一种多晶片同步装片方法技术

技术编号:38058520 阅读:9 留言:0更新日期:2023-06-30 11:25
一种多晶片同步装片方法,首先改造机台:加长机台的导轨;在机台上安装多套装片设备,每套装片设备包括点胶装置、晶圆安放台和抓贴一体装置;沿基板前进方向,导轨被分成点胶作业区和装片作业区;点胶装置用于把固化装片粘结材料点涂到基板上;晶圆安放台用于安放晶圆;抓贴一体装置在相应晶圆上抓取晶片die,再安放到基板上相应的点胶位置;然后重新制定导轨前进控制逻辑:如果所有工位都有基板在作业,则所有工位的基板完成相应作业后,导轨宏步进一次;如果有工位没有基板在作业,则所有的有基板在作业的工位完成作业后,导轨宏步进一次;接着各套装片设备进行装贴作业:对于一种晶片die,由同一套装片设备作业;最后进行烘烤作业。烤作业。烤作业。

【技术实现步骤摘要】
一种多晶片同步装片方法


[0001]本专利技术创造属于半导体封装
,具体是一种电子芯片封装技术中的晶片装片die attach工艺。

技术介绍

[0002]晶片装片Die attach是芯片封装中必不可少且至关重要的一个工序。在该工序中,将晶片从已切割的晶圆wafer中取出,并装贴bonding到基板(或框架)的对应位置上。晶片Die与基板之间通过DAM(die attach material)装片粘结材料进行固定粘接。DAM一般是DAF(die attach film)膜或者装片胶,一般都是在环氧树脂中填充无机物粉末(比如SIO2或者AG)的材料。如果是功率器件,die与框架之间的粘结材料还可能是高导热的合金焊料,比如焊锡。如图1所示为装片过程(仅为示意图,实际一片晶圆wafer上的die数量远比图示中的多,晶圆尺寸也比基板尺寸大的多)。装片完成后,将装片后的基板放入烘烤箱高温烘烤,以使得DAM固化定型。
[0003]图1为单颗晶片die封装的装片过程,如果一个封装里面含有多颗晶片die,则需要重复多次以上的装片和烘烤过程。
[0004]如图2所示的封装内部含有2颗晶片die,则在装片工序时,需要先装第一个晶片die1,烘烤固化,然后再装第二个晶片die2,烘烤固化,整个装片工序才完成。如果含有3颗晶片die,则装片烘烤3次,多少颗die则需装片烘烤多少次。这种装片的工艺方法是目前芯片封装行业内的通用方法。
[0005]以两颗晶片die合封情况为例,装片机台简要示意如图3和图4,目前行业内通用的机台结构及装片工艺过程如下:1)机台动作主要由3部分组成。
[0006]一、点胶(画胶):在基板正确位置上画出胶的轮廓;二、抓die:通过顶针顶起晶圆wafer中切割完成对单颗晶片die,通过吸嘴将晶片die抓起(即吸起);三、贴die:将晶片die通过压力贴合到基板上相应的位置(也就是有胶的位置),把胶压散、溢出到芯片四周,形成有效粘结。
[0007]2)机台只有一套点胶装置、一套晶圆台table、一套抓die&贴die装置。所以机台一次只能处理一种晶圆,也就是一颗die。两颗die合封,则需要重复进机台轨道两次,三颗die合封则需要重复进机台轨道三次,依此类推。
[0008]这种装片工艺过程有诸多的缺点,例如:1)同一个封装内的各颗die装片不能一次性完成,需多次进装片机台以及分别多次烘烤,大大降低了产能UPH(每小时产出),降低了机器生产效率,拉长了生产时间。
[0009]2)多次进装片机台以及多次高温烘烤,容易造成框架和装片胶的氧化(前一次装片的装片胶多次烘烤),影响胶的性能。如果是功率器件的焊锡装片,框架及焊锡的氧化将严重影响后续二次进轨道其余die的装片性能。
[0010]3)多次进装片机台及多次高温烘烤,容易造成基板或者框架的氧化脏污,影响基板或框架与塑封料的结合力从而导致分层,另外还会引起基板翘曲问题,影响后续的打线和塑封工序。

