下载基于深沟槽隔离的NLDMOS器件制作方法的技术资料

文档序号:36792291

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本申请公开了一种基于深沟槽隔离的NLDMOS器件制作方法,属于半导体器件及制造领域。该方法包括:对深沟槽进行倾斜角度的N+型注入,满足器件不同电压规格的需求;NBL和DTI侧壁N+相连等电位,使器件满足High side应用,深槽隔离DTI...
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