【技术实现步骤摘要】
一种局部感应加热扩散焊接方法及功率模块封装方法
[0001]本专利技术涉及功率模块制造
,尤其涉及一种局部感应加热扩散焊接方法及功率模块封装方法。
技术介绍
[0002]功率模块是功率电力电子器件按一定的功能组合再灌封成一个模块,传统功率模块中,芯片通过软钎焊接到基板上,连接界面一般为两相或三相合金系统,在温度变化过程中,连接界面通过形成金属化合物层使芯片、软钎焊料合金及基板之间形成互联。宽禁带半导体是高温、高频、抗辐射及大功率模块的适合材料,已成为功率模块的研发和产业化应用重点。尽管宽禁带半导体较硅材料在材料性能上有很大的优势,但是芯片必须封装之后才能使用。
[0003]当更大功率的应用需要用到功率半导体的时候,芯片级别并联成为一个优选的方案,更大的DBC(Direct Bond Copper,直接敷铜陶瓷基板,将Cu沉积于Al2O3基板之上,其工艺结合材料与薄膜工艺技术,为近年最普遍使用的陶瓷散热基板)面积以及正确出线端子才能满足功率密度的高要求。如图1所示,现有的硅基功率模块分装采用七层结构,以及相邻层次 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种局部感应加热扩散焊接方法,其特征在于,包括以下步骤:S10:在下基材表面涂敷挥发性有机介质,从下表面固定钎材箔;S20:在所述钎材箔的上表面涂敷所述挥发性有机介质,并进行加热以固定上基材,得到由所述上基材、钎材箔、下基材顺次连接的待焊件;S30:将所述待焊件送入真空炉中,以第一升温速率进行局部感应加热至100~200℃并保温,再以第二升温速率进行局部感应加热至焊接温度并保温;S40:待自然冷而却后,送入常压炉区,冷却后得到局部感应加热扩散焊接产品。2.根据权利要求1所述的一种局部感应加热扩散焊接方法,其特征在于,所述钎材箔为高熔点金属与低熔点金属的颗粒混合物,所述高熔点金属的熔点大于260℃,所述低熔点金属的熔点小于或等于240℃。3.根据权利要求2所述的一种局部感应加热扩散焊接方法,其特征在于,所述颗粒混合物为AgCu合金粉、AgCuSn合金粉或SnSb合金粉;所述AgCu合金粉中Cu含量为28%,粒度为20~60μm,熔点为780℃;所述AgCuSn合金粉中Ag含量为60%,Cu含量为30%,Sn含量为10%,粒度为20~60μm,熔点为600℃;所述SnSb合金粉的Sn含量为90%,Sb含量为10%,粒度为20~60μm,熔点为250℃。4.一种功率模块封装方法,其特征在于,通过权利要求1
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3任一项所述的一种局部感应加热扩散焊接方法进行封装,得到无金属热沉模块、传统功率模块或双面散热封装模块。5.根据权利要求4所述的一种功率模块封装方法,其特征在于,所述无金属热沉模块包括第一碳化硅芯片、第一DBC基板、第一引出电极、第一连接块及第一铝丝;所述第一碳化硅芯片的两侧分别与所述第一DBC基板、第一连接块的一端连接;所述第一引出电极、第一连接块的另一端均与所述第一DBC基板连接;所述第一铝丝将所述第一碳化硅芯片的键合点与所述第一DBC基板或其他芯片的键合点进行电气互联。6.根据权利要求5所述的一种功率模块封装方法,其特征在于,所述无金属热沉模块封装方法包括:S100a:所述第一功率半导体碳化硅芯片经局部感应加热扩散焊接方法与所述第一DBC基板连接,形成第一组件;S200a:所述第一组件经局...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘旭,杨承晋,兰华兵,刘涛,
申请(专利权)人:深圳市森国科科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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