【技术实现步骤摘要】
具有场氧化物的深沟槽隔离
技术介绍
[0001]隔离结构分离不同电源供应领域及/或类型的电路,例如集成电路中的高及低电压电路或模拟及数字电路。浅沟槽隔离(STI)是一种类型的隔离结构,其具有沉积到待隔离电路区域之间蚀刻的浅沟槽中的电介质材料。深沟槽隔离(DTI)与STI结合使用以减轻邻近半导体装置组件之间的电流泄漏。硅深沟槽隔离方案在制造期间并入浅沟槽隔离环路用于横向装置隔离。别处不需要STI结构的电路设计期望深沟槽隔离,但STI环路(与DTI结合使用)添加另一STI掩模且增加制造成本及复杂性。
技术实现思路
[0002]一方面,一种电子装置包括:半导体衬底,其包含第一导电性类型的多数载流子掺杂剂;掩埋层,其在所述半导体衬底的一部分中且包含第二导电性类型的多数载流子掺杂剂;半导体表面层,其包含所述第二导电性类型的多数载流子掺杂剂;隔离结构;及场氧化物。所述隔离结构包含:沟槽,其延伸穿过所述半导体表面层且到所述半导体衬底及所述掩埋层中的一者中;电介质衬垫,其在所述沟槽的侧壁上从所述半导体表面层延伸到所述半导体衬底及所述掩埋层中的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电子装置,其包括:半导体衬底,其包含第一导电性类型的多数载流子掺杂剂;掩埋层,其在所述半导体衬底的一部分中且包含第二导电性类型的多数载流子掺杂剂;半导体表面层,其包含所述第二导电性类型的多数载流子掺杂剂;隔离结构,其包含:沟槽,其延伸穿过所述半导体表面层且到所述半导体衬底及所述掩埋层中的一者中,电介质衬垫,其在所述沟槽的侧壁上从所述半导体表面层延伸到所述半导体衬底及所述掩埋层中的所述一者,及多晶硅,其包含所述第二导电性类型的多数载流子掺杂剂,所述多晶硅在所述电介质衬垫上延伸且将所述沟槽填充到所述半导体表面层的侧;及场氧化物,其在所述半导体表面层的所述侧的一部分上延伸,所述场氧化物的一部分与所述隔离结构的一部分接触。2.根据权利要求1所述的电子装置,其进一步包括包含所述第二导电性类型的多数载流子掺杂剂的深掺杂区,所述深掺杂区从所述半导体表面层延伸到所述掩埋层。3.根据权利要求2所述的电子装置,其中所述深掺杂区与所述隔离结构间隔开。4.根据权利要求3所述的电子装置,其进一步包括包含所述第二导电性类型的多数载流子掺杂剂的第二深掺杂区,所述第二深掺杂区从所述半导体表面层延伸到所述掩埋层,所述第二深掺杂区与所述深掺杂区间隔开,且所述第二深掺杂区环绕所述沟槽的一部分。5.根据权利要求2所述的电子装置,其中所述深掺杂区环绕所述沟槽的一部分。6.根据权利要求2所述的电子装置,其中所述沟槽延伸超出所述半导体表面层的所述侧且穿过所述场氧化物的一部分。7.根据权利要求2所述的电子装置,其中:所述多晶硅的侧向外延伸超出所述半导体表面层的所述侧达第一距离;所述场氧化物的侧向外延伸超出所述半导体表面层的所述侧达第二距离;且所述第一距离大于所述第二距离。8.根据权利要求1所述的电子装置,其中所述沟槽延伸超出所述半导体表面层的所述侧且穿过所述场氧化物的一部分。9.根据权利要求1所述的电子装置,其中:所述多晶硅的侧向外延伸超出所述半导体表面层的所述侧达第一距离;所述场氧化物的侧向外延伸超出所述半导体表面层的所述侧达第二距离;且所述第一距离大于所述第二距离。10.一种制造电子装置的方法,所述方法包括:在半导体衬底的一部分中形成掩埋层,所述半导体衬底包含第一导电性类型的多数载流子掺杂剂,且所述掩埋层包含第二导电性类型的多数载流子掺杂剂;形成穿过半导体表面层且到所述半导体衬底及所述掩埋层中的一者中的沟槽,所述半导体表面层包含所述第二导电性类型的多数载流子掺杂剂;沿着所述沟槽的侧壁形成从所述半导体表面层到所述半导体衬底及所述掩埋层中的所述一者的电介质衬垫;
在所述沟槽内部且在所述电介质衬垫上形成多晶硅,所述多晶硅将所述沟槽填充到所述半导体表...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。