【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】曝光系统、曝光方法和电子器件的制造方法
[0001]本公开涉及曝光系统、曝光方法和电子器件的制造方法。
技术介绍
[0002]近年来，在半导体曝光装置中，随着半导体集成电路的微细化和高集成化，要求清晰度的提高。下面，将半导体曝光装置简称为“曝光装置”。因此，从曝光用光源输出的光的短波长化得以发展。例如，作为曝光用的气体激光装置，使用输出波长大约为248nm的激光的KrF准分子激光装置、以及输出波长大约为193nm的激光的ArF准分子激光装置。
[0003]KrF准分子激光装置和ArF准分子激光装置的自然振荡光的谱线宽度较宽，大约为350pm～400pm。因此，有时由于曝光装置的投影透镜而产生色差。其结果，分辨率可能降低。因此，需要将从气体激光装置输出的激光的谱线宽度窄带化到能够无视色差的程度。因此，在气体激光装置的激光谐振器内，为了使谱线宽度窄带化，有时具有包含窄带化元件的窄带化模块(Line Narrow Module)。窄带化元件例如包括标准具或光栅。将谱线宽度像这样被窄带化的气体激光装置称为窄带化气体激光装置。...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种曝光方法，其包含以下步骤：读入表示如下参数与如下波长差之间的关系的数据，该参数是与利用包含第1脉冲激光和第2脉冲激光的多个脉冲激光对半导体晶片进行曝光的曝光条件有关的参数，该波长差是所述第1脉冲激光与所述第2脉冲激光的波长差；根据所述数据和所述参数的指令值决定所述波长差的目标值；根据所述波长差的所述目标值决定所述第1脉冲激光的第1波长和所述第2脉冲激光的第2波长；向激光装置输出波长设定信号，使得输出包含具有所述第1波长的所述第1脉冲激光和具有所述第2波长的所述第2脉冲激光在内的所述多个脉冲激光；以及利用所述多个脉冲激光对所述半导体晶片进行曝光。2.根据权利要求1所述的曝光方法，其中，所述参数包含对所述半导体晶片进行曝光的曝光装置的照明光学系统的参数、所述曝光装置的投影光学系统的参数和用于对所述半导体晶片进行曝光的掩模的参数中的至少一方。3.根据权利要求1所述的曝光方法，其中，所述数据是将使使用所述参数对所述半导体晶片进行曝光时的焦点深度成为最大的所述波长差与所述参数关联起来的数据。4.根据权利要求1所述的曝光方法，其中，所述曝光方法还包含以下步骤：设定所述参数，设定多个值作为所述波长差，针对所述多个值分别计算使用所述参数对所述半导体晶片进行曝光时的焦点深度，由此，计算出使所述焦点深度成为最大的所述波长差，生成所述数据。5.根据权利要求4所述的曝光方法，其中，使用所述参数、以及根据所述激光装置的标准波长设定的所述第1波长和所述第2波长，针对所述多个值分别计算所述焦点深度。6.根据权利要求4所述的曝光方法，其中，读入曝光工艺的信息，根据所述曝光工艺设定所述参数。7.根据权利要求4所述的曝光方法，其中，判定是否计算使所述焦点深度成为最大的所述波长差，根据判定结果计算所述波长差。8.根据权利要求4所述的曝光方法，其中，所述曝光方法还包含以下步骤：设定多个焦点位置，针对所述多个焦点位置分别利用所述多个脉冲激光进行所述半导体晶片的测试曝光，计测被进行了测试曝光后的所述半导体晶片的CD值，根据所述多个焦点位置和所述CD值生成所述数据。9.根据权利要求8所述的曝光方法，其中，根据所述多个焦点位置中的、使所述CD值处于容许范围内的焦点位置的范围计算所述焦点深度。10.根据权利要求1所述的曝光方法，其中，所述第1脉冲激光和所述第2脉冲激光作为时间上重叠的脉冲而被照射到所述半导体
晶片。11.根据权利要求1所述的曝光方法，其中，所述多个脉冲激光还包含具有比所述第1波长长且比所述第2波长短的第3波长的第3脉冲激光。12.根据权利要求1所述的曝光方法，其中，所述第1脉冲激光和所述第2脉冲激光以相互不同的定时被照射到所述半导体晶片。13.根据权利要求1所述的曝光方法，其中，所述激光装置包含主振荡器和放大器，该主振荡器包含固体激光器，...
【专利技术属性】
技术研发人员：藤井光一，若林理，
申请(专利权)人：极光先进雷射株式会社，
类型：发明
国别省市：
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