一种DFN框架连筋结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种DFN框架连筋结构，包括框架本体、基岛，所述的框架本体、基岛为矩形，所述的框架本体相对的左侧边框、右侧边框分别设有多个引脚，所述的基岛设于框架本体内，所述的基岛与框架本体的左侧边框、右侧边框之间的间距不等长设置，所述的基岛与框架本体的上侧边框、底侧边框之间的间距等长设置，所述的基岛与框架本体四周边框之间均设有连筋；所述的左侧边框、右侧边框分别设置D极脚位或S极脚位，所述的基岛上设有散热片。本实用新型专利技术能够不影响外观焊盘设计，具有纵向横向的网格连筋结构能够有效的承受来自各个方向的外力，同时还能够增加框架与环氧树脂的结合能力，该半导体框架设计结构的稳定性和支撑性得到了显著提升。到了显著提升。到了显著提升。

【技术实现步骤摘要】
一种DFN框架连筋结构


[0001]本技术涉及DFN封装
，具体为一种DFN框架连筋结构。

技术介绍

[0002]DFN/QFN平台是最新的表面贴装封装技术，常见的DFN封装形式的外观焊盘设计一般采用散热片居中放置的设计以及框架采用中心对称的设计，此结构有良好的稳定性和支撑性。但是，有时候HEMT(高电子迁移率晶体管)器件需要减少D极与S极脚位之间的电性影响，所以就需要增大D极和S极脚位之间的距离，而常见的散热片居中放置的设计以及框架采用中心对称的设计就需要进行改进。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于改进DFN封装形式的框架，提供一种结构稳固，框架内基岛位置偏置以增大D极与S极脚位之间距离，便于使用的DFN框架连筋结构。
[0004]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0005]一种DFN框架连筋结构，包括框架本体、基岛，所述的框架本体、基岛为矩形，所述的框架本体相对的左侧边框、右侧边框分别设有多个引脚，所述的基岛设于框架本体内，所述的基岛与框架本体的左侧边框、右侧边框之间的间距不等长设置，所述的基岛与框架本体的上侧边框、底侧边框之间的间距等长设置，所述的基岛与框架本体四周边框之间均设有连筋。
[0006]作为本技术优选的方案，所述的左侧边框、右侧边框分别设置D极脚位或S极脚位，所述的基岛上设有散热片。
[0007]作为本技术优选的方案，所述的连筋包括连接基岛与框架本体左侧边框、右侧边框的横向连筋，所述的连筋还包括连接框架本体上侧边框、底侧边框的纵向连筋。
[0008]作为本技术优选的方案，所述的横向连筋、纵向连筋的上顶面、下底面不凸出于框架本体的边框的上顶面、下底面。
[0009]作为本技术优选的方案，所述的框架本体与基岛、连筋之间的空隙内设有环氧树脂填充物。
[0010]作为本技术优选的方案，所述的框架本体、基岛配合氮化镓HEMT器件设置。
[0011]本方案为了增大D极和S极脚位之间的距离，即框架本体相对的左侧边框、右侧边框分别设有的多个引脚之间的距离，通过采用在框架本体上偏置基岛及散热片的结构，安装HEMT器件(包括氮化镓HEMT器件)等到基岛及散热片上时，其两侧D极和S极脚位之间的距离即可拉长，满足了减少D极与S极脚位之间的电性影响的要求；虽然基岛及散热片偏置的外观焊盘设计，可以有效地减少D极与S极脚位之间的电性影响，但是由于散热片偏置，导致框架本体一侧边框与基岛及散热片之间产生了较大空隙，所以在整个框架本体的稳定性和支撑性上有所欠缺，会导致在制造中出现框架本体受力变形的异常问题，如图1；本方案采用在框架本体的边框之间均匀设置横向连筋、纵向连筋的结构，在没有基岛及散热片的区
域内设计填充半蚀刻的横向连筋、纵向连筋结构来增加框架本体的稳定性和支撑性，能够增加框架本体承受来自纵向和横向的外力，同时，在填充环氧树脂到框架内时，横向连筋、纵向连筋还可增加框架本体与环氧树脂的结合能力。
[0012]与现有技术相比，本技术的有益效果是：能够不影响外观焊盘设计，具有纵向横向的网格连筋结构能够有效的承受来自各个方向的外力，同时还能够增加框架与环氧树脂的结合能力，本技术的半导体框架设计结构的稳定性和支撑性得到了显著提升。
附图说明
[0013]图1为框架本体上基岛及散热片偏置结构受力示意图。
[0014]图2为本技术的一种结构示意图。
[0015]图3为本技术的一种立体结构示意图。
[0016]图4为本技术的一种立体断面结构示意图。
[0017]图中：1
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框架本体2
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基岛3
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引脚4
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连筋5
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散热片。
具体实施方式
[0018]为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述,给出了本技术的若干实施例,但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例,相反地，提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容更加透彻全面。
[0019]需要说明的是，当元件被称为“固设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件,当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件,本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
[0020]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同,本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术,本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0021]请参阅图2
‑
图4，本技术提供一种技术方案：
[0022]一种DFN框架连筋结构，包括框架本体1、基岛2，框架本体1、基岛2为矩形，框架本体1相对的左侧边框、右侧边框分别设有多个引脚3，基岛2设于框架本体1内，基岛2与框架本体1的左侧边框、右侧边框之间的间距不等长设置，基岛2与框架本体1的上侧边框、底侧边框之间的间距等长设置，基岛2与框架本体1四周边框之间均设有连筋4。
[0023]左侧边框、右侧边框分别设置D极引脚3脚位或S极引脚3脚位，基岛上2设有散热片5。
[0024]连筋4包括连接基岛2与框架本体1左侧边框、右侧边框的横向连筋，连筋4还包括连接框架本体1上侧边框、底侧边框的纵向连筋。
[0025]横向连筋、纵向连筋的上顶面、下底面不凸出于框架本体1的边框的上顶面、下底面。
[0026]框架本体1与基岛2、连筋4之间的空隙内设有环氧树脂填充物。
[0027]框架本体1、基岛2配合氮化镓HEMT器件设置。
[0028]具体使用过程是：本方案通过采用在框架本体1上偏置基岛2及散热片5的结构，安装HEMT器件(包括氮化镓HEMT器件)等到基岛2及散热片5上时，其两侧D极和S极脚位之间的距离即可拉长，满足了减少D极与S极脚位之间的电性影响的要求；
[0029]本方案采用在框架本体1的边框之间均匀设置横向连筋、纵向连筋的结构，在没有基岛2及散热片5的区域内设计填充半蚀刻的横向连筋、纵向连筋结构来增加框架本体1的稳定性和支撑性，能够增加框架本体1承受来自纵向和横向的外力，同时，在填充环氧树脂到框架内时，横向连筋、纵向连筋还可增加框架本体1与环氧树脂的结合能力。
[0030]尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种DFN框架连筋结构，包括框架本体、基岛，其特征在于：所述的框架本体、基岛为矩形，所述的框架本体相对的左侧边框、右侧边框分别设有多个引脚，所述的基岛设于框架本体内，所述的基岛与框架本体的左侧边框、右侧边框之间的间距不等长设置，所述的基岛与框架本体的上侧边框、底侧边框之间的间距等长设置，所述的基岛与框架本体四周边框之间均设有连筋。2.根据权利要求1所述的一种DFN框架连筋结构，其特征在于：所述的左侧边框、右侧边框分别设置D极脚位或S极脚位，所述的基岛上设有散热片。3.根据权利要求1所述的一种DFN框架连筋结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩杰，银发友，徐佳敏，邹松，
申请(专利权)人：杭州云镓半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：