和低电域采用设置间隔从而工艺更复杂的问题。
[0005]一方面，本申请实施例提供了一种基于深沟槽隔离的NLDMOS器件制作方法，包括：
[0006]对定义了阻挡层的外延片进行刻本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于深沟槽隔离的NLDMOS器件制作方法，其特征在于，包括：对定义了阻挡层的外延片进行刻蚀形成深沟槽和浅沟槽；对所述深沟槽进行倾斜角度的N+型注入，与所述阻挡层相连；沉积多晶硅层，并刻蚀形成栅极；进行N+和P+注入形成源极和漏极；沉积SAB氧化层,并完成刻蚀，保留局部浅沟槽上面的SAB氧化层，形成场氧；形成CFP结构，所述CFP结构用于降低表面电场。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀形成的沟槽深度>20um。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，注入的倾斜角度为10～15度。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：通过调整注入角度来实现不同的注入深度。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：阚博，陈天，许昭昭，肖莉，陈华伦，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：