【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微纳制造量测领域，尤其涉及一种用于微纳制造光学量测的温度补偿方法和装置。
技术介绍
1、在当今微纳制造领域，尤其是ic(integrated circuit，集成电路)制造领域和光电制造领域，随着技术的迅猛发展，ic器件呈现出物理尺度不断缩小且向三维结构拓展的趋势，相应的工艺节点也在持续升级。在此背景下，ic制造过程对于检测技术的要求达到了前所未有的高度。ic量测检测在整个ic制造流程中占据着至关重要的地位，是实现ic制造过程中工艺控制和良率管理的关键环节。
2、光学测量技术因具备测量速度快、无接触、不会对检测对象造成破坏以及易于实现在线集成等优势，在ic制造工艺控制与良率管理领域获得了广泛的应用。光学量测基于光学原理利用光电技术测量微纳制造生产中关键尺寸来达到良率控制，主要包括关键尺寸量测、三维形貌测量、薄膜膜厚测量、套刻精度测量等。芯片位置度光学量测借助机器识别、图像处理、机器学习以及人工智能等技术手段，能够迅速准确地识别检测样品中存在的缺陷及其位置信息。具体而言，利用相机扫描机器视觉来识别整张晶圆，进而获...
【技术保护点】
1.一种用于微纳制造光学量测的温度补偿方法，其特征在于，所述温度补偿方法用于对相机组件与支撑架之间的连接件的热变形进行补偿，所述连接件上具有与所述相机组件相邻的连接面；所述连接件未发生热变形的基准状态下，所述相机组件的第一光轴与被检测物体的表面之间的交点为第一交点；所述温度补偿方法包括：
2.如权利要求1所述的用于微纳制造光学量测的温度补偿方法，其特征在于，所述连接件的材料为常温下具有因瓦效应的材料。
3.如权利要求1所述的用于微纳制造光学量测的温度补偿方法，其特征在于，在步骤S10中，所述温度测量点的数量为四个，且四个所述温度测量点位于所述连
...【技术特征摘要】
1.一种用于微纳制造光学量测的温度补偿方法，其特征在于，所述温度补偿方法用于对相机组件与支撑架之间的连接件的热变形进行补偿，所述连接件上具有与所述相机组件相邻的连接面；所述连接件未发生热变形的基准状态下，所述相机组件的第一光轴与被检测物体的表面之间的交点为第一交点；所述温度补偿方法包括：
2.如权利要求1所述的用于微纳制造光学量测的温度补偿方法，其特征在于，所述连接件的材料为常温下具有因瓦效应的材料。
3.如权利要求1所述的用于微纳制造光学量测的温度补偿方法，其特征在于，在步骤s10中，所述温度测量点的数量为四个，且四个所述温度测量点位于所述连接面的四角。
4.如权利要求1所述的用于微纳制造光学量测的温度补偿方法，其特征在于，在步骤s20中，根据至少三个温度测量点处的所述当前温度拟合得到所述连接面热变形后的形变面包括：
5.如权利要求4所述的用于微纳制造光学量测的温度补偿方法，其特征在于，所述温度测量点包括第一测量点和第二测量点，且所述第一测量点和所述第二测量点的连线与所述连接面的底边平行；在步骤s30中，根据所述形变面得到所述相机组件的...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：上海点莘技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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