半导体器件制造技术

本公开涉及半导体器件。提高了半导体器件的性能。半导体器件包括半导体芯片和经由银膏安装在半导体芯片上的夹具。这里，半导体芯片包括具有开口的钝化膜、具有在开口处从钝化膜暴露的部分的用于主晶体管的源极焊盘、以及设置在钝化膜上以在平面图中包围源极焊盘的壁部。此时，从钝化膜暴露的源极焊盘的部分(暴露表面)的整体被银膏覆盖。此外，在平面图中，连接源极焊盘和夹具的银膏被定位在由壁部包围的区域的内部而没有溢出。的区域的内部而没有溢出。的区域的内部而没有溢出。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]于2021年8月31日提交的日本专利申请No.2021
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141285的公开内容(包括说明书、附图和摘要)通过引用整体并入本文。

技术介绍

[0003]本专利技术涉及一种半导体器件，例如，涉及应用于作为逆变器的组件的半导体器件的有效技术。
[0004]下面列出了公开的技术。
[0005][专利文献1]日本未审查专利申请公开No.2018
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121035
[0006][专利文献2]日本未审查专利申请公开No.2003
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92374
[0007]专利文献1描述了与作为逆变器的组件的半导体器件的封装结构相关的技术。
[0008]专利文献2公开了通过在形成于布线基板的表面上的阻焊剂中设置凹槽，来抑制用于将布线基板和半导体芯片接合的粘合剂的流出的技术。

