【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种功率器件系统级封装方法及功率器件封装结构。
技术介绍
1、氮化镓(gan)材料作为第三代半导体材料，与传统的mosfet硅功率器件相比具有更高的效率和更强的功耗处理能力，因此在许多集成电路中gan功率器件正在逐渐代替传统的mosfet，gan功率器件被应用于工业或者商业的电力和电机控制。在电机控制电路中，包括半桥逆变电路、gan功率器件、控制芯片和被动元器件需要集成在一个封装系统中，这样的系统级封装结构能够有效缩小整个集成电路的体积，使得产品小型化，但现有的封装结构散热能力相对较差，易引起严重的翘曲问题，导致后续的加工工序存在困难。
技术实现思路
1、本专利技术为解决上述技术问题，提供一种功率器件系统级封装方法，包括：
2、提供载板，在所述载板表面键合铜片；
3、将所述铜片制成电路引线框架，其中，在所述铜片的表面形成具有电路引线框架图案的第一掩膜层，刻穿所述铜片将所述第一掩膜层的图案转移至所述铜片，形成电路引线框架，所述电路引线框架键合于所述载板的一面为所述电路引线框架的第一表面，相对应的，另一面为所述电路引线框架的第二表面；
4、将晶粒贴装在所述电路引线框架的第二表面，并将所述晶粒和所述电路引线框架电连接；
5、将所述晶粒、所述电路引线框架进行塑封；
6、移除所述载板，使得所述电路引线框架的第一表面暴露出来；
7、在所述电路引线框架的第一表面形成焊盘，所述电路引线框架的第一表
8、可选的，将所述铜片键合于载板表面的步骤包括：
9、在所述铜片的其中一面形成uv膜；
10、将所述uv膜键合于载板表面，使得所述铜片键合在所述载板表面。
11、可选的，所述晶粒包括：功率器件芯片、驱动控制器件芯片其中的一种或两种。
12、可选的，所述晶粒和所述电路引线框架通过金属引线进行电连接。
13、可选的，还包括：被动元器件；
14、将所述被动元器件贴装在所述电路引线框架的第二表面，并将所述被动元器件、晶粒和所述电路引线框架电连接；
15、将所述被动元器件、晶粒、所述电路引线框架进行塑封。
16、可选的，所述种子层材料为ticu、tiwcu其中的一种。
17、可选的，在所述电路引线框架的第一表面形成焊盘，所述电路引线框架的第一表面的其他区域形成阻焊油墨膜的步骤包括：
18、在所述电路引线框架的第一表面形成一整层的种子层；
19、在所述一整层的种子层表面形成具有焊盘图案的第二掩膜层，所述焊盘图案位置不具有第二掩膜层；
20、在所述焊盘图案表面形成电镀层；
21、去除所述具有焊盘图案的第二掩膜层后，蚀刻所述一整层的种子层，使得所述电镀层遮挡的种子层被保留，相应的，其他区域的种子层被蚀刻，使得所述电路引线框架的第一表面形成焊盘本体区域和所述电路引线框架第一表面的其他区域；
22、在所述电路引线框架第一表面的其他区域形成阻焊油墨膜；
23、在所述焊盘本体区域的表面形成锡层后，获得焊盘。
24、可选的，所述电镀层材料为cuniau。
25、可选的，所述第一掩膜层的材料为光敏干膜。
26、本专利技术实施例还提供一种功率器件封装结构，利用上述的一种功率器件封装方法制备。
27、综上所述，本专利技术的优点及有益效果为：
28、本专利技术体统了一种功率器件系统级封装方法及功率器件封装结构。本专利技术提供载板，在所述载板表面键合铜片，利用载板支撑铜片制成相应的电路引线框架以及后续的晶粒贴装、塑封等工艺，可以更好地防止翘曲问题，并且在塑封完成后再剥离载板，由于所述载板的支撑，使得所示载板表面的铜片制成结构更为复杂的电路引线框架，从而满足器件的布线需求，以及被动元器件对浮空岛设计的需求，又由于所述载板在塑封后被移除，使得器件结构中并没有载板，所述器件结构中全部为金属和塑封料，不仅降低了制造成本，还增加了功率器件的散热的能力，进一步防止了器件的翘曲问题。
29、同时，在所述电路引线框架的第一表面采用锡层，利于成品切割，以提升产品的可靠性，且焊盘的形状可以灵活设计，提升后续smt的可靠性。
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1.一种功率器件系统级封装方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的一种功率器件系统级封装方法，其特征在于，将所述铜片键合于载板表面的步骤包括：
3.如权利要求1所述的一种功率器件系统级封装方法，其特征在于，所述晶粒包括：功率器件芯片、驱动控制器件芯片其中的一种或两种。
4.如权利要求1所述的一种功率器件系统级封装方法，其特征在于，所述晶粒和所述电路引线框架通过金属引线进行电连接。
5.如权利要求1所述的一种功率器件系统级封装方法，其特征在于，还包括：被动元器件；
6.如权利要求1所述的一种功率器件系统级封装方法，其特征在于，所述种子层材料为TiCu、TiWCu其中的一种。
7.如权利要求1所述的一种功率器件系统级封装方法，其特征在于，在所述电路引线框架的第一表面形成焊盘，所述电路引线框架的第一表面的其他区域形成阻焊油墨膜的步骤包括：
8.如权利要求1所述的一种功率器件系统级封装方法，其特征在于，所述电镀层材料为CuNiAu。
9.如权利要求1所述的一种功率器件系统级封装方法，其
10.一种功率器件封装结构，其特征在于，利用权利要求1～9任意一项所述的一种功率器件封装方法制备。
...【技术特征摘要】
1.一种功率器件系统级封装方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的一种功率器件系统级封装方法，其特征在于，将所述铜片键合于载板表面的步骤包括：
3.如权利要求1所述的一种功率器件系统级封装方法，其特征在于，所述晶粒包括：功率器件芯片、驱动控制器件芯片其中的一种或两种。
4.如权利要求1所述的一种功率器件系统级封装方法，其特征在于，所述晶粒和所述电路引线框架通过金属引线进行电连接。
5.如权利要求1所述的一种功率器件系统级封装方法，其特征在于，还包括：被动元器件；
6.如权利要求1所述的一种功率器件系统...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩杰，徐佳敏，银发友，邹松，
申请(专利权)人：杭州云镓半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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