【技术实现步骤摘要】
无键合线、无硅通孔的MCM封装结构、设计及加工方法
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[0001]本专利技术属于半导体封装
，具体是一种无键合线bonding wire、无TSV，可以实现薄厚度、小尺寸的多晶片Die(亦称“晶圆裸片”)堆叠封装方法。
技术介绍
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[0002]电子封装技术发展迅速，为适应电子小型化、集成化、系统化的发展趋势，封装技术逐渐朝着多晶片Die堆叠封装的方向发展，以达到将不同功能的chip芯片集成到一颗封装里面。多Die堆叠封装MCM(Muti
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chip module，多芯片模块)目前已经非常成熟，广泛应用于各种产品领域。MCM可以通过多种封装技术实现，如wire bonding打线、flip chip倒装、TSV硅通孔等技术。
[0003]现有技术中，最常见的多Die堆叠封装形式是WB(wire bonding)打线类堆叠封装，可以分为：
[0004]1)打线类基板封装，WBBGA(wire bonding ball grid array)，
[0005]2)打线类框架封装，WBQ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种无键合线、无硅通孔的MCM封装结构，包括封装基板、晶片和封装料，晶片和封装基进行物理连接以及电连接后，由封装料包裹构成封装结构，其特征是所述晶片有多个，它们分为上层晶片和下层晶片；上层晶片和下层晶片的正面都朝下；上层晶片与封装基板之间留有间隙，下层晶片的位置在间隙内；上层晶片正面的焊盘处都有多个高凸点，上层晶片与封装基板的顶面焊盘通过高凸点连接；下层晶片正面的焊盘处都有多个矮凸点，下层晶片与封装基板的顶面焊盘通过矮凸点连接。2.根据权利要求1所述的无键合线、无硅通孔的MCM封装结构，其特征是下层晶片有一个或多个。3.根据权利要求1所述的无键合线、无硅通孔的MCM封装结构，其特征是上层晶片和下层晶片之间的电连接是通过封装基板上的电路连接。4.根据权利要求1所述的无键合线、无硅通孔的MCM封装结构，其特征是上层晶片正面四周的所有焊盘处都长有高凸点；下层晶片正面所有的焊盘处都长有矮凸点。5.根据权利要求1所述的无键合线、无硅通孔的MCM封装结构，其特征是上层晶片的正面与下层晶片的背面之间留有间隙，间隙内填有填充料；或者上层晶片的正面与下层晶片的背面之间通过DAF膜粘贴。6.根据权利要求1所述的无键合线、无硅通孔的MCM封装结构，其特征是上层晶片的正面和/或下层晶片的正面与封装基板之间的间隙内填有底部填充胶。7.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐华云，韩明伟，
申请(专利权)人：南京真芯润和微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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