技术实现思路

[0009]例如，当形成用于密封半导体芯片功率晶体管的半导体器件时，存在用于通过被称为夹具的板状构件将形成在引线表面上的焊盘和半导体芯片连接的半导体器件。在该半导体器件中，焊盘和夹具通过粘合剂连接，并且焊料通常用作粘合剂。
[0010]但是，为了提高焊盘与夹具之间的连接可靠性并且降低导通电阻，有时使用在其中银颗粒与环氧树脂混合的被称为“银膏(silver paste)”的粘合剂代替焊料。
[0011]在这方面，本专利技术的专利技术人新发现，“银膏”具有粘度比焊料的粘度更低的性质，并且由于该性质，存在焊料未表现出的改进余地。因此，在使用“银膏”的半导体器件中，希望设法克服新发现的改进余地。
[0012]根据一个实施例，一种半导体器件包括半导体芯片和经由银膏安装在半导体芯片上的夹具。这里，半导体芯片包括：具有开口的钝化膜、具有从开口暴露的部分的焊盘、以及设置在钝化膜上以便在平面图中包围焊盘的壁部。此时，从钝化膜暴露的焊盘表面的部分的整体被银膏覆盖。另外，在平面图中，连接焊盘和夹具的银膏被定位在由壁部包围的区域的内部而没有流出。
[0013]根据一个实施例，可以提高半导体器件的性能。
附图说明
[0014]图1是示意性地示出12相无刷DC电机控制系统的配置的图；
[0015]图2是示出逆变器电路的电路配置的图；
[0016]图3是示出用于实现逆变器电路的半导体器件的安装配置的图；
[0017]图4是用于说明“感测比率”的示意图；
[0018]图5是示出在粘合剂中产生裂纹时“感测比率”发生较大变化的图；
[0019]图6是用于说明银膏中存在的改进余地的图；
[0020]图7是用于说明相关技术的图；
[0021]图8是沿着图7中的A
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A线截取的截面图；
[0022]图9是示出在其中夹具被设置为向纸面左侧偏移的配置的图；
[0023]图10是示出在其中夹具被设置为向纸面右侧偏移的配置的图；
[0024]图11是用于说明实施例中的技术原理的图；
[0025]图12是沿着图11中的A
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A线截取的截面图；
[0026]图13是沿着图11中的B
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B线截取的截面图；
[0027]图14是示出图13中的放大部分的放大图；
[0028]图15是沿着图11中的C
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C线截取的截面图，并且也是示出在其中夹具被设置为向纸面左侧偏移的配置的图；
[0029]图16是沿着图11中的C
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C线截取的截面图，并且也是示出在其中夹具被设置为向纸面右侧偏移的配置的图；
[0030]图17是示出半导体芯片的制造工艺的截面图；
[0031]图18是示出图17之后的半导体芯片的制造工艺的截面图；
[0032]图19是示出图18之后的半导体芯片的制造工艺的截面图；
[0033]图20是示出图19之后的半导体芯片的制造工艺的截面图；
[0034]图21是示出图20之后的半导体芯片的制造工艺的截面图；
[0035]图22是示出半导体器件的制造工艺的平面图；
[0036]图23是示出图22之后的半导体器件的制造工艺的平面图；
[0037]图24是示出图23之后的半导体器件的制造工艺的平面图；
[0038]图25是示出图24之后的半导体器件的制造工艺的平面图；
[0039]图26是示出图25之后的半导体器件的制造工艺的平面图；
[0040]图27是示出第一修改方式的配置的示意图；
[0041]图28是示出第二修改方式的配置的示意图；
[0042]图29是示出第三修改方式的配置的示意图；
[0043]图30是示出第四修改方式的配置的示意图；
[0044]图31是沿着图30中的A
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A线截取的截面图；以及
[0045]图32是示出第五修改的配置的示意图。
具体实施方式
[0046]在用于说明实施例的所有附图中，相同构件原则上用相同附图标记标注，并且省略其重复描述。顺便提及，为了附图的清晰，即使在平面图中也存在附上影线的情况。
[0047]<12相无刷DC电机控制系统>
[0048]近年来，出于对汽车自动驾驶实际应用的功能安全性的预期，已经进行了将常规的3相无刷DC电机设计开发为6相或12相无刷DC电机的设计开发。无刷DC电机通常被认为控制复杂，因为它们不是自整流的。因此，在用于控制6相无刷DC电机的6相无刷DC电机控制系统中，使用两组常规的3相(U相、V相、W相)；在用于控制12相无刷DC电机的12相无刷DC电机控制系统中，使用四组常规的3相(U相、V相、W相)，即使一组出现问题，也不会立即显现出
来。
[0049]作为用于控制每个相的电路，使用逆变器电路，从逆变器电路提供的AC功率(AC power)被提供给无刷DC电机的每个相的线圈。因此，在用于控制6相无刷DC电机或12相无刷DC电机的无刷DC电机控制系统中，使用6个或12个逆变器电路。
[0050]图1是示意性地示出12相无刷DC电机控制系统的配置的图。
[0051]图1所示的电机MOT是12相无刷DC电机，并且具有12个线圈CL。每个线圈CL分别连接到逆变器电路INV。换言之，针对电机MOT具有的12个线圈中的每个线圈，设置有一个逆变器电路INV。因此，图1所示的12相无刷DC电机控制系统共有12个逆变器电路INV。每个逆变器电路INV连接到设置在MCU(微控制器单元)中的控制电路CT，每个逆变器电路由控制电路CT控制。然后，从由控制电路CT控制的每个逆变器电路INV向连接到相应的逆变器电路INV的线圈CL提供AC功率，结果，电机MOT被驱动。
[0052]<逆变器电路的配置>
[0053]接着，对作为以上描述的12相无刷本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：芯片安装部；半导体芯片，被安装在所述芯片安装部上；以及夹具，经由第一银膏安装在所述半导体芯片上，其中所述半导体芯片包括：钝化膜，具有开口；第一焊盘，具有在所述开口处从所述钝化膜暴露的部分；以及壁部，设置在所述钝化膜上以在平面图中包围所述第一焊盘，其中在截面图中，所述壁部的厚度大于所述钝化膜的厚度，其中从所述钝化膜暴露的所述第一焊盘的所述部分的整体被所述第一银膏覆盖，并且其中在所述平面图中，连接所述第一焊盘与所述夹具的所述第一银膏被定位在由所述壁部包围的区域的内部。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一银膏与所述壁部接触。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一焊盘以及与所述第一焊盘不同的第二焊盘设置在所述半导体芯片的表面上，并且其中在所述平面图中所述第一焊盘和所述第二焊盘由所述壁部分开。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述壁部具有在所述平面图中与所述第二焊盘中的每个第二焊盘重叠的部分。5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中接合线连接到所述第二焊盘。6.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述半导体芯片被形成有：主晶体管，电流流过所述主晶体管；以及感测晶体管，被提供用于检测所述电流的电流值，其中所述第一焊盘是所述主晶体管的源极焊盘，并且所述第二焊盘是所述感测晶体管的源极焊盘。7.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述半导体芯片包括：第一边，在所述平面图中与所述夹具的引出部交叉，第二边，面向所述第一边；第三边，与所述第一边和所述第二边交叉；以及第四边，面向所述第三边。8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述第二焊盘设置在所述第二边与所述第三边的相交部分处。9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述半导体芯片的表面设置有所述第一焊盘、所述第二焊盘和第三焊盘，所述第三焊盘不同于所述第一焊盘和所述第二焊盘中的每一者，
其中包括所述第二焊盘的第一焊盘组...

【专利技术属性】
技术研发人员：佃龙明，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：