一种薄膜LED芯片矩阵结构及制造方法技术

本发明专利技术公开了一种薄膜LED芯片矩阵结构及制造方法，包括导电线路层、薄膜中间层和至少三个倒装的薄膜LED芯片，导电线路层的表面上覆盖有薄膜中间层，多个薄膜LED芯片等间距固定于薄膜中间层上。在有凸起的导电线路层上涂布或者贴敷具有还原性官能团的薄膜中间层，薄膜中间层表面与线路层接触；在薄膜中间层表面上排布薄膜LED芯片；在压力及热作用下，中间层熔融，薄膜LED芯片穿透并嵌入中间层；薄膜LED芯片的电极与导电线路层的凸起在薄膜中间层内含的还原性官能团作用下完成焊接。本发明专利技术提供了一种薄膜LED芯片矩阵结构及制造方法，可以得到结构可靠、工艺简洁的薄膜LED芯片矩阵。工艺简洁的薄膜LED芯片矩阵。工艺简洁的薄膜LED芯片矩阵。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜LED芯片矩阵结构及制造方法


[0001]本专利技术涉及光电半导体显示
，特别涉及一种薄膜LED芯片矩阵结构及制造方法。

技术介绍

[0002]MicroLED作为一种新型的显示技术，以微缩尺寸的LED芯片作为像素组成，与目前成熟的LCD显示与OLED显示相比，具有高亮度、高能效、高对比度、长工作寿命的特点。薄膜LED芯片是为了满足100um以下芯片尺寸的结构需求，将LED的衬底通过激光剥离的方式去除，得到10um以下厚度的薄膜芯片，再进行巨量转移到线路上。
[0003]薄膜LED芯片的厚度仅10um，其水平方向尺寸，为10～100um，与驱动电路的连接，存在巨大的困难。传统的锡膏焊接存在锡膏涂刷困难、焊接不牢固的问题；而异向导电胶存在成本高、无法大面积热压激活导电颗粒、连接可靠性差的问题。
[0004]同时，薄膜LED芯片的也存在巨量转移程序复杂的问题。同时，一般的薄膜LED芯片巨量转移需要至少三次翻转或转移：第一次为薄LED膜芯片从蓝宝石衬底上转移到第一中间转接板，此时芯片电极朝向第一中间转接板；第二次为薄膜L本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜LED芯片矩阵结构，其特征在于，包括导电线路层(1)、薄膜中间层(2)和至少三个倒装的薄膜LED芯片(3)，所述导电线路层(1)的表面上覆盖有薄膜中间层(2)，多个薄膜LED芯片(3)等间距固定于薄膜中间层(2)上。2.根据权利要求1所述的一种薄膜LED芯片矩阵结构，其特征在于，所述导电线路层(1)上设置有金属微凸起电极，且金属微凸起的高度在1um～50um之间。3.根据权利要求1所述的一种薄膜LED芯片矩阵结构，其特征在于，所述薄膜中间层(2)的厚度为10um以下，所述薄膜中间层为含有热固性成分的复合材料，所述薄膜中间层中含有用于提高助焊性的还原性或酸性官能团。4.根据权利要求3所述的一种薄膜LED芯片矩阵结构，其特征在于，所述薄膜LED...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：上海点莘技术有限公司，
类型：发明
国别省市：