技术实现思路

[0011]为了解决以上问题,本专利技术创造将装片工艺过程和工艺设备进行优化改进,使得多颗晶片die可以实现一次性进机台装片、一次性进烘箱烘烤,更快更高效地完成整个装片工序。
[0012]一种多晶片同步装片方法,步骤包括:首先,改造机台:加长机台的导轨;在机台上安装多套装片设备,每套装片设备包括点胶装置、晶圆安放台和抓贴一体装置,定义第n套装片设备中第n点胶装置、第n晶圆安放台和第n抓贴一体装置,n是自然数;沿基板前进方向,导轨被分成点胶作业区和装片作业区;在点胶作业区内,第1~n点胶装置沿基板前进方向按序排列;在装片作业区内,第1~n抓贴一体装置沿基板前进方向按序排列;在导轨旁,第1~n晶圆安放台依次排列,且位置分别与第1~n抓贴一体装置对应;点胶装置用于把固化装片粘结材料点涂到基板上;晶圆安放台用于安放晶圆;抓贴一体装置在相应晶圆上抓取晶片die,再安放到基板上相应的点胶位置;定义:工位:第1~n点胶装置以及第1~n抓贴一体装置所在位置即为相应装置的工位;相邻两工位之间的间距相同;微步进:在同一工位的作业过程中,因本次作业需求,基板随导轨单次前进为微步进;同一工位单次作业过程中,微步进的次数为0次、1次或多次;宏步进:同一工位单次作业完成后,基板随导轨前进到下一工位的前进为宏步进;然后,重新制定导轨前进控制逻辑:如果所有工位都有基板在作业,则所有工位的基板完成相应作业后,导轨宏步进一次;如果有工位没有基板在作业,则所有的有基板在作业的工位完成作业后,导轨宏步进一次;接着,各套装片设备进行装贴作业:对于一种晶片die,由同一套装片设备作业;基板随导轨前进到第n点胶装置所在工位,第n点胶装置作业;按照导轨前进控制逻辑,基板随导轨前进到第n抓贴一体装置所在工位,第n抓贴一体装置从第n晶圆安放台上取到晶片die,并安放在相应的点胶位置后压平;最后,进行烘烤作业:完成所有晶片die安装的基板被送入烘箱,固化装片粘结材料。
[0013]说明:
1)相邻两台点胶装置之间的距离比较大,点胶装置相对基板来说更为宏观,比如第1点胶装置和第2点胶装置,中间间隔的距离大于一条基板长度。一台点胶装置同一个时间点对应处理一条基板。
[0014]2)与点胶装置同理,抓贴一体装置同一时间点对应一条基板。
[0015]3)如果有n台点胶装置一起工作的话,每台点胶装置相应处理一条基板,则有n条基板正在点胶;如果有n台抓贴一体装置一起工作的话,每台抓贴一体装置相应处理一条基板,就会有n条基板正在贴die。
[0016]则轨道上正在作业的总基板条数是2n条。
[0017]4)同一套装片设备中,点胶装置在基板上的点胶数量和点胶位置根据产品要求调整,与之对应的抓贴一体装置的贴片数量和贴片位置对应调整。例如,目前技术状态下,一套点胶(或抓贴)装置处理一条基板,点胶(或抓贴)完成基板上的两列就随导轨微步进一次。则一台点胶(或抓贴)装置在作业一条基板的过程内,微步进多次。
[0018]现有技术条件下,产线机台一般是每做两列基板往前走一次,这个两列相当于微步进,但是这两列里面有很多产品,即需要点胶和贴晶片的位置不一样,这两列内是通过点胶装置/抓贴一体装置的点胶头/抓贴头自身动作运动来实现点胶装片的。当这两列做完后,轨道微步进一次,基板往前走两列,点胶头/抓贴头继续在这两列内运动工作。
[0019]进一步的:a、对于基板上的晶片die是堆叠形式(单组堆叠),则:首先,在机台上进行装贴作业,装贴底层晶片die后,送入烘箱进行烘烤作业;然后,把前一步骤得到的基板再次送入机台进行装贴作业,装贴上一层晶片die并送入烘箱进行烘烤作业,其中,点胶装置在下一层晶片的顶面;重复该过程,直至把所有的上层晶片全部装片完成。
[0020]b、对于基板上的有多组堆叠形式的晶片die,各组堆叠形式的晶片die平铺在基板上,则:首先,在机台上进行装贴作业,装贴各个底层晶片die后,送入烘箱进行烘烤作业;然本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多晶片同步装片方法,其特征是首先)改造机台:加长机台的导轨;在机台上安装多套装片设备,每套装片设备包括点胶装置、晶圆安放台和抓贴一体装置,定义第n套装片设备中第n点胶装置、第n晶圆安放台和第n抓贴一体装置,n是自然数;沿基板前进方向,导轨被分成点胶作业区和装片作业区;在点胶作业区内,第1~n点胶装置沿基板前进方向按序排列;在装片作业区内,第1~n抓贴一体装置沿基板前进方向按序排列;在导轨旁,第1~n晶圆安放台依次排列,且位置分别与第1~n抓贴一体装置对应;点胶装置用于把固化装片粘结材料点涂到基板上;晶圆安放台用于安放晶圆;抓贴一体装置在相应晶圆上抓取晶片die,再安放到基板上相应的点胶位置;定义:工位:第1~n点胶装置以及第1~n抓贴一体装置所在位置即为相应装置的工位;相邻两工位之间的间距相同;微步进:在同一工位的作业过程中,因本次作业需求,基板随导轨单次前进为微步进;同一工位单次作业过程中,微步进的次数为0次、1次或多次;宏步进:同一工位单次作业完成后,基板随导轨前进到下一工位的前进为宏步进;然后)重新制定导轨前进控制逻辑:如果所有工位都有基板在作业,则所有工位的基板完成相应作业后,导轨宏步进一次;如果有工位没有基板在作业,则所有的有基板在作业的工位完成作业后,导轨宏步进一次;接着)各套装片设备进行装贴作业:对于一种晶片die,由同一套装片设备作业;基板随导轨前进到第n点胶装置所在工位,第n点胶装置作业;按照导轨前进控制逻辑,基板随导轨前进到第n抓贴一体装置所在工位,第n抓贴一体装置从第n晶圆安放台上取到晶片die,并安放在相应的点胶位置后压平;最后)进行烘烤作业:完成所有晶片die安装的基板被送...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐华云韩明伟马强
申请(专利权)人:南京真芯润和微电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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