半导体器件制造技术

本公开涉及半导体器件。提高了半导体器件的性能。半导体器件包括半导体芯片和经由银膏安装在半导体芯片上的夹具。这里，半导体芯片包括具有开口的钝化膜、具有在开口处从钝化膜暴露的部分的用于主晶体管的源极焊盘、以及设置在钝化膜上以在平面图中包围源极焊盘的壁部。此时，从钝化膜暴露的源极焊盘的部分(暴露表面)的整体被银膏覆盖。此外，在平面图中，连接源极焊盘和夹具的银膏被定位在由壁部包围的区域的内部而没有溢出。的区域的内部而没有溢出。的区域的内部而没有溢出。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]于2021年8月31日提交的日本专利申请No.2021
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141285的公开内容(包括说明书、附图和摘要)通过引用整体并入本文。

技术介绍

[0003]本专利技术涉及一种半导体器件，例如，涉及应用于作为逆变器的组件的半导体器件的有效技术。
[0004]下面列出了公开的技术。
[0005][专利文献1]日本未审查专利申请公开No.2018
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121035
[0006][专利文献2]日本未审查专利申请公开No.2003
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92374
[0007]专利文献1描述了与作为逆变器的组件的半导体器件的封装结构相关的技术。
[0008]专利文献2公开了通过在形成于布线基板的表面上的阻焊剂中设置凹槽，来抑制用于将布线基板和半导体芯片接合的粘合剂的流出的技术。

技术实现思路

[0009]例如，当形成用于密封半导体芯片功率晶体管的半导体器件时，存在用于通过被称为夹具的板状构件将形成在引线表面上的焊盘和半导体芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：芯片安装部；半导体芯片，被安装在所述芯片安装部上；以及夹具，经由第一银膏安装在所述半导体芯片上，其中所述半导体芯片包括：钝化膜，具有开口；第一焊盘，具有在所述开口处从所述钝化膜暴露的部分；以及壁部，设置在所述钝化膜上以在平面图中包围所述第一焊盘，其中在截面图中，所述壁部的厚度大于所述钝化膜的厚度，其中从所述钝化膜暴露的所述第一焊盘的所述部分的整体被所述第一银膏覆盖，并且其中在所述平面图中，连接所述第一焊盘与所述夹具的所述第一银膏被定位在由所述壁部包围的区域的内部。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一银膏与所述壁部接触。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一焊盘以及与所述第一焊盘不同的第二焊盘设置在所述半导体芯片的表面上，并且其中在所述平面图中所述第一焊盘和所述第二焊盘由所述壁部分开。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述壁部具有在所述平面图中与所述第二焊盘中的每个第二焊盘重叠的部分。5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中接合线连接到所述第二焊盘。6.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述半导体芯片被形成有：主晶体管，电流流过所述主晶体管；以及感测晶体管，被提供用于检测所述电流的电流值，其中所述第一焊盘是所述主晶体管的源极焊盘，并且所述第二焊盘是所述感测晶体管的源极焊盘。7.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述半导体芯片包括：第一边，在所述平面图中与所述夹具的引出部交叉，第二边，面向所述第一边；第三边，与所述第一边和所述第二边交叉；以及第四边，面向所述第三边。8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述第二焊盘设置在所述第二边与所述第三边的相交部分处。9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述半导体芯片的表面设置有所述第一焊盘、所述第二焊盘和第三焊盘，所述第三焊盘不同于所述第一焊盘和所述第二焊盘中的每一者，
其中包括所述第二焊盘的第一焊盘组...

【专利技术属性】
技术研发人员：佃龙明，